목차
[표제지 등]=0,1,2
제출문=0,3,1
요약문=i,4,6
Summary=vii,10,6
Contents=xiii,16,5
목차=xviii,21,5
그림목차=xxiii,26,8
표목차=xxxi,34,1
단위과제I:나노인자를 이용한 백색광 LED 개발=1,35,2
제1장 나노구조 반도체 형성 기술 소개=3,37,1
제1절 화학증착법을 이용한 반도체 박막 증착=3,37,1
1. 화학증착법 이외에 반도체화합물 형성 기술들=3,37,6
2. 화학증착법 (CVD)의 특징=8,42,3
3. 화학증착법에 적합한 전구체=11,45,3
4. 화학증착법에 의한 반도체 박막 형성 및 광학적 응용=14,48,1
5. 화학증착법을 이용한 LED 관련 특허 분석=15,49,4
6. 나노입자 반도체를 이용한 LED 관련 특허 분석=18,52,3
제2절 원자층 증착법을 이용한 반도체 박막 형성=20,54,2
1. 원자층 증착법의 원리 및 특징=21,55,3
2. ALD법으로 형성된 화합물반도체와 LED 응용=24,58,2
제2절/제3절 본 연구의 목표 및 추진 체계=26,60,2
제2장 원자층 증착범을 이용한 반도체 박막 형성=28,62,1
제1절 서론=28,62,3
제2절 실험방법=30,64,1
1. ALD 설비 및 공정 조건=30,64,5
2. 반도체 박막 특성 분석법=35,69,1
제3절 실험결과 및 토의=35,69,1
1. ALD법을 이용한 CdS 박막 형성=35,69,8
제4절 결론=42,76,1
제3장 용액법에 의한 반도체 나노선 합성=43,77,1
제1절 서론=43,77,2
제2절 실험방법=45,79,1
1. 실리카로 이루어진 중형다공성 물질 제조 및 SnO₂나노입자 합성법=45,79,2
2. SnO₂나노입자 특성 조사법=46,80,2
제3절 실험결과 및 토의=47,81,1
1. 나노입자 합성법 최적화=47,81,6
2. 나노선의 굵기 조절=52,86,5
3. 나노선의 전기적 특성=56,90,1
제4절 결론=58,91,1
제4장 결론 및 향후 계획=58,92,1
제1절 결론=58,92,1
제2절 향후계획=58,92,1
참고문헌=59,93,4
단위과제II:백색 반도체 광원 고출력화 기술 개발 (II)=63,97,2
제1장 서론=65,99,1
제1절 연구 추진 배경=65,99,2
제2절 연구 목표 및 내용=66,100,2
제2장 국내ㆍ외 기술개발 현황=68,102,1
제1절 백색 LED 개발 프로젝트 현황=69,103,2
제2절 LED 특허기술 동향 및 분석=70,104,1
1. LED Lamp 특허 기술 분석=71,105,5
2. LED Backlight 특허 기술 분석=76,110,5
제3절 현재 LED 기술의 문제점=81,115,3
제3장 방열특성 향상을 위한 새로운 LED 구조=84,118,1
제1절 현재 사용되고 있는 LED 구조=84,118,1
1. 칩의 크기 및 전극 형태=84,118,1
2. Package 형태=85,119,2
제2절 광추출 효율 향상을 위한 기술=86,120,1
1. 루미레즈사의 방법=86,120,3
2. 니찌아사의 방법=88,122,2
3. 오슬람사의 방법=89,123,2
4. UEC사의 방법=90,124,2
제3절 새로운 구조의 W급 LED 설계 및 제작=91,125,1
1. LED 칩의 선정=91,125,6
2. W급 LED의 제작=96,130,5
제4장 MEMS 공정을 통한 Micro-Reflector의 제작=101,135,1
제1절 MEMS 기본 공정의 이해=101,135,1
1. 사전공정(Photolithography)의 개요=101,135,2
2. 감광제 이론=102,136,4
3. 노광 시스템=105,139,6
4. 공정소개=110,144,8
제2절 Micro-Reflector의 제작=118,152,1
1. Micro-Reflector의 설계 및 구성=118,152,3
2. 반사경의 제작 및 성능=120,154,4
제5장 고출력 백색 LED 램프 설계 및 제작=124,158,1
제1절 백색 LED의 구현 방법=124,158,3
제2절 백색 LED 램프의 설계 및 제작=126,160,1
1. 렌즈를 이용한 기존의 LED 구조의 광 이용효율 분석=126,160,2
2. 입삭각에 따른 굴절 효율의 비교=128,162,2
3. 고효율 LED 램프를 위한 반사형 개념의 새로운 구조 설계=129,163,7
제6장 결론=136,170,2
참고문헌=138,172,3
단위과제III:고성능 LED 마이크로 방열기술 (II)=141,175,2
제1장 서론=143,177,1
제1절 전자장치와 LED의 방열=143,177,2
제2절 전자장치 방열 기술 및 연구 동향=144,178,1
1. 수동적 방열 기술=144,178,2
2. 능동적 방열 기슬=146,180,2
3. 연구 동향=147,181,2
제3절 연구 목표 및 연구 수행 방법=148,182,1
제2장 LED 램프의 자연대류 냉각=149,183,3
제1절 LED 램프의 자연대류 실험=151,185,1
1. LED 방열 램프의 설계와 제작=151,185,1
2. LED 방열 램프의 Simulator 제작=152,186,1
3. 실험 결과=152,186,4
제2절 LED 램프의 수치해석=155,189,2
제3장 콘 형상의 모세관을 이용한 모세관 펌프 루프=157,191,2
제1절 콘 형상 모세관 제작 및 CPL의 구성=158,192,1
1. 콘 형상 모세관=158,192,2
2. CPL의 구성=159,193,2
제2절 실험장치 및 실험방법=160,194,1
1. 실험장치=160,194,2
2. 실험방법=161,195,2
제3절 데이터 분석=162,196,2
제4절 실험결과 및 토의=164,198,1
1. 압력 특성=164,198,1
2. CPL 구동 및 열전달 특성=164,198,12
제5절 결론=175,209,2
제4장 Micropump를 이용한 방열 기술=177,211,1
제1절 Micropump의 종류=177,211,1
1. Mechanical Micropump=177,211,2
2. Non-Mechanical Micropump=178,212,3
가. Injection Pump=180,214,2
나. Induction Pump=181,215,1
다. Electro-Osmotic Pump=181,215,2
라. Polarization Pump=182,216,1
마. Micropump 비교=183,217,1
제2절 Polarization Micropump의 이론적 해석=184,218,1
1. 쌍극자에 작용하는 정전기력=184,218,2
2. Polarization Micropump에 관한 기존 연구=186,220,2
3. 문제의 정의=187,221,1
가. 유전성 유체 내의 2차원 사각 전극=187,221,2
나. 모서리 영역: 한 쌍의 반무한 사각 전극=188,222,2
4. 모서리 영역의 해석: 무한 띠 영역으로의 등각 사상=189,223,3
5. 해석 결과=191,225,1
가. Electrical Potential의 분포=191,225,3
나. 유전성 유체에 작용하는 힘의 분포=193,227,3
다. 유전성 유체에 작용하는 힘의 합=195,229,4
6. 해석의 결론=198,232,1
제3절 방사형 전극을 이용한 Micropump=199,233,1
1. 전극 설계 및 Micropump 제작=199,233,4
2. 실험 장치 및 실험 결과=202,236,4
3. 실험 결론=205,239,1
제4절 삼각기둥 모양의 전극을 이용한 Micropump=206,240,1
1. 전극 설계 및 Micropump 제작=206,240,2
2. 실험 장치 및 실험 결과=207,241,2
제5장 결론 및 향후 계획=209,243,2
참고문헌=211,245,2
서지정보양식=213,247,2
[그림 1-1] II-IV족, II-V족, IV-IV족 원소, Binary, Ternary, Quatemary 반도체들과 도광원소들에 대한 주기율표=4,38,1
[그림 1-2] Liquid Phase Epitaxy (LPE) System에 대한 일반적인 개략도=5,39,1
[그림 1-3] Molecular Beam Epitaxy 설비에 대한 일반적인 개략도=6,40,1
[그림 1-4] 전형적인 Vapor Phase Epitaxy (VPE) System=7,41,1
[그림 1-5] 화학기상증착범에서 증착온도에 따른 증착속도에 대한 개념도=10,44,1
[그림 1-6] 온도에 따른 Organometallic 화합물들의 증기압 곡선=13,47,1
[그림 1-7] 화학증착법을 이용한 LED 형성과 관련된 특허의 출원국 분석=15,49,1
[그림 1-8] 화학증착법을 이용한 LED 형성법과 관련된 기술분야 분석: H01는 전자소자, F02는 소자냉각, B01는 정공분리, F27는 소자부속품, C30는 단결정형성을 각각 의미함=16,50,1
[그림 1-9] 연도별 화학증착법을 이용한 LED 헝섭과 관련된 특허출원건수 변화=16,50,1
[그림 1-10] 화학증착법에 의한 LED 형성법의 출원건수와 출원인과의 상관관계=17,51,1
[그림 1-11] 화학증착법을 이용한 LED 헝성법의 출원건수 신장율=17,51,1
[그림 1-12] 반도체 나노입자를 이용한 LED 형성법과 관련된 특허의 출원국 분석=18,52,1
[그림 1-13] 반도체 나노입자를 이용한 LED 형성법과 관련된 연도별 출원건수 비교=19,53,1
[그림 1-14] 반도체 나노입자를 이용한 LED 형성법과 관련된 특허의 출원건수 신장율 비교=19,53,1
[그림 1-15] 반도체 나노입자를 이용한 LED 형성법과 관련된 특허의 출원건수와 출원인수의 상관관계=20,54,1
[그림 1-16] ALD 공정의 개념도: (i) TMGa 주입, (ii) 기판표면에 Ga Layer 형성 및 Purge에 의한 부산물, 미반응물 제거, (iii) AsH₃ 주입, (iv) As Layer 형성 및 Purge에 의한 반응부산물, 미반응물 제거, (vii) TMGa 주입 및 Cycle 반복=22,56,1
[그림 1-17] GaAs 박막 형성에서 증착온도에 따른 Deposition Rate 변화와 ALD 영역: Solid Circle은 Laser Radiation을 받으면서 박막이 성장했으며 Open Circle Radiation 없이 박막을 성장시킨 경우임=23,57,1
[그림 1-18] II-VI족 화합물반도체와 해당 원소들의 평형증기압 비교=25,59,1
[그림 1-19] 본 연구의 추진 계획=27,61,1
[그림 2-1] ALD 설비의 외형 및 Control Module=29,63,1
[그림 2-2] ALD설비 전체 구성도=29,63,1
[그림 2-3] ALD 설비의 Gas, Source Line, Valve 구성도 화면=30,64,1
[그림 2-4] Source 공급 Line 및 Gas Line 모식도: 각 Channel을 통해서 해당 부위의 가열이 이루어짐=32,66,1
[그림 2-5] Souce 및 Gas 공급 장치 실제 모습=32,66,1
[그림 2-6] CdTe 형성을 위한 ALD 공정 중 Cd Source Feeding (a) 및 Purge (b) 공정이 진행될 때의 형성되는 유로 및 유량=33,67,1
[그림 2-7] CdTe 형성을 위한 ALD 공정 중 Te Source Feeding (a) 및 Purgc (b) 공정이 진행될 때의 형성되는 유로 및 유량=34,68,1
[그림 2-8] ALD법에 의한 CdS 박막 형성 원리=38,72,1
[그림 2-9] 기판의 종류에 따른 CdS 박막의 Deposition Rate=39,73,1
[그림 2-10] 투과전자헌미경 (TEM)으로 관찰한 Si Wafer 위에 ALD법으로 증착된 CdS 박막의 단면: 오른쪽 검은 부분이 Si Wafer이며 "1"로 표시된 흰색의 박막이 CdS, CdS 왼쪽에 형성된 박막이 FIB 처리를 위해서 형성한 Pt 박막임=40,74,1
[그림 2-11] XRD로 인한 기판의 종류에 따른 CdS 박막의 결정상 형성: (a) 무정형 Al₂O₃ 위에 형성된 CdS 박막, (b) 결정상 Si(100) 위에 형성된 CDS=41,75,1
[그림 3-1] SnO2 (110) 면에 대한 Ball Model 표시도=44,78,1
[그림 3-2] 전도성 측정을 위한 전극 및 전극 위에 올려진 SnO₂Nanorod 의 SEM 사진=47,81,1
[그림 3-3] X-Ray Diffraction Pattern으로 확인한 다공성 실리카와 함침된 SnO₂의 구조 변화: (a) 틀로 사용된 MCM-41, (b) SnO₂ 함침된 MCM-41, (c) HF 처리로 실리카를 제거한 후의 SnO₂ 나노구조, (d) Bulk 상태의 SnO₂=49,83,1
[그림 3-4] HF 처리된 SnO₂/MCM-41의 저배율 TEM 사진=50,84,1
[그림 3-5] [그림 3-4]에 대한 In-Situ Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy: 해당 Image에 대한 원소 분석 Spectrum=50,84,1
[그림 3-6] 고배율 관찰한 HF 처리 SnO₂/MCM-41의 TEM 사진=51,85,1
[그림 3-7] 여러 가지 Mesoporous Silica의 XRD Pattern 및 기공 크기=53,87,1
[그림 3-8] 굵기가 조절된 SnO₂ Nanowire들의 TEM 사진: (a) MCM-41을 틀로 사용한 3 nm 크기의 SnO₂ Nanowire, (b) 기공이 7 nm인 SBA-15를 사용한 SnO₂ Nanowire, (c) 기공이 9 nm인 SBA-15를 틀로 사용한 3nm크기의 SnO₂Nanowire=54,88,1
[그림 3-9] Free-Standng SnO₂ Nanotvire 및 Bulk SnO₂에 대한 저항 측정: 가로축이 적용된 전압이며 세로축은 측정된 전류임=55,89,1
[그림 3-10] Template Synthesis법을 이용해서 합성한 SnO₂Nanowire=57,91,1
[그림 2-1] LED 성능지수와 연도별 발전 추이=68,102,1
[그림 2-2] 국가별 출원건수 (국가별 기술 수준)=71,105,1
[그림 2-3] 출원인 분석 (Leading Group 파악)=72,106,1
[그림 2-4] 기술분석(IPC, 국제 특허 분류)(F21: 조명, H01: 기본적 전기소자, H05: 분류되지 않은 전기기술, B60: 차량 일반, G08: 신호)=72,106,1
[그림 2-5] 기술의 점유율 분석=73,107,1
[그림 2-6] 연도별 특허 출현 추이 파악=73,107,1
[그림 2-7] 연도 및 출원인에 따른 분석=74,108,1
[그림 2-8] 매트릭스 분석=74,108,1
[그림 2-9] 연도별 출원 건수의 신장율=75,109,1
[그림 2-10] 출원인수-출원건수 분석=75,109,1
[그림 2-11] 국가별 출원건수 (국가별 기술 수준)=76,110,1
[그림 2-12] 출원인 분석 (Leading Group 파악)=77,111,1
[그림 2-13] 기술분석(IPC, 국제 특허 분류)(F21: 조명, G09: 교육; 암호방법; 전시; 광고; 봉인 G02: 광학, H01: 기본적 전기소자, H04 : 전기통신기술)=77,111,1
[그림 2-14] 기술의 점유율 분석=78,112,1
[그림 2-15] 연도별 특허 출원 추이 파악=78,112,1
[그림 2-16] 연도 몇 출원인에 따른 분석=79,113,1
[그림 2-17] 매트릭스 분석=79,113,1
[그림 2-18] 연도별 출원 건수의 신장율=80,114,1
[그림 2-19] 출원인수-출원건수 분석=80,114,1
[그림 2-20] 현재 기존 조명기구에 대한 백색 LED 전구의 가격 경쟁력=82,116,1
[그림 2-21] 조명용 램프의 색온도와 연색성 평가지수와의 관계=83,117,1
[그림 3-1] 금속 전극면의 형상=84,118,1
[그림 3-2] Flip Chip Bonding Type Package 기술에 대한 일반적인 개략도=85,119,1
[그림 3-3] Metal Bonding Type Package 기술에 대한 일반적인 개략도=86,120,1
[그림 3-4] SMT LED의 구조=86,120,1
[그림 3-5] Lumileds Co.의 LED 구조=87,121,1
[그림 3-6] Lumileds Co.의 LED 램프 구조=87,121,1
[그림 3-7] Lumileds 램프의 Chip 구조, Flip Chill Bondiong, Lamp의 구성=88,122,1
[그림 3-8] Flip Chip Bonding Type의 Package=89,123,1
[그림 3-9] Metal Bonding Type의 Package=89,123,1
[그림 3-10] Osram Co.의 White LED Lamp의 package 구조=90,124,1
[그림 3-11] UEC Co.의 White LED Package=90,124,1
[그림 3-12] 절두형 역피라미드 구조 LED의 단면 구조=92,126,1
[그림 3-13] AlgalnP LED 칩의 발광 모습=93,127,1
[그림 3-14] W급 LED 시제품에 사용된 적색 칩의 구조=93,127,1
[그림 3-15] Multi-Quantum Well LED 구조=95,129,1
[그림 3-16] 고출력 InGaN 플렵 칩 형태의 LED 칩 구조=95,129,1
[그림 3-17] W급 LED 시제품에 사용된 녹색 및 청색 칩의 구조=96,130,1
[그림 3-18] LED의 구조 비교=97,131,1
[그림 3-19] 고출력 LED의 모델링=98,132,1
[그림 3-20] Luxeon Star의 배광 분포=98,132,1
[그림 3-21] 반사경의 설계=99,133,1
[그림 3-22] 리드 프레임의 설계 사양=99,133,1
[그림 3-23] 새로운 구조의 LED 시제품=85,134,1
[그림 4-1] 사진 공정의 개략도=101,135,1
[그림 4-2] Transistor 제조를 위한 사진 공정의 예=102,136,1
[그림 4-3] 노광에너지에 따른 감광제의 침투깊이=104,138,1
[그림 4-4] 감광제의 Contrast=104,138,1
[그림 4-5] Slit을 투과하는 광원의 회절=106,140,1
[그림 4-6] E-Beam Lithography=106,140,1
[그림 4-7] 접촉식 노광시스템의 모식도=108,142,1
[그림 4-8] 투사형 노광시스템의 모식도=109,143,1
[그림 4-9] Spin중의 감광막의 모양=110,144,1
[그림 4-10] 여러 가지 오븐의 종류와 특성=112,146,1
[그림 4-11] Alignment 마크 및 상태=113,147,1
[그림 4-12] 고압수은 방전시의 스펙트럼=113,147,1
[그림 4-13] 고압수은 방전관의 방사선 형태=114,148,1
[그림 4-14] 빛의 정상파 형성에 따른 감광막 측벽의 문제=114,148,1
[그림 4-15] 사진 공정의 결함 요소=117,151,1
[그림 4-16] LED 램프에 적용 가능한 마이크로 반사경의 구조=118,152,1
[그림 4-17] 4인치 웨이퍼에 제작된 마이크로 반사경=120,154,1
[그림 4-18] 식각용액의 종류에 따른 경사면의 형태=120,154,1
[그림 4-19] 식각용액의 농도에 따른 경사면의 형태=121,155,1
[그림 4-20] 식각용액의 온도(70도)에 따른 경사면의 형태=121,155,1
[그림 4-21] 식각용액의 온도(80도)에 따른 경사면의 형태=122,156,1
[그림 4-22] Micrographs Comparing Hillock Free And Hillocked Films=122,156,1
[그림 4-23] Al-Si Phase Diagram=123,157,1
[그림 4-24] 마이크로 반사경의 반사율=123,157,1
[그림 5-1] 청색 LED와 노란색 형광체를 이용한 백색광 구현=124,158,1
[그림 5-2] 자외선 LED와 적색, 녹색, 청색 형광체를 이용한 백색광 구현=125,159,1
[그림 5-3] 적색, 녹색, 청색 칩을 이용한 백색광 구현=125,159,1
[그림 5-4] 렌즈를 사용하는 LED의 효율 분석=127,161,1
[그림 5-5] 빚의 입사에 대할 반사와 굴절=128,162,1
[그림 5-6] 빛의 입사각에 대한 효율 비교=129,163,1
[그림 5-7] 반사경을 이용한 LED 구조의 효율 분석=130,164,1
[그림 5-8] 고출력, 고광속의 LED 램프의 구조=131,165,1
[그림 5-9] LED 램프 시제품=132,166,1
[그림 5-10] 배광제어를 위한 반사경의 종류=133,167,1
[그림 5-11] 리플렉터에 따른 배광 특성=134,168,1
[그림 5-12] 색재현성 시험=135,169,1
[그림 1-1] 전자장치의 냉각에 사용되는 기존의 냉각 방법=144,178,1
[그림 1-2] CPU의 냉각에 사용되는 상용화된 Heat Pipe=145,179,1
[그림 2-1] 일반적인 LED 램프와 방열 시스템=149,183,1
[그림 2-2] LED 램프의 열 등가 회로=149,183,1
[그림 2-3] 환형으로 배치된 LED 소자와 반사경을 이용한 LED 램프(출저: 단위과제II)=150,184,1
[그림 2-4] LED 방열 램프의 설계와 단면도=151,185,1
[그림 2-5] Film Heater가 부착된 LED 방열 램프와 실험 장치=152,186,1
[그림 2-6] 시간에 따른 LED 랙프의 각 위치별 온도 변화=153,187,1
[그림 2-7] 입력 파워에 따른 각 위치별 최종 온도=154,188,1
[그림 2-8] 입력 파워에 따른 방열 Fin의 열 저항=154,188,1
[그림 2-9] 열ㆍ유동 해석의 결과=156,190,1
[그림 3-1] 실리콘 웨이퍼에 식각된 콘 형상의 모세관=158,192,1
[그림 3-2] Scanning Electron Microscopy(SEM) Of The Capillary Structures; (a) Cross-Sectional View And (b) Top View=159,193,1
[그림 3-3] 제작된 CPL 칩의 사진과 크기=159,193,1
[그림 3-4] CPL 구성의 개략도=160,194,1
[그림 3-5] 실험 장치의 개략도=161,195,1
[그림 3-6] CPL 실험 장치=161,195,1
[그림 3-7] 높이 차 cm, 채움율 40%, 열유속 8000W/㎡ㆍ℃일 때 증발기 출구에시의 시간에 따른 구동 모습=165,199,1
[그림 3-8] CPL의 시간에 따른 거동(a) H=3 cm, Fill Ratio=40 % And q"=4,500 W/㎡ (b) H=3 cm, Fill Ratio=50 % And q"=4,500 W/㎡=167,201,1
[그림 3-9] CPL의 시간에 따른 거동(a) H=0 cm, Fill Ratio=40 % And q"=8,000 W/㎡ (b) H=7 cm, Fill Ratio=40 % And q"=8,000 W/㎡=168,202,1
[그림 3-10] CPL의 시간에 따른 거동(a) H=5 cm, Fill Ratio=30 % And q"=11,200 W/㎡ (b) H=5 cm, Fill Ratio=60 % And q"=11,200 W/㎡=169,203,1
[그림 3-11] Fan을 이용하여 냉각할 때 CPL의 거동; H=5 cm, Fill Ratio=60 % And q"=34,000 W/㎡=170,204,1
[그림 3-12] 높이차가 5cm일 때 열유속에 따른 열전달 계수=171,205,1
[그림 3-13] 높이차가 5cm일 때 열유속에 따른 열저항=171,205,1
[그림 3-14] 높이차가 7cm일 때 열유속에 따른 열전달 계수=172,206,1
[그림 3-15] 높이차가 7cm일 때 열유속에 따른 열저항=172,206,1
[그림 3-16] 열유속이 8,000 W/㎡일 때 높이차에 따른 열전달 계수=173,207,1
[그림 3-17] 열유속이 8,000 W/㎡일 때 높이차에 따른 열저항=174,208,1
[그림 3-18] 높이차가 5cm일 때 열유속에 따른 열저항=175,209,1
[그림 3-19] 높이차 7cm, 채움률 40%, 열유속 8,000 W/㎡일 때 시간에 따른 Chip 온도의 이론치와 실험치=176,210,1
[그림 4-1] Mechanical Micropump의 대표적인 예=178,212,1
[그림 4-2] 기포 동력 Micropump=179,213,1
[그림 4-3] 전기적 Micropump의 종류=180,214,1
[그림 4-4] Injection Pump의 개략도와 Silicon Grid; Richter Et Al., 1991=180,214,1
[그림 4-5] Induction Pump의 개략도=181,215,1
[그림 4-6] Electro-Osmotic Pump의 개략도=182,216,1
[그림 4-7] Polarization Pump의 개략도=182,216,1
[그림 4-8] 다양한 Micropump의 성능 비교=183,217,1
[그림 4-9] Dipole Moment=184,218,1
[그림 4-10] 평행 전극에 의해 구동되는 전자장치 냉각용 Polarization Micropump=186,220,1
[그림 4-11] Liquid Reservoir를 가지는 Micropump 일체형 방열기=187,221,1
[그림 4-12] 2-Dimensional Rectangular Electrodes In Dielectric Liquid=188,222,1
[그림 4-13] z-Plane: z=x+iy=188,222,1
[그림 4-14] 무한 띠 영역으로 사상된 ζ-Plane=189,223,1
[그림 4-15] 상반평면의 영역으로 사상된 ω-Plane=190,224,1
[그림 4-16] ζ 평면에서 전기 퍼텐셜의 분포=192,226,1
[그림 4-17] z 평면에서 전기 퍼텐셜의 분포=193,227,1
[그림 4-18] 모서리 영역에 작용하는 분극력의 분포=194,228,1
[그림 4-19] 둥근 모서리를 가지는 삼각 전극=195,229,1
[그림 4-20] 모서리 영역에서의 적분 경로=195,229,1
[그림 4-21] 평행 전극에 의한 유체의 상승=197,231,1
[그림 4-22] 방사형 전극을 이용한 Micropump의 개략도=200,234,1
[그림 4-23] 방사형 전극을 이용한 Micropump의 설계도=200,234,1
[그림 4-24] 방사형 전극을 이용한 Micropump의 상세 도면; (a) 유체의 입구, (b) 유체의 출구, (c) 왼쪽 하단 모서리, (d) 오른쪽 하단 모서리=201,235,1
[그림 4-25] 방사형 전극을 이용한 Micropump의 Mask=202,236,1
[그림 4-26] 방사형 전극을 이용한 Micropump의 실험장치=203,237,1
[그림 4-27] 방사형 전극을 이용한 Micropump의 실험결과=204,238,1
[그림 4-28] 삼각 기둥모양의 전극을 이용한 Micropump의 개략도와 실리콘 웨이퍼에 식각된 삼각 전극의 확대사진=206,240,1
[그림 4-29] 삼각기둥 전극을 이용한 Micropump의 Mask Pattern=207,241,1
[그림 4-30] 마이크로 EHD 펌프 실험장치=208,242,1
(표 1-1) 상대적인 Metal-Organic Bond 세기=12,46,1
(표 1-2) 일반적인 전구체들의 물리적 성질=12,46,1
(표 2-1) 각국 국가주도 프로젝트 현황=69,103,1
(표 3-1) 시제품 제작에 사용된 LED 칩의 사양=97,131,1
(표 4-1) 감광제의 물리적 성질 비교=105,139,1
(표 4-2) 해상도 향상 방법=109,143,1
(표 4-3) 감광막 도포과정의 예=111,145,1
(표 4-4) 마이크로 반사경의 제작 공정=119,153,1
(표 5-1) 제조 방법에 따른 백색 LED의 특성 비교=126,160,1
(표 1-1) 방열 기술의 분류 및 특성과 연구 동향=147,181,1
(표 3-1) 작동유체 FC-72에 대해 식 (3-1)~(3-6)으로부터 계산되는 물리량=164,198,1