제1장 CMOS 공정 흐름도 이해 1. CMOS 트랜지스터 구조 · 12 1-1 FET(Field Effect Transistor) · 12 1-2 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET) · 12 1-3 CMOSFET(Complementary MOSFET) · 13 2. CMOS 트랜지스터 작동 원리 · 13 2-1 NMOS 트랜지스터 작동 원리 · 13 2-2 PMOS 트랜지스터 작동 원리 · 14 2-3 CMOS 인버터(Invertor) 작동 원리 · 15 3. CMOS 제작 공정 흐름도 · 17 3-1 CMOS 제작 3단계 공정 · 17 3-2 실리콘 기판 제작 · 18 3-3 레티클 제작 · 20 3-4 소자 분리 세부 공정 · 22 3-5 소자 형성 세부 공정 · 30 3-6 소자 배선 세부 공정 · 39 3-7 소자 완성 세부 공정 · 54 제2장 CMOS 단위 공정 최적화 1. 사진(Photo) 공정 · 64 1-1 사진 공정의 개요 · 64 1-2 사진 공정 흐름도 · 64 1-3 감광막 형성 공정 · 65 1-4 노광 공정 · 71 1-5 현상 공정 · 732. 식각(Etching) 공정 · 742-1 식각 공정 주요 변수 · 742-2 식각 공정의 종류 · 783. 확산(Diffusion) 공정 · 853-1 확산 공정의 개요 · 853-2 산화막(SiO2)의 용도 · 924. 평탄화(Planarization) 공정 954-1 평탄화 공정의 개요 · 954-2 CMP 공정 개요 · 984-3 CMP 적용 공정 · 1035. 세정(Cleaning) 공정 · 1075-1 세정 공정 개념 · 1075-2 습식 세정 주요 공정 · 1085-3 건식 세정 주요 공정 · 1106. 이온 주입(Implanting) 공정 · 1146-1 이온 주입 개요 · 1146-2 이온 주입 공정 변수 · 1176-3 결정 손상 부분 열처리 · 1187. 박막(Thin Film) 공정 · 1207-1 기상 증착법 · 120제3장 공정 장비 1. 사진(Photo) 공정 장비 · 1321-1 노광 장비 개요 · 1321-2 노광 장비 분류 · 1331-3 Stepper 노광 장비 모듈 · 1351-4 Scanner 노광 장비 모듈 · 1361-5 조명 광학 · 1371-6 웨이퍼 스테이지 · 1391-7 축소 투영 렌즈 · 1411-8 장비의 점검 · 1421-9 트랙(Track) 장비 개요 · 1482. 식각(Etch) 공정 장비 · 1502-1 식각 장비 개요 · 1502-2 식각 장비 시스템 구성 · 1502-3 건식 식각 장비 종류 · 1592-4 습식 식각 장비 · 1663. 확산 및 이온 주입 장비 · 1703-1 열 확산로(Furnace) · 1703-2 이온 주입 장비 구성 모듈과 기능 · 1713-3 이온 주입 후 열처리 · 1814. 박막 증착 장비 · 1824-1 CVD 박막 증착 장비의 개요 · 1824-2 CVD 장비 종류 · 1824-3 물리적 기상 증착법(PVD) · 1875. CMP 장비 · 1915-1 CMP 장비 개요 · 1915-2 CMP 장비 기본 시스템 · 1925-3 CMP 주요 구성품의 작동 원리 · 193 5-4 CMP 공정 장비 시스템 · 198 제4장 반도체 공정 검사 & 계측 및 분석 장비 1. 단위공정 검사 계측 장비 · 202 1-1 개요 · 202 1-2 측정 원리 · 203 2. 물성 분석 및 평가 장비 · 224 2-1 개요 · 224 2-2 분석 장비 · 225