제1장 CMOS 공정 흐름도 이해
1. CMOS 트랜지스터 구조
1-1 FET(Field Effect Transistor)
1-2 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET)
1-3 CMOSFET(Complementary MOSFET)

2. CMOS 트랜지스터 작동 원리
2-1 NMOS 트랜지스터 작동 원리
2-2 PMOS 트랜지스터 작동 원리
2-3 CMOS 인버터(Invertor) 작동 원리

3. CMOS 제작 공정 흐름도
3-1 CMOS 제작 3단계 공정
3-2 실리콘 기판 제작
3-3 레티클 제작
3-4 소자 분리 세부 공정
3-5 소자 형성 세부 공정
3-6 소자 배선 세부 공정
3-7 소자 완성 세부 공정

제2장 CMOS 단위 공정 최적화
1. 사진(Photo) 공정
1-1 사진 공정의 개요
1-2 사진 공정 흐름도
1-3 감광막 형성 공정
1-4 노광 공정
1-5 현상 공정

2. 식각(Etching) 공정
2-1 식각 공정 주요 변수
2-2 식각 공정의 종류

3. 확산(Diffusion) 공정
3-1 확산 공정의 개요
3-2 산화막(SiO2)의 용도

4. 평탄화(Planarization) 공정
4-1 평탄화 공정의 개요
4-2 CMP 공정 개요
4-3 CMP 적용 공정

5. 세정(Cleaning) 공정
5-1 세정 공정 개념
5-2 습식 세정 주요 공정
5-3 건식 세정 주요 공정

6. 이온 주입(Implanting) 공정
6-1 이온 주입 개요
6-2 이온 주입 공정 변수
6-3 결정 손상 부분 열처리

7. 박막(Thin Film) 공정
7-1 기상 증착법

제3장 공정 장비
1. 사진(Photo) 공정 장비
1-1 노광 장비 개요
1-2 노광 장비 분류
1-3 Stepper 노광 장비 모듈
1-4 Scanner 노광 장비 모듈
1-5 조명 광학계
1-6 웨이퍼 스테이지
1-7 축소 투영 렌즈
1-8 장비의 점검
1-9 트랙(Track) 장비 개요

2. 식각(Etch) 공정 장비
2-1 식각 장비 개요
2-2 식각 장비 시스템 구성
2-3 건식 식각 장비 종류
2-4 습식 식각 장비

3. 확산 및 이온 주입 장비
3-1 열 확산로(Furnace)
3-2 이온 주입 장비 구성 모듈과 기능
3-3 이온 주입 후 열처리

4. 박막 증착 장비
4-1 CVD 박막 증착 장비의 개요
4-2 CVD 장비 종류
4-3 물리적 기상 증착법(PVD)

5. CMP 장비
5-1 CMP 장비 개요
5-2 CMP 장비 기본 시스템
5-3 CMP 주요 구성품의 작동 원리
5-4 CMP 공정 장비 시스템

제4장 플라즈마 진단 기술 & 진단 장치
반도체 공정 검사 & 계측 및 분석 장비
1. 단위공정 검사 계측 장비
1-1 개요
1-2 측정 원리

2. 물성 분석 및 평가 장비
2-1 개요
2-2 분석 장비

제5장 플라즈마 진단 기술 & 진단 장치
1. 플라즈마 진단 기술
1-1 개요
1-2 플라즈마 진단 방법

2. 플라즈마 진단 장치
2-1 Langmuir Probe
2-2 OES(Optical Emission Spectrograph)
2-3 Ion Flux