목차
1. 서론 1
2. 본론 2
2.1. II-ⅤI족 계열 반도체 양자점 기반의 백색LED 특성 2
2.2. III-Ⅴ족 계열 반도체 양자점 기반의 백색LED 특성 6
2.3. I-III-ⅤI족 계열 반도체 양자점 기반의 백색 LED 특성 8
3. 결론 11
참고문헌 11
Fig. 1. CdSe 양자점과 Sr₃SiOs:Ce3+,Li 형광체를 혼합하여 제작된 백색 LED의 (a) 인가 전 사진, (b) 인가 전류 5 mA 및 (c) 20 mA에서 구동 중인 사진. 2
Fig. 2. 시간 경과에 따른 양자점의 PL 발광강도의 변화 (a) CdSe(0시간: 검정선, 144시간 경과: 청색선), (b) CdSe/ZnS (0시간: 검정선, 144시간 경과: 청색선), (c) CdSe/CdS/ZnS 양자점(0시간: 검정선, 330시간 경과: 빨강선) 및 (d) 365 nm여기 파장 하에서의 CdSe, CdSe/ZnS, CdSe/CdS/ZnS 양자점의 발광 사진(왼쪽: 0시간, 오른쪽: 자외선 조사 후). 3
Fig. 3. 열 경화된 nanocomposite 내의 양자점의 (a) UV 조사 전, (b) UV 조사 후(1시간)의 TEM 사진. 4
Fig. 4. (a) 백색 LED의 제작 모식도, (b) UV 조사 전, 후의 EL 스펙트럼의 변화, (c) 제작된 LED의 사진 및 (d) 350 mA의 구동 전류 하에서의 백색 LED의 발광 모습 4
Fig. 5. (a) 양자점(청색선) 및 형광체(회색선) 기반 백색 LED의 Light intensity 스펙트럼(연속선)과 휘도(빗금친 영역), (b) 백색 양자점-LED 백라이트(오른쪽 밑 사진) 기반의 46인치 LCD TV panel 사진 5
Fig. 6. 다양한 농도 변화를 통해 제작된 (a) 녹색 및 (b) 적색 양자점-실리카 monolith 기반 LED의 EL 스펙트럼 변화(구동전류: 60 mA), (c) LED 제작 모식도, (d) 측정된 백색 LED의 EL 스펙트럼 6
Fig. 7. (a) 황색 발광의 YAG:Ce 형광체 기반의 백색 LED 및 (b) 추가적인 색변환 물질인 이 SrAl₂O₄:Eu 형광체와 적색 발광의 InP/ZnS/SiO₂ 양자점이 첨가된 백색 LED의 EL 스펙트럼. 7
Fig. 8. YAG:Ce 형광체와 InP/GaP/ZnS 양자점이 혼합되어 제작된 (a) 백색 LED의 사진, (b) 백색 LED의 제작 모식도, (c) InP 양자점의 농도에 따른 CIE 색좌표 변화, (d) 인가전류 20-120 mA 하에서의 EL 스펙트럼의 변화. 7
Fig. 9. (a) Hybrid Flow Reactor를 이용한 InP/ZnS 양자점의 합성과정, (b) InP/ZnS 양자점 기반 백색 LED의 모식도(위) 및 EL 스펙트럼(아래). 8
Fig. 10. (a) CuxInS2/ZnS 양자점의 PL 발광 스펙트럼의 변화 및 (b) CuxInS2/ZnS(x=0.7) 양자점의 농도 변화에 따른 LED의 EL 스펙트럼 변화. 9
Fig. 11. Cu/In 몰수 비의 변화(1/1, 1/2, 1/4)에 따른 CuInS₂/ZnS 양자점 기반 LED의 (a) EL 스펙트럼, (b) CIE 색좌표, (c) Cu/In=1/4 코어/쉘 양자점 기반 LED 사진. 9
Fig. 12. CuInS₂/ZnS 양자점-PMMA 플레이트의 (a) UV 조사 후의 사진, (b) 해당 양자점 플레이트의 단면 SEM 사진, (c) InLα및 S Kα의 EDS mapping 사진, (e) 구동시간(0-20시간)에 따른 EL 발광 강도의 변화. 10
Fig. 13. (a) 실리카가 코팅된 CuInS₂/ZnS 양자점 분말의 미세구조 사진, (b) 제작된 백색 LED의 인가전류(5-70 mA)에 따른 EL 발광 스펙트럼의 변화. 11