목차
1. 서론 1
2. 본론 1
2.1. CBED 1
2.2. 고분해능 TEM 이미징 분석 2
(1) PPA 2
(2) GPA 3
2.3. 전자빔 홀로그래피 (Electron holography) 4
(1) DOAH 4
(2) DIH 5
2.4. DIH 분석법을 이용한 연구사례 6
(1) MOSFET 구조의 격자변형 분석 6
(2) GaN 계열 LED 소자의 격자변형 분석 6
3. 결론 7
참고문헌 8
Fig. 1. 수렴성빔 전자회절법에서 HOLZ선의 형성 원리. 2
Fig. 2. 고분해능 TEM 이미지 내의 표준 영역에서 A, B, C 세 점으로 결정된 단위 벡터 a, b. 3
Fig. 3. 단위 벡터 a, b를 이용한 (x₁, y₁)와 (x₂, y₂) peak point들의 변위 u=(ux, uy), v=(vx, vy) 측정 방법. 3
Fig. 4. 고분해능 TEM 영상으로부터 strain tensor, εij를 구하는 GPA의 개략도. 3
Fig. 5. Dark-field off-axis holography 원리를 설명하는 모식도. 4
Fig. 6. (a) Dark-field inline holography 원리를 설명하는 모식도와 (b) p-MOSFET 구조에서의 서로 다른 탈초점 값을 가진 암시야상 TEM 이미지들. 5
Fig. 7. DIH 분석을위해 얻어진 일련의 탈초점 암시야상들 간의 회전과 위치 보정. 5
Fig. 8. Si (220) 회절빔을 이용하여 얻어진 일련의 암시야상 탈초점 이미지로부터 얻어진 (a) p-형 MOSFET 구조의 기하학적 위상 이미지. (b) 위상 이미지의 GPA 분석으로 얻은 x 축 방향의 격자 변형 (εxx) map. (c) y 축으로의 격자변형 (εxx) profile. 6
Fig. 9. (a) DIH 분석법을 이용하여 얻어진 InxGa1-xN/GaN 다층 우물구조 내 In 분포 map. 다중 양자우물 구조에 (b) 수직한 방향, (c) 평행한 방향을 따라 표현된 In 분포 그래프. 7
Fig. 10. (a) InxGa1-xN/GaN/AlxInyGa1-x-yN/GaN 다중 우물구조를 가지는 LED 소자의 고분해능 TEM 이미지. (b) DIH 분석을 이용하여 얻은 [0001] 성장 방향으로 격자변형 map. 7