목차
1. 서론 1
2. SiC 전력반도체 기술 동향 3
2.1. 국내 SiC 반도체 기술 동향 3
2.2. 국외 SiC 반도체 개발 동향 4
2.2.1. SiC 전력용 다이오드 기술 동향 4
2.2.2. SiC 스위치소자 기술개발 동향 5
2.2.3. SiC 파워모듈 기술개발 동향 8
3. 결론 9
참고문헌 9
Fig. 1. 실리콘과 SiC 재료의 반도체로서의 물성 비교. 2
Fig. 2. 실리콘과 와이드밴드갭 반도체 재료의 존슨 성능지수 비교. 2
Fig. 3. 5000V급 SiC-MOSFET와 Si-MOSFET의 비교 모식도. 2
Fig. 4. 국내에서 개발된 600V급 SiC 쇼트키 다이오드 외관 및 전기적 특성. 3
Fig. 5. 미국 Cree사의 SiC 반도체 제품의 가격 변동 추이. 4
Fig. 6. JBS (혹은 MPS) 및 Buried p-n Schottky 다이오드. 5
Fig. 7. SiCED사의 수직형 JFET 구조 및 캐스캐이드 방식의 스위치소자. 5
Fig. 8. 최근 발표된 SiC FET 전력 반도체 소자의 온저항-내전압 그래프. 6
Fig. 9. 미국 Semisouth사의 VJFET을 이용한 하프 브리지 모듈과 전력손실 비교. 6
Fig. 10. SiC 바이폴라트랜지스터 구조. 6
Fig. 11. 수직형 SiC MOSFET 구조 및 온-저항을 결정하는 저항성분. 7
Fig. 12. Cree사의 상용 SiC MOSFET 사진 및 전류-전압특성. 7
Fig. 13. Cree SiC MOSFET 파워 모듈(1200V-100A급 2009년). 8
Fig. 14. 400W PFC 다이오드를 SiC 쇼트키 다이오드로 바꾸었을 경우 전체 시스템 측면에서의 가격 비교. 8