목차
1. 서론 1
2. 탄화규소 (SiC)의 특성 2
3. SiC 단결정 성장 기술 3
3.1. LPE (Liquid Phase Epitaxy)법 4
3.2. HTCVD (High Temperature Chemical Vapor Deposition)법 4
3.3. PVT (Physical Vapor Transport); Sublimation(Modified Lely)법 5
4. SiC 웨이퍼의 응용 및 개발동향 6
5. 결론 8
참고문헌 9
Table 1. 결정다형 SiC의 특성 2
Table 2. SiC 단결정 성장법의 항목별 비교표 4
Fig. 1. SiC 소재의 주요 결정다형들의 온도 안정영역. 1
Fig. 2. SiC 결정다형 적층 모식도. 2
Fig. 3. (A) SiC 물성이 파워디바이스의 성능에 미치는 영향, (B) Si와 SiC의 결정 구조. 3
Fig. 4. SiC 단결정 웨이퍼의 주요 특성기준. 3
Fig. 5. 각 SiC 단결정 성장법의 장단점 비교. 4
Fig. 6. Sumitomo Metal사의 LPE 장치 개략도와 성장된 SiC 단결정. 4
Fig. 7. SiC 단결정 성장을 위한 HTCVD법 개략도. 5
Fig. 8. Sublimation법 개략도 및 성장률 및 결함 형성에 영향을 주는 인자들. 5
Fig. 9. SiC 단결정 성장을 위한 PVT 공정 진행중에 변화되는 온도구배 및 성장속도. 6
Fig. 10. Sublimation 성장 장비를 이용한 실험의 잉곳 사진 및 웨이퍼 사진. 6
Fig. 11. SiC 다이오드 저손실 설명도. 7
Fig. 12. SiC 소자의 응용 분야. 7
Fig. 13. SiC 기판의 응용분야별 시장 전망. 8
Fig. 14. 일본 미쓰비시사에서 SiC 전력소자모듈을 적용한 도쿄 긴자라인의 전동차량. 8