목차
1. 서론 1
2. SiC 벌크 단결정의 각종 결정성장법 1
2.1. 기상성장법 2
2.1.1. 물리적기상수송법 (PVT) 2
2.1.2. 고온 화학기상 증착법 (HTCVD)과 할로겐화 기상증착법 (HCVD) 3
2.1.3. 개량형 PVT 기술 (CF-PVT / M-PVT) 6
2.2. 용액성장법 7
3. 국내 연구동향 9
4. 결론 9
참고문헌 10
Table 1. SiC 단결정 성장방법의 비교 9
Fig. 1. 일반적인 PVT 성장로의 개략도와 온도분포. 2
Fig. 2. PVT 성장공정의 온도와 압력 프로파일. 3
Fig. 3. HTCVD 장치의 구성과 온도구배에 따른 화학적 단계. 3
Fig. 4. (왼쪽) 종자결정에 존재하는 동공결함 (가운데) HTCVD 성장초기에 존재하는 동공결함 (오른쪽) HTCVD법에 의해 종자결정에 존재하던 동공결함 (아래)에서 전환된 core screw dislocation(위). 4
Fig. 5. Denso사에서 발표한 HTCVD로 얻은 SiC 단결정. 5
Fig. 6. (위) M-PVT와 (아래) CF-PVT 장치의 구성과 온도구배. 6
Fig. 7. TSSG 성장로의 구성과 온도구배. 7
Fig. 8. 용액성장법으로 얻은 NSSMC사의 직경 3.75인치급 4H-SiC 단결정. 8
Fig. 9. 한국세라믹기술원의 HTCVD 장치 및 2인치급 6H-SiC 단결정 웨이퍼. 9