목차
1. 서론 1
2. 산화물 TFT 소재 및 공정 2
2.1. 산화물 반도체 소재 2
2.2. LCD용 산화물 TFT 공정 4
3. LCD용 산화물 TFT 소자의 광바이어스 신뢰성 5
3.1. Negative bias illumination stress (NBIS) 안정성 5
3.2. NBIS 안정성 개선을 위한 후처리 기술 8
3.3. NBIS 안정성 개선을 위한 소자 구조 개발 8
4. 결론 및 향후 전망 9
참고문헌 9
Fig. 1. 디스플레이 해상도 및 Frame rate 증가에 따른 요구되는 TFT의 전계 이동도. 2
Fig. 2. 실리콘과 InGaZnO 반도체 재료의 오비탈 구조 비교. 2
Fig. 3. IGZO 시스템에서 In 조성 변화에 따른 TFT 특성 변화. 3
Fig. 4. 삼성 디스플레이가 2010년 FPD에 발표한 IGZO TFT 적용 70 인치 UD급 3D LCD 디스플레이 신제품. 3
Fig. 5. 중국 BOE가 2013년 개발한 IGZO TFT 적용 UHD급 65인치 LCD 신제품. 3
Fig. 6. 최적화된 Zn:In:Sn 비율(40:20:40)로 제작한 IZTO TFT소자 특성. 3
Fig. 7. 바텀 게이트 구조에서 (a) BCE 구조와 (b) ES 구조 비교. 4
Fig. 8. BCE 구조에서 S/D 에칭 데미지에 의한 TFT 특성 열화 및 원인. 4
Fig. 9. IGZO 증착시에 산소 유량 변화에 따른 TFT 소자 의존성. 5
Fig. 10. IGZO 채널 두께 변화에 따른 TFT 문턱전압 의존성. 5
Fig. 11. (a) 액정 디스플레이 단면도, (b) 단위픽셀의 등가 회로 및 (c) 단위 프레임 동안의 timing diagram. 6
Fig. 12. ZnO TFT 소자에 (b) PBIS와 (d) NBIS가 인가되었을 때 열화 특성 비교. 6
Fig. 13. PBIS와 NBIS 조건에서의 에너지 밴드 다이어그램과 전하분포. 6
Fig. 14. (a) SiNx와 (b)SiO₂ 게이트 절연막으로 제작된 IGZO TFT에 NBIS를 인할 때 IV 특성 열화와 에너지 밴드 다이어그램. 7
Fig. 15. (a) 홀 트래핑 모델과 (b) 산소 vacancy 결함의 광전이 모델. 7
Fig. 16. (a) Unpassivated 소자와 (b) Passivated 소자의 광바이어스 신뢰성 비교. 이를 설명하는 (c) photo-desorption 모델과 (d) 에너지 밴드 다이어그램. 7
Fig. 17. 이중 채널 구조의 장점을 나타낸 개념도. 8
Fig. 18. 단채널과 이중채널 산화물 TFT 소자의 (a) PBTS와 (b) NBTS 신뢰성 비교. 9
Fig. 19. 산소 공공 주위에 Sn 원자 배위수 변화에 따른 산소공공 결함의 형성에너지 계산결과. 9