목차
1. 서론 : 기존 디스플레이 소자의 한계 1
2. 산화물 반도체의 필요성 2
3. 산화물 반도체의 연구동향 3
4. 투명전자 소자 4
5. 투명전자소자용 소재의 필요조건 5
6. 투명 산화물 반도체 TFT 소자의 신뢰성 문제 5
7. 결론 6
참고문헌 7
Table 1. 비정질 Si, 다결정 Si 및 산화물 TFT의 특성 비교 3
Fig. 1. 스캔 속도와 해상도에 따른 전자이동도 변화. 1
Fig. 2. FHD (full high-definition)에서 UD (ultra-definition)로의 해상도 변화에 따른 화질 비교. 1
Fig. 3. AMLCD의 구동 속도에 따른 동영상 특성 비교. 2
Fig. 4. 플렉시블 기판 위에 산화물 반도체를 이용한 투명 TFT 소자. Bending 테스트 이후에도 전자이동도가 약 7 ㎠/Vs로 유지. 3
Fig. 5. 2000년부터 2010년까지의 산화물 반도체 TFT 관련 논문의 연간 발표 수. 3
Fig. 6. 산화물 반도체 TFT를 이용한 3.5인치 AMOLED 패널. 4
Fig. 7. 산화물 반도체 TFT를 이용하여 구현한 3.5인치 플렉시블 AMOLED 제품. 4
Fig. 8. Bottom-gate 구조의 IGZO TFT의 전기적 특성과 12.1인치 AMOLED 패널. 4
Fig. 9. 투명 디스플레이 시장의 예상 성장도. 4
Fig. 10. 각종 산화물 반도체의 광학적 특성 (밴드갭과 투과도). 5
Fig. 11. 기존 비정질 Si TFT의 신뢰성 테스트 결과 : (a) bias stress, (b) light stress, 및 (c) bias와 light stress가 동시에 가해졌을 경우. 6
Fig. 12. 산화물 반도체 TFT의 신뢰성 특성 결과 : (a) bias stress, (b) light stress, 및 (c) bias와 light stress가 동시에 가해졌을 경우. 6
Fig. 13. Mo (불투명)과 ITO (투명) 전극을 이용한 IGZO TFT의 소자 구조 및 투명 IGZO TFT의 전기적 특성. 6
Fig. 14. NBIS에 따른 IGZO TFT 소자 특성 변화 : (a) 1,000 nit 이하의 투명 소자, (b) 1,000 nit 이하의 불투명 소자, (c) 1,000 nit 이상의 투명 소자, 및 (d) 1,000 nit 이상의 불투명 소자. 6