목차
1. 서론 1
1.1. LED의 구동원리 및 역사 1
1.2. Mg:GaN의 p형 전기전도도 2
1.3. Mg:GaN의 광학적 특성 2
2. 본론 3
2.1. 계산방법 3
2.2. Mg-H-VN defect들의 배열 4
2.3. Mg-H-VN의 안정성에 대한 열역학적 이해 6
2.4. 동역학적 이해 7
2.5. Electronic density of states (DOS) 9
2.6. 광학적 특성에 대한 이해 10
2.7. 실험적 관찰 10
3. 결론 11
참고문헌 11
Table 1. Mg1에서 Mg2나 Mg3로 변환되는 과정에서 charge 상태에 따라 요구되는 에너지 9
Fig. 1. 상부발광형 LED (왼쪽)와 수직형 LED (오른쪽)의 구조. 1
Fig. 2. 세가지의 서로 다른 Mg-H-VN defect complex들의 구조. 4
Fig. 3. 각각의 defect complex 구조하에서 interstitial H에 의해 변형된 전하밀도. 5
Fig. 4. 세가지 Mg-H-VN defect complex들의 Fermi level에 따른 생성 에너지의 변화. 6
Fig. 5. Mg1에서 Mg2 (위쪽) 나 Mg1에서 Mg3 (아래쪽)으로 interstitial H이 이동해 나가는 과정에서 요구되는 에너지. 8
Fig. 6. 세 가지의 Mg-H-VN defect complex들에 의해 형성된 DOS의 비교. 9
Fig. 7. TD-DFT 계산으로 예측된 가시광선과 자외선 근방 영역에서 세가지의 서로 다른 Mg-H-VN defect complex들이 보이는 광학적 스팩트럼. 10