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Fabrication and characterization of GaN HEMTs with an MOCVD grown Al-rich AlGaN barrier epitaxial structure = 금속유기 화학 기상 증착법으로 성장한 고 알루미늄 조성 질화알루미늄갈륨 배리어 에피택셜 구조를 갖는 질화갈륨 기반 고전자이동도 소자의 제작 및 특성평가
Haechan Lee
학위논문 |
경북대학교 대학원 |
2026.2 |
TM 621.3 -26-2 |
학위논문(석사) |
[서울관] 서고(열람신청 후 1층 대출대) |
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