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Contents

Abstract 9

Chapter 1. Introduction 10

1.1. Organic Materials for Thin Film Transistors 10

1.2. Organic Semiconductor 12

1.3. Transparent Electrode 13

1.4. Optical Measurement 14

Chapter 2. Theory 16

2.1. Optical Coefficient 16

2.2. Optical Response Function 18

2.3. Interband Absorption 20

Chapter 3. Experiments 24

3.1. Sample Preparation 24

3.1.1. Substrate Selection 24

3.1.2. Thermal Evaporation 24

3.1.3. Rapid Thermal Annealing 26

3.2. Terahertz Time-Domain Spectrometer 27

3.3. Grating Spectrophotometer 32

3.4. Spectroscopic Ellipsometer 33

Chapter 4. Results and Discussion 35

4.1. Terahertz Study of NiOx Thin Films(이미지참조) 35

4.1.1. Data Processing 35

4.1.2. Deposition Rate Dependence 37

4.1.3. Annealing Temperature Dependence 39

4.2. UV-Visible Study of NiOx Thin Films(이미지참조) 40

4.2.1. Data Processing 40

4.2.2. Transmittance and Band Gap 41

Chapter 5. Conclusion 43

Bibliography 44

Abstract in Korean 46

List of Tables

Table 1. Preparation parameters for NiOx thin films(이미지참조) 26

List of Figures

Fig. 1.1. Organic thin film transistor-based devices. 10

Fig. 1.2. A schematic structure of an organic thin film transistor (OTFT). 11

Fig. 1.3. The reflection, propagation and transmission of a light beam incident on optical... 14

Fig. 1.4. The optical properties of a material according to the frequency range from FIR to UV 15

Fig. 2.1. Interband optical absorption. 21

Fig. 2.2. Interband transition in solid: (a) direct band gap, (b) indirect band gap. 21

Fig. 2.3. Square of the optical absorption coefficient a versus photon energy for InAs at room... 23

Fig. 3.1. A schematic view of a thermal evaporation system. 25

Fig. 3.2. A schematic diagram of our THz-TDS spectrometer 27

Fig. 3.3. A schematic view of a THz emitter/receiver. 28

Fig. 3.4. The principle of photoconductive sampling 29

Fig. 3.5. Fourier transform of the reference and sample waveforms (amplitude only here). 29

Fig. 3.6. A schematic diagram of the Varian Cary 5G Spectrophotometer. 32

Fig. 3.7. A schematic diagram of the Sopra GES 5 spectroscopic ellipsometer 34

Fig. 4.1. The terahertz transmittance of NiOx thin films grown by thermal evaporation at 0.5 Å/s and...(이미지참조) 38

Fig. 4.2. The frequency-dependent conductivity of NiOx thin films grown by thermal evaporation at...(이미지참조) 38

Fig. 4.3. The visible transmittance of NiOx thin films grown by thermal evaporation at 0.5Å/s...(이미지참조) 41

Fig. 4.4. The squared absorption coefficient of NiOx thin films grown by thermal evaporation...(이미지참조) 42

초록보기

 우리는 실리콘과 유리 위에 열 증착하고 여러 온도에서 식힌 니켈산화박막들의 테라헤르츠와 적외선-가시광선 투과도를 측정했다. Kramers-Kronig 분석을 사용 하지 않고 테라헤르츠 특정 데이터로부터 주파수 의존 전도도를 알 수 있었다. 증착 속도와 식힘 온도의 변화에 의해 스펙트럼의 함수에서 많은 변화들이 잃어났다. 우리는 테라헤르츠 투과율과 전도도가 열 증착된 NiOx 박막과 식힘 효과에 따른 절연체와 도체의 특성 등의 유용한 정보를 우리에게 제공한다는 것을 증명했다. 느린 증착속도는 NiOx 박막을 절연체 성질을 가지게 하는 반면 빠른 증착속도는 도체 성질을 가지게 한다. 도체 성질을 가지는 NiOx 박막은 충분한 식힘에 의해 절연체로 바뀔 수 있다.

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