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표제지
목차
제1장 서론 9
1.1. 연구 배경 9
1.2. 연구 목적 14
1.3. 논문의 구성 16
제2장 이론적 배경 18
2.1. 사파이어 기판 18
2.2. 사파이어 기판 가공 공정 23
2.3. 사파이어 CMP 공정의 재료 제거 메커니즘 28
제3장 공정 변수가 재료 제거 특성에 미치는 영향 34
3.1. 실험 방법 및 내용 34
3.2. 결정면에 따른 재료 제거 특성 41
3.3. 결정면에 따른 마찰 특성 44
제4장 결정면의 특성이 재료 제거 특성에 미치는 영향 48
4.1. 실험 방법 및 내용 48
4.2. 형태학적 특성이 재료 제거 특성에 미치는 영향 53
4.3. 기계적 물성 변화가 재료 제거 특성에 미치는 영향 58
제5장 결론 64
참고문헌 66
ABSTRACT 71
Fig. 1.1. Application of the sapphire 12
Fig. 1.2. Influencing factors of the CMP process 13
Fig. 1.3. Outline of the research in this dissertation 17
Fig. 2.1. Crystal orientations of sapphire 21
Fig. 2.2. Crystal structure of major crystal orientation 22
Fig. 2.3. Sapphire wafering process 25
Fig. 2.4. Lapping equipment(Nano surface SL910-SFCL, NTS) 26
Fig. 2.5. Multi wire saw equipment(FS-6300DW, Oksan) 27
Fig. 2.6. Schematics of CMP process 30
Fig. 2.7. Appearance between the substrate and pad 31
Fig. 2.8. Various types of CMP Pad 32
Fig. 2.9. TEM image of silica particles in slurry 33
Fig. 3.1. Photography for the CMP experiment equipment 36
Fig. 3.2. Pad break-in process 37
Fig. 3.3. Mass-measuring device for weighing of substrate 38
Fig. 3.4. Screen of friction force monitoring system 39
Fig. 3.5. Material removal rate of each crystal orientation... 42
Fig. 3.6. Correlation of material removal rate with each... 43
Fig. 3.7. Friction force of each crystal orientation substrate according to... 46
Fig. 3.8. Correlation of material removal rate with each crystal... 47
Fig. 4.1. AFM equipment 49
Fig. 4.2. Nano-indentation equipment 50
Fig. 4.3. AFM top image according to crystal plane 55
Fig. 4.4. AFM tilt image according to crystal plane 56
Fig. 4.5. Schematic illustration of the Nano-indentation measurement 60
Fig. 4.6. Indentation load-displacement data about sapphire... 61
Fig. 4.7. Hardness of each crystal orientation for bare wafer and... 63
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