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ECR 플라즈마와 습식 식각으로 게이트 리세스한 AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT 소자의 전기적 특성연구 / 이철욱 ; 배인호 ; 최현태 ; 이진희 ; 윤형섭 ; 박병선 ; 박철순 1
Abstract 1
1. 서론 1
2. 실험 2
3. 결과 및 논의 2
3-1. 상호 전달 전도도 측정 2
3-2. 문턱전압 측정 3
3-3. 게이트 누설전류 측정 4
3-4. 드레인 포화전류 측정 4
3-5. 차단 주파수 측정 4
4. 결론 5
참고문헌 5
| 기사명 | 저자명 | 페이지 | 원문 | 목차 |
|---|---|---|---|---|
| 진공증착중합법에 의해 제조된 폴리이미드 박막의 플라즈마 처리에 의한 표면의 변화 | 김형권 外 | pp.340-346 |
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| NVSM 회로설계를 위한 SONOSFET SPICE 파라미터의 최적화 | 김병철 外 | pp.347-352 |
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| IC 몰딩 콤파운드 재료의 파괴 인성치 Ⅱ | 김경섭 ; 신영의 | pp.353-357 |
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| Retrograde Well 형성을 위한 고에너지 이온주입에 대한 연구 | 윤상현 ; 곽계달 | pp.358-364 |
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| ECR 플라즈마와 습식 식각으로 게이트 리세스한 AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT 소자의 전기적 특성연구 | 이철욱 外 | pp.365-370 |
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| 탄소의 원료로 일산화탄소를 사용한 다이아몬드 박막 성장 관찰에 대한 분광 Ellipsometry의 응용 | 홍병유 | pp.371-377 |
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| 용융염 합성법에 의해 제조된 압전 세라믹(PZT)의 미세구조 및 첨가물의 효과 | 이수호 外 | pp.378-383 |
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| 전해질 입자크기에 따른 용융탄산염 연료전지 전해질 지지체의 두께변화에 관한 연구 | 이형근 外 | pp.384-393 |
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| Pb(Y⅔W⅓)O₃-Pb(Zr,Ti)O₃계 세라믹스의 고출력 특성 | 윤석진·Uchino,Kenji | pp.394-399 |
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| 저손실 Ti:LiNbO₃ 광도파로제작 및 BPM 해석 | 김성구 外 | pp.400-406 |
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| 평탄한 통과대역 특성을 갖는 위상배열 WDM 필터의 설계 | 최대필 外 | pp.407-412 |
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| FeCoB계 아몰퍼스 자성박막의 인덕턴스의 주파수의존성 | 신용진 外 | pp.413-417 |
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| 대향타겟스퍼터링에 의한 Co-Cr 박막의 제작 | 김경환 外 | pp.418-422 |
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| 번호 | 참고문헌 | 국회도서관 소장유무 |
|---|---|---|
| 1 | An analytical study of etch and etch-stop reactions for GaAs on AlGaAs in CCl₂F₂ plasma | 미소장 |
| 2 | Selective reactive ion etching in SiCl₄/SiF₄ plasma for gate recess in GaAs/AlGaAs modulation-doped field effect transistors | 미소장 |
| 3 | Reactive Ion Etching oc GaInP, GaAs, and AlGaAs | 미소장 |
| 4 | The tunneling current in |
미소장 |
| 5 | Microwave Plasma Etching | 미소장 |
| 6 | Low-energy ion extended with small dispersion from an electron cycrotron resonance microwave plasma stream | 미소장 |
| 7 | Plasma etching in magnetic multipole microwave discharge | 미소장 |
| 8 | Electron cyclotron resonance microwave discharges for etching and thin-film deposition | 미소장 |
| 9 | Pulse-Doped AlGaAs/InGaAs Pseudomorphic MODFET's | 미소장 |
| 10 | Noise in AlGaAs/InGaAs/GaAs Pseudomorphic HEMTs from 10 Hz to 18 GHz | 미소장 |
| 11 | 0.25㎛ Pseudomorphic HEMTs Processed with Damage-Free Dry-Etch Gate-Recess Technology | 미소장 |
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