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분자선증착기 (Molecular beam epitaxy, MBE)를 이용하여 InP (001) 기판에 자발형성 (Self-assembled) InAs/InAlAs, InAs/InAlGaAs 양자점 (Quantum dots, QDs)을 형성하고 구조 및 광학적 특성을 원자력간현미경(Atomic force microscopy, AFM), 투과전자현미경 (Transmission electron microscopy, TEM), 상온 포토루미네슨스 (Photoluminescence, PL) 실험을 통하여 분석하였다. AFM 측정을 통해 표면 형태를 분석한 결과 InAs 양자구조는 기저물질의 표면상태에 따라 양자대쉬, 비대칭적인 형태를 갖는 양자점, 대칭적인 형태를 갖는 양자점과 같이 다양하게 성장되었다. InAlGaAs 물질을 장벽층으로 하는 InAs 양자점의 평균크기는 폭이 대략 23 nm, 높이가 약 2 nm 이었다. 성장조건을 다양하게 변화시켜 광통신시스템에 중요한 파장중의 하나인 1.55 ㎛ 발광파장을 갖는 InAs 양자점을 형성하였다.

Self-assembled InAs/InAl(Ga)As quantum dots (QDs) were grown on InP substrates by a molecular-beam epiaxy, and their structural and optical properties were investigated by atomic force microscopy (AFM), transmission electron microscopy (TEM), and room-temperature photoluminescence (PL). AFM images indicated that the InAs quantum structures showed various shapes such as quantum dashes, asymmetric and symmetric QDs mainly caused by the initial surface conditions of InAl(Ga)As with the intrinsic phase separation. For the buried InAs QDs in an InAlGaAs matrix, the average lateral size and height of QDs were 23 and 2 nm, respectively. By changing the growth conditions for the QD samples, the emission wavelength of 1.55 ㎛ was obtained, which is one of the wavelength windows for fiber optic communications.

권호기사

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기사명 저자명 페이지 원문 목차
대기압 플라즈마와 응용 엄환섭 pp.117-138

Si(111)4×1-In 표면에의 수소원자 흡착 연구 유상용 ;이근섭 pp.139-144

치환된 알킬 사슬 혼합물의 자기조립 단분자막 구조의 STM 연구 손승배 ;이해성 ;전일철 ;한재량 pp.145-151

Bi의 선택적 흡착으로 유도된 Si(5 5 12) 표면의 재구조변화 조상희 ;서재명 pp.152-161

GaAsN 전도띠 바닥의 대칭성 :공명라만산란연구 성맹제 pp.162-167

질화갈륨 나노 막대 형성을 위한 핵화층의 성장 온도에 따른 물성 연구 이상화 ;최혁민 ;김진교 pp.168-172

탐침형 정보 저장장치에 응용 가능한 강유전체 물질의 특성 연구 최진식 ;김진수 ;황인록 ;변익수 ;김수홍 ;전상호 ;이진호 ;홍사환 ;박배호 pp.173-179

Bi_0.5_Sb_1.5_Te₃/Bi₂Te_2.4_Se_0.6_계 박막형 열전발전 소자의 제작과 작동 특성 김일호 ;장경욱 pp.180-185

양자간섭소자를 위한 InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 분자구조 연구 김진석 ;김은규 ;정원국 pp.186-193

InP 기판에 성장한 자발형성 InAs/InAl(Ga)As 양자점의 구조 및 광학적 특성 김진수 ;이진홍 ;홍성의 ;곽호상 ;최병석 ;오대곤 pp.194-200

AlAs 습식산화와 열처리로 인한 InGaAs 양자점 레이저 구조의 intermixing효과에 관한 공간 분해 광학적 특성 황준석 ;권봉준 ;곽호상 ;최재원 ;조용훈 ;조남기 ;전헌수 ;조운조 ;송진동 ; pp.201-208

광학적 방법으로 측정된 양자우물 안의 InAs 양자점의 에너지 준위 남형도 ;곽호상 ;L. Doyennette ;송진동 ;최원준 ;조운조 ;이정일 ;조용훈 ;F. H. Ju pp.209-215

수소화 처리된 InAs/GaAs 양자점 적외선 수광소자의 전기적 특성 남형도 ;송진동 ;최원준 ;조운조 ;이정일 ;최정우 ;양해석 pp.216-222

MBE로 성장된 In_0.5_Ga_0.5_As/GaAs 양자점 원적외선 수광소자의 수소화 처리가 광학적 특성에 미치는 특이영향 임주영 ;송진동 ;최원준 ;조운조 ;이정일 ;양해석 pp.223-230

참고문헌 (16건) : 자료제공( 네이버학술정보 )

참고문헌 목록에 대한 테이블로 번호, 참고문헌, 국회도서관 소장유무로 구성되어 있습니다.
번호 참고문헌 국회도서관 소장유무
1 G. Park, O. B. Shchekin, D. L. Huffaker, and D. G. Deppe, IEEE Photon. Technol. Lett. 12, 230 (2000) 미소장
2 Electronically controlled high-speed wavelength-tunable femtosecond soliton pulse generation using acoustooptic modulator 네이버 미소장
3 J. S. Kim, J. H. Lee, S. U. Hong, W. S. Han, H.-S. Kwack, and D. K. Oh, Appl. Phys. Lett. 83, 3785 (2003) 미소장
4 J. S. Kim, J. H. Lee, S. U. Hong, H.-S. Kwack, C. W. Lee, and D. K. Oh, IEEE Photon. Tech. Lett. 16, 1607 (2004) 미소장
5 S. Yoon, Y. Moon, T.-W. Lee, E. Yoon, and Y. D. Kim, Appl. Phys. Lett. 74, 2029 (1999) 미소장
6 J. S. Kim, J. H. Lee, S. U. Hong, H.-S. Kwack, C. W. Lee, and D. K. Oh, ETRI J. 26, 475 (2004) 미소장
7 J. S. Kim, J. H. Lee, S. U. Hong, H.-S. Kwack, B. S. Choi, and D. K. Oh, Appl. Phys. Lett. 87, 053102 (2005) 미소장
8 J. S. Kim, J. H. Lee, S. U. Hong, W. S. Han, H.-S. Kwack, C. W. Lee, and D. K. Oh, J. Appl. Phys. 94, 6603 (2003) 미소장
9 L. V. Asryan, M. Grundmann, N. N. Ledentsov, O. Stier, R. A. Suris, and D. Bimberg, J. Appl. Phys. 90, 1666 (2001) 미소장
10 J. Brault, M. Gendry, G. Grenet, G. Hollinger, J. Olivares, B. Salem, T. Benyattou, and G. Bremond, J. Appl. Phys. 92, 506 (2002) 미소장
11 R. Schwertberger, D. Gold, J. P. Reithmaier, and A. Forchel, J. Crystal Growth 251, 248 (2003) 미소장
12 J. S. Kim, J. H. Lee, S. U. Hong, H.-S. Kwack, B. S. Choi, and D. K. Oh, IEEE Photon. Tech. Lett. 18, 595 (2006) 미소장
13 F. Klopf, R. Krebs, A. Wolf, M. Emmerling, J. P. Reithmaier, and A. Forchel, Electron. Lett. 37, 634 (2001) 미소장
14 S. J. Xu, X. C. Wang, S. J. Chua, C. H. Wang, W. J. Fan, J. Jiang, and X. G, Xie, Appl. Phys. Lett. 72, 3335 (1998) 미소장
15 Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982) 미소장
16 J. W. Jang, S. H. Pyun, S. H. Lee, I. C. Lee, W. G. Jeong, R. Stevenson, P. D. Dapkus, N. J. Kim, M. S. Hwang, and D. Lee, Appl. Phys. Lett. 85, 3675 (2004) 미소장

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