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초임계이산화탄소와 공용매의 혼합물을 사용하여 반도체 웨이퍼 기판으로부터 고농도이온주입 포토레지스트(HDIPR)를 제거하였다. 또한 고압 셀 내부에 초음파 장치를 부착하여 웨이퍼 표면에 물리적 힘을 제공함으로서 세정용액의 HDIPR에 대한 스트리핑 성능을 현저히 향상시키고, 제거 시간을 단축시켰다. 공용매의 종류 및 농도, 공정 온도, 압력 변화에 따른 HDIPR 스트리핑 특성을 조사하였으며, 웨이퍼 표면의 제거 전후의 상태 및 성분을 scanning electron microscopy 과 energy dispersive X-ray spectrometer를 이용하여 분석하였다. 10 w/w% 함량의 아세톤 공용매를 이용하여 공정압력 27.6 MPa과 온도 343 K 의 조건에서 3분의 초음파 처리시간을 거쳐 HDIPR을 완전히 제거할 수 있었다.

A high-dose ion-implanted photoresist (HDIPR) was stripped off from the surface of a semiconductor wafer by using a mixture of supercritical carbon dioxide and a co-solvent. The additional ultrasonication improved the stripping efficiency remarkably and thus reduced the stripping time by supplying physical force to the substrate. We investigated the effect of co-solvents, co-solvent concentration, and stripping temperature and pressure on the stripping efficiency. The wafer surfaces before and after stripping were analyzed by scanning electron microscopy and by an energy dispersive X-ray spectrometer. The HDIPR could be stripped off completely in 3 min with 10%(w/w) acetone/scCO2 mixture at 27.6 MPa and 343 K.

권호기사

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초임계이산화탄소 내에서 공용매 및 초음파를 이용한 고농도이온주입 포토레지스트의 제거 김승호 ;임권택 pp.69-74

의료용 산소발생기 제작을 위한 PSA 공정의 개발 최재욱 ;나병기 pp.75-80

대체 세정제의 선정을 위한 세정성 평가방법 연구 신진호 ;이재훈 ;배재흠 ;이민재 ;황인국 pp.81-90

반응성염료를 통한 Cr 함유 금속착염염료의 대체를 위한 연구 박영환 ;김문정 ;이혜정 ;임재호 ;류태수 pp.91-101

반응압출 공정으로 개질된 PLA 나노복합체의 유변학적 및 열적 물성 강경수 ;김봉식 ;신부영 pp.102-108

Polyethylene-Polypropylene 혼합물의 저온 열분해에 의한 액화특성 조성현 ;최홍준 ;나병기 ;이봉희 pp.109-115

전기분해 반응조의 간접산화 효과가 하·폐수 재활용 시스템 설계에 미치는 영향 신춘환 pp.116-121

Fe-베타제올라이트 상에서 아산화질소의 직접분해반응 박정현 ;전성희 ;위엔반과 ;신채호 pp.122-129

마이크로 채널 반응기에서 메탄올의 수증기 개질반응을 통한 수소 제조 이진우 ;전혜정 ;홍성창 pp.130-136

청정생산프로그램 ECOPROFIT의 국내 도입 성과분석 주홍신 ;조병옥 ;박중구 pp.137-145

참고문헌 (10건) : 자료제공( 네이버학술정보 )

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번호 참고문헌 국회도서관 소장유무
1 Hong, H. F., Kim, T. H., and Hong, H. F., “Photoresist Stripper Composition and Exfoliation Method of a Photoresist Using It,” K.R. Patent No. 2006-0121992 (2006). 미소장
2 Oh, G. J., “Method for Cleaning Photoresist Mask Residue,”K.R. Patent No. 2005-0036180 (2005). 미소장
3 Souvik, B., Ramesh, B., Raghavan, S., and Cross, P., “Non-plasma Method of Removing Photoresist from a Substrate,” U.S. Patent No. 2005-255695 (2005). 미소장
4 Souvik, B., Ramesh, B., Masanobu, S., and Sadao, H., “Removal of High Dose Implanted Photoresist Using Non-damaging CO2 Cryoaerosol Method,” Semicon Japan 2005, Dec. 7, Chiba, Japan (2005). 미소장
5 Nagal, N., Imai, T., Tereda, K., Seki, H., Okumura, H., Fujino, H., Yamamoto, T., Nishuyama. I., and Hatta, A., “Stripping of Ion-implanted Photoresist Using Cosolvent Modified Supercretical Carbon Dioxide,” Surf. Interface Anal., 34, 545-551 (2002). 미소장
6 Rothman, L. B., Robey, R. J., Ali, M. K., and Mount, D. J., “Supercritical Fluid Process for Photoresist Stripping,” Sematech Wafer Clean and Surface Preparation Workshop, May 21, Austin, TX (2002). 미소장
7 Danel, A., Millet, C., Perrut, V., Daviot, J., Rignon, M., and Tardif, F., “Photoresist Stripping Using Supercritical CO2- based Process,” Abs. 795, 204th Meeting of the Electrochemical.Society, Oct. 12, Orlando, FL (2003). 미소장
8 Saga, K., Kuniyasu, H., Hattori, T., Korzenski, M.B., Visintin, P.M., and Baum, T.H., “Ion Implanted Photoresist Stripping using Supercritical Carbon Dioxide,” Abs. 787, 208th Meeting of the Electrochemical Society, Oct. 16, Los Angeles, CA (2005). 미소장
9 Kim, S. H., Kim, J. H., and Lim, K. T., “Stripping of High Dose Ion Implanted Photoresist Using Cosolvent and Addtives in Supercretical Carbon Dioxide,” J. Soc. Imag. Sci. Tech., 13, 285-291 (2007). 미소장
10 The effect of ultrasonic agitation on the stripping of photoresist using supercritical CO 2 and co-solvent formulation 네이버 미소장

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