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Transparent conducting oxide (TCO) 박막은 평판 디스플레이 산업에 널리 사용되고 있다. 화학적으로 우수한 투명전도성 indium zinc oxide (IZO) 필름은 현재 널리 사용되고 있는 indium tin oxide (ITO) 필름의 대체 물질로 관심을 끌고 있다. 본 연구에서는 ITO에 비해 낮은 증착 온도에서도 낮은 비저항과 높은 투과율을 가지는 IZO 박막을 전자빔 증착법을 사용하여 polynorbornene (PNB) 기판(Tg = 330 ℃) 위에 증착하는 조건에 대하여 연구하였다. 90 : 10 wt%의 In2O3와 ZnO를 혼합하여 만든 타겟으로 전자빔 증착법을 이용하여 PNB 기판 위에 IZO 박막을 제조하여, 기판온도와 산소도입 속도에 따른 IZO 필름의 전기?광학적 특성을 연구하였다. 그 결과 4 sccm의 O2, 150 ℃의 기판온도, 증착속도 2 Å/sec 및 1000 Å 두께로 증착된 IZO 필름에서 우수한 전기ㆍ광학적 성질인 5.446 × 102 Ω/□ 면저항 및 87.4% 광투과율을 얻을 수 있었다.
Transparent conductive oxide (TCO) films have been widely used in the field of flat panel display industry. Transparent conductive indium zinc oxide (IZO) thin films with excellent chemical stability have attracted much attention as an alternative material for indium tin oxide (ITO) films. In this study, using a In2O3 and ZnO powder mixture with a ratio of 90 : 10 wt% as a target, IZO films were prepared on polynorbornene (PNB) substrates by electron beam evaporation. The effect of substrate temperature and O2 introduction flow rate were investigated in terms of electrical and optical properties of deposited IZO films. The best electrical and optical properties we obtained from this study were sheet resistance value of 5.446 × 102 Ω/□ and optical transmittance of 87.4% at 550 nm at O2 introduction flow rate of 4 sccm, deposition rate of 2 Å/sec, thickness of 1000 Å and substrate temperature of 150 ℃.
Transparent conductive oxide (TCO) films have been widely used in the field of flat panel display industry. Transparent conductive indium zinc oxide (IZO) thin films with excellent chemical stability have attracted much attention as an alternative material for indium tin oxide (ITO) films. In this study, using a In2O3 and ZnO powder mixture with a ratio of 90 : 10 wt% as a target, IZO films were prepared on polynorbornene (PNB) substrates by electron beam evaporation. The effect of substrate temperature and O2 introduction flow rate were investigated in terms of electrical and optical properties of deposited IZO films. The best electrical and optical properties we obtained from this study were sheet resistance value of 5.446 × 102 Ω/□ and optical transmittance of 87.4% at 550 nm at O2 introduction flow rate of 4 sccm, deposition rate of 2 Å/sec, thickness of 1000 Å and substrate temperature of 150 ℃.
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참고문헌 (11건) : 자료제공( 네이버학술정보 )
| 번호 | 참고문헌 | 국회도서관 소장유무 |
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| 1 | A. Kaijou, M. Ohyyama, M. Shibata, and K. Inoue, U. S. Patent 5,972,527 (1999). | 미소장 |
| 2 | S. H. Park, H. M. Kim, B. R. Rhee, and E. Y. Gyo, Jpn. J. Appl. Phys., 42, 1429 (2001). | 미소장 |
| 3 | H. M. Kim, S. K. Jeung, J. S. Ahn, Y. J. Kang, and C. K. Je, Jpn. J. Appl. Phys., 42, 223 (2003). | 미소장 |
| 4 | K. Noda, H. Sato, H. Itaya, and M. Yamada, Jpn. J. Appl. Phys., 42, 217 (2003). | 미소장 |
| 5 | R. K. Jain and R. C. Lind, J. Opt. Soc. Am., 73, 647 (1983). | 미소장 |
| 6 | J.-M. Moon, J.-H. Bae, S.-W. Jeong, N.-J. Park, J.-W. Kang, and H.-K. Kim, J. of KIEEME (Korean), 19, 687 (2006). | 미소장 |
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| 8 | S. Angiolini and M. Avidano, SID 03 DIGEST, 47, 1 (2003). | 미소장 |
| 9 | H. J. Ha, J. S. Cho, and C. H. Park, J. of KIEEME, 8, 699 (1995). | 미소장 |
| 10 | C.-H. Kim, J.-h. Lee, and B.-O. Park, Materials Science Forum, 449-452, 469 (2004). | 미소장 |
| 11 | N. Naghavi, L. Dupont, C. Marcel, C. Maugy, and A. Rougier, Electrochim. Acta, 46, 2007 (2003). | 미소장 |
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