본문 바로가기 주메뉴 바로가기
국회도서관 홈으로 정보검색 소장정보 검색

결과 내 검색

동의어 포함

초록보기

ZnO:Al films were deposited by DC-pulsed magnetron sputtering using a two-step process involving the control of the oxygen pressure. The seed layers were prepared with various Ar to oxygen flow ratios and the bulk layers were deposited under pure Ar. As the oxygen pressure during the deposition of the seed layer increased, the crystallinity and degree of (002) texturing increased. The resistivity gradually decreased with increasing crystallinity from 4.7×10?4 Ω ? cm (no seed) to 3.7×10?4 Ω ? cm (Ar/O2 = 9/1). The etched surface showed a crater-like structure and an abrupt morphology change appeared as the crystallinity was increased. The sample deposited at an Ar/O2 flow ratio of 9/1 showed a very high haze value of 88% at 500 nm, which was explained by the large feature size of the craters, as shown in the AFM image.

ZnO:Al 박막은 산소 압력을 조절한 두 번의 증착 과정을 이용하여, DC 펄스 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 증착되었다. 시드막은 다양한 Ar/O2 압력비에서 증착되었으며, 벌크막은 순수한 Ar가스를 사용하여 증착되었다. 시드막 증착시 산소 압력이 증가함에 따라, 결정성과 (002) 배향성의 정도는 증가했다. 비저항은 시드가 없는 샘플의 경우 4.7×10-4 Ω? cm로부터 Ar/O2 = 9/1 샘플의 경우 3.7×10-4 Ω? cm까지, 결정성의 증가와 함께 점차 감소했다. 에칭된 표면은 분화구 형상의 구조를 보여주었으며, 급격한 형상 변화가 결정성 증가와 함께 나타났다. Ar/O2 = 9/1 조건의 샘플은 500 nm에서 88%의 매우 높은 haze 수치를 보여주었으며, 이는 AFM 이미지에서 보여지는 것처럼 큰 표면 구조 크기에 의해 설명된다.

권호기사

권호기사 목록 테이블로 기사명, 저자명, 페이지, 원문, 기사목차 순으로 되어있습니다.
기사명 저자명 페이지 원문 목차
층상자기조립법을 이용한 나노구조체의 제조와 응용 조진한 pp.81-90

자외선 활성화 원자층 성장 기술을 이용한 상온에서 TiO₂박막의 제조 이병훈 ;성명모 pp.91-95

미세패턴 전사기법을 위한 다양한 몰드 제작법 소개 김주희 ;김연상 pp.96-104

산화물 나노튜브 구조체 제작 방법 및 그 응용 유현준 ;배창득 ;김현철 ;윤영진 ;김명준 ;신현정 pp.105-113

공정가스와 RF 주파수에 따른 웨이퍼 표면 텍스쳐 처리 공정에서 저반사율에 관한 연구 윤명수 ;현덕환 ;진법종 ;최종용 ;김정식 ;강형동 ;이준신 ;권기청 pp.114-120

인공위성용 홀 추력기의 중성기체에 대한 분자동력학 시뮬레이션 송인철 ;배효원 ;박정후 ;이호준 ;이해준 pp.121-127

Enhancement of crystallinity in ZnO:Al films using a two-step process involving the control of the oxygen pressure Taeho Moon ;Wonki Yoon ;Seung-Yoon Lee ;Kwang Sun Ji ;Young-Joo Eo ;Seh-Won Ahn ;Heon-Min Lee pp.128-133

In_0.5_(Ga_1-x_Al_x_)_0.5_P/GaAs 이중 이종접합 구조의 Contactless Electroreflectance에 관한 연구 김정화 ;조현준 ;배인호 pp.134-140

High-k 산화물 박막의 열전도도 측정 김인구 ;오은지 ;김용수 ;김석원 ;박인성 ;이원규 pp.141-147

TCP-CVD법을 활용한 공정변수에 따른 산화막의 제작 김창조 ;최윤 ;신백균 ;박구범 ;신현용 ;이붕주 pp.148-154

상변화 메모리 소자 동작 특성에 미치는 열처리 온도 효과 이승윤 ;박영삼 pp.155-160

참고문헌 (12건) : 자료제공( 네이버학술정보 )

참고문헌 목록에 대한 테이블로 번호, 참고문헌, 국회도서관 소장유무로 구성되어 있습니다.
번호 참고문헌 국회도서관 소장유무
1 T. Moon, G. Y. Hong, H.-C. Lee, E.-A. Moon, B. W. Jeoung, S.-T. Hwang, J. S. Kim, and B.-G. Ryu, Electrochem. Solid-State Lett. 12, J61 (2009). 미소장
2 J. Müller, B. Rech, J. Springer, and M. Vanecek, Solar Energy 77, 917 (2004). 미소장
3 Y. Zhao, S. Miyajima, Y. Ide, A. Yamada, and M. Konagai, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 6417 (2002). 미소장
4 O. Kluth, G. Schöpe, J. Hüpkes, C. Agashe, J. Müller, and B. Rech, Thin Solid Films 442, 80 (2003). 미소장
5 C. Agashe, O. Kluth, J. Hüpkes, U. Zastrow, B. Rech, and M. Wuttig, J. Appl. Phys. 95, 1911 (2004). 미소장
6 T. Onuma, S. F. Chichibu, A. Uedono, Y.-Z. Yoo, T. Chikyow, T. Soda, M. Kawasaki, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 85, 5586 (2004). 미소장
7 W. Guo, A. Allenic, Y. B. Chen, X. Q. Pan, W. Tian, C. Adamo, and D. G. Schlom, Appl. Phys. Lett. 92, 072101 (2008). 미소장
8 Y. Zhang, H. Zheng, J. Su, B. Lin, and Z. Fu, J. Lumin. 124, 252 (2007). 미소장
9 D.-W. Kang, S.-H. Kuk, K.-S. Ji, S.-W. Ahn, and M.-K. Han, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1153, A07-19 (2009). 미소장
10 T. Moon, B. Lee, T.-G. Kim, J. Oh, Y. W. Noh, S. Nam, and B. Park, Appl. Phys. Lett. 86, 182904 (2005). 미소장
11 T. Moon, S.-T. Hwang, D.-R. Jung, D. Son, C. Kim, J. Kim, M. Kang, and B. Park, J. Phys. Chem. C 111, 4164 (2007). 미소장
12 J. Owen, J. Hüpkes, and E. Bunte, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1153, A07-08 (2009). 미소장