권호기사보기
| 기사명 | 저자명 | 페이지 | 원문 | 기사목차 |
|---|
결과 내 검색
동의어 포함
3 차원 패키징을 위해 열가압 공정으로 제조된 Cu-Cu 접합 계면의 접합 특성을 평가하기 위해 4 점 굽힘 실험을 수행하였다. Cu 가 코팅된 Si 웨이퍼 2 장을 350 oC 에서 1 시간 동안 15kN 의 하중으로 접합시킨후, 동일한 온도에서 1 시간동안 어닐닝을 수행하였다. 접합된 웨이퍼를 30 mm x 3 mm 크기로 잘라 시험편을
준비하였다. 시험편의 중심에 깊이 400 μm 의 노치를 가공하였다. 시험기에 광학계를 부착하여 노치에서의 크랙 발생과 계면에서의 크랙 진전을 관찰하였다. 일정한 테스트 속도로 실험을 수행하여, 이에 상응하는 하중을 측정하였다. Cu-Cu 접합 계면 에너지는 10.36 J/m2 으로 측정되었으며, 파괴된 계면을 분석하였다.표면
분석 결과, SiO2 와 Ti 의 계면에서 파괴가 일어났음을 확인하였다.
Four-point bending tests were performed to investigate the interfacial adhesion of Cu-Cu bonding fabricated by thermo-compression process for three dimensional packaging. A pair of Cu-coated Si wafers was bonded under a pressure of 15kN at 350 °C for 1 h, followed by post annealing at 350 °C for 1 h. The bonded wafers were diced into 30 mm × 3 mm pieces for
| 번호 | 참고문헌 | 국회도서관 소장유무 |
|---|---|---|
| 1 | Copper Wafer Bonding ![]() |
미소장 |
| 2 | Ruythooren, W., Beltran, A. and Labie, R., 2007, “Cu-Cu Bonding Alternative to Solder Based Micro- Bumping,” 9th Electronics Packaging Technology Conference, pp. 315~318. | 미소장 |
| 3 | Swinnen, B., Ruythoore, W., De Moor, P., Bogaerts, L., Carbonell, L., De Munck, K., Eyckens, B., Stoukatch, S., Sabuncuoglu Tezcan, D., Tokei, Z., Vaes,J., Van Aelst, J. and Beyne, E., 2006, “ 3D Integrationby Cu-Cu Thermo-Compression Bonding of Extremely Thinned Bulk-Si die Containing 10 um Pitch Through- Si vias,” Electron Devices Meeting, IEDM ’06, IEEE International, pp.1~4 | 미소장 |
| 4 | Tadepalli, R. and Thompson, C. V., 2003, “Quantitative Characterization and Process Optimization of Low- Temperature Bonded Copper Interconnects for 3-D Integrated Circuits,” Interconnect Technology Conference, Proceedings of the IEEE 2003 International, pp. 36~38. | 미소장 |
| 5 | Copper bonded layers analysis and effects of copper surface conditions on bonding quality for three-dimensional integration ![]() |
미소장 |
| 6 | The effect of forming gas anneal on the oxygen content in bonded copper layer ![]() |
미소장 |
| 7 | Effects of patterning on the interface toughness of wafer-level Cu–Cu bonds ![]() |
미소장 |
| 8 | Effect of post-annealing conditions on Cu-Cu wafer bonding characteristics | 소장 |
| 9 | A Test Specimen for Determining the Fracture Resistance of Bimaterial Interfaces ![]() |
미소장 |
| 10 | Scherban, T., Sun, B., Blaine, J., Block, C., Jin, B. and Andideh, E., 2001, “Interfacial Adhesion of Copper-Low k Interconnects,” Interconnect Technology Conference, Proceedings of the IEEE 2001 International, pp.257~259. | 미소장 |
*표시는 필수 입력사항입니다.
| 전화번호 |
|---|
| 기사명 | 저자명 | 페이지 | 원문 | 기사목차 |
|---|
| 번호 | 발행일자 | 권호명 | 제본정보 | 자료실 | 원문 | 신청 페이지 |
|---|
도서위치안내: 정기간행물실(524호) / 서가번호: 국내03
2021년 이전 정기간행물은 온라인 신청(원문 구축 자료는 원문 이용)
우편복사 목록담기를 완료하였습니다.
*표시는 필수 입력사항입니다.
저장 되었습니다.