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ZnO 층과 NiO층을 각각 p, n 층으로 가지는 투명한 p-n 이종접합 (hetero junction)을 졸-겔 및 RF - 스퍼터링 방법으로 각각 제작하여 소자 특성을 분석하였다. 두 방법으로 제작된 p 및 n 층들은 결정성이 없는 비정질 (Amorphous) 박막이었으며, 박막들의 두께는45~55 nm정도의 값을 가지며 전형적인 전류-전압 거동을 보였다. 제작된 소자의 전류-전압 특성을 비교하였으며, 각 소자는 좋은 정류특성을 나타내었으며 문턱전압은 2.1 V, 2.2 V 였고 투명도는 550 nm에서 스퍼터링 소자의 경우 ~75%, 졸-겔 소자의 경우 ~80% 정도였다. 이 결과들은 무기물 금속 산화물로만 이루어진 투명 전자 소자 응용분야로의 적용 가능성을 보여준다.
Transparent p-n heterojunctions composed of p-type NiO and n-type ZnO thin films were fabricated
by using sol-gel and RF-sputtering techniques. The amorphous p-type and n-type layers
showed typical symmetric I-V characteristics, and the thicknesses were 45~55 nm. The p-n heterojunctions
fabricated by using the two different techniques exhibited good rectifying characteristics,
and their threshold voltages were 2.1 V and 2.2 V, respectively. The transmittances of the p-n heterojunctions
were ~75 % in the visible region. These results suggest that all-inorganic metal-oxide
heterojunctions may possibly be applied to transparent electronic devices.번호 | 참고문헌 | 국회도서관 소장유무 |
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