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고감도 적외선 이미지 센서에 적용이 가능한 우수한 TCR(temperature coefficient of resistance) 값을 갖고 적외선

파장영역에서 흡수 특성을 갖는 막 형성을 위해, 본 연구에서는 Silica와 Titanium 분말을 혼합비율을 달리하여 준비한 후

열 기상 증착기를 이용하여 상온에서 게르마늄과 유리 기판 위에 각각 (SiO2)x-(Ti)y 막을 제작하였다. 챔버 내에 위치한 혼

합분말이 담겨진 텅스텐 보트와 기판 간의 거리는 15.5 cm이며, 사용된 SiO2와 Ti 분말의 혼합비율 x : y는 각각 90 : 10,

80 : 20, 70 : 30, 60 : 40이다. (SiO2)x-(Ti)y 막의 전기적 저항은 273~333 K 영역에서 온도 변화에 따라 측정하였으며, TCR 값

은 측정된 막의 저항 값으로부터 계산되었다. 다양한 혼합비율 조건 하에서 형성된 (SiO2)x-(Ti)y 막은 수 kΩ~수백 kΩ의 저

항특성을 보였으며, 이러한 막의 TCR은 ?1.4~?2.6 %K?1의 다양한 값을 나타내었다.

High sensitivity IR image sensors require materials characteristics with temperature coefficient of resistance (TCR)

and IR range absorption. In this study, the metal-dielectric thermo sensitive films (MDTF) based on (SiO2)x-(Ti)y composition

were deposited on substrates of germanium and glass by thermal evaporator. The SiO2 : Ti mixture was made from the

ratio of 9 : 1, 8 : 2, 7 : 3, 6 : 4, respectively. (SiO2)x-(Ti)y mixture powder was loaded on tungsten boat in evaporator and

was 15.5 cm from the substrate. Resistance of (SiO2)x-(Ti)y in the range of 273~333 K were measured as a function of

temperature. Temperature coefficient of resistance (TCR) was calculated by the resistance variation. Under the various

mixture ratios condition, it is possible to obtain SiO2-Ti layers with resistance from units kilo-ohm to hundreds kilo-ohm.

Finally, our results showed that Temperature coefficient of resistance (TCR) of these films varies from ?1.4 to ?2.6 %K?1.

권호기사

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기사명 저자명 페이지 원문 목차
Characterization of dark core and blue patch in Mong Hsu ruby P. Maneeratanasarn ,P. Wathanakul ,Y.C. Kim ,H.M. Choi ,K.B. Shim pp.55-59

고감도 적외선 이미지 센서 적용을 위한 금속-유전체 복합 박막의 광전자 특성 김예나 ,권순우 ,박승준 ,김우경 ,이한영 ,윤대호 ,양우석 pp.60-64

RF magnetron sputter의 분위기에 따른 TiO₂박막의 특성 박주훈 ,김봉수 ,김병훈 pp.65-69

다공성 (Ca,Mg)_0.15_Zr_0.7_O_1.7_ 세라믹스의 제조 및 특성 김복희 ,김상희 ,최은실 pp.70-74

수열합성법에 의해 합성된 수산화아파타이트 결정의 입자 형상에 관한 EDTA의 영향 최봉석 ,김동현 ,김태완 ,박홍채 ,윤석영 pp.75-81

프리웨팅된 인공경량골재의 흡수 특성 김유택 ,장창섭 ,류유광 pp.82-86

폐도자기를 활용한 도자기 유약 개발 이제일 ,이병하 pp.87-91

저회의 계면 화학적 특성 규명 이기강 pp.92-97

참고문헌 (14건) : 자료제공( 네이버학술정보 )

참고문헌 목록에 대한 테이블로 번호, 참고문헌, 국회도서관 소장유무로 구성되어 있습니다.
번호 참고문헌 국회도서관 소장유무
1 1 ] J.M. Lloyd, “Themal Imaging Systems”, Plenum Press, New York (1975). 미소장
2 2 ] J.L. Miller, “Principles of Infrared Technology”, Van Nostrum Reinhold, New York (1994). 미소장
3 3 ] R.S. Balcerak, “Uncooled IR imaging: technology for the next generation”, Infrared Technol. Appl. XXV, SPIE 3698 (1999) 110. 미소장
4 4 ] P.G. Datskos, N.V. Lavrik and S. Rajic, “Performance of uncooled microcantilever thermal detectors”, Rev. Sci. Instrum 75 (2004) 1134. 미소장
5 5 ] S.R. Hunter, G. Maurer, L. Jiang and G. Simelgor, “Highsensitivity uncooled microcantilever infrared imaging arrays”, Proc. SPIE, 6206 (2006) 620 61J-1-620 61J-11. 미소장
6 Uncooled infrared imaging using bimaterial microcantilever arrays 네이버 미소장
7 Features of the operation of a bolometer based on a vanadium dioxide film in a temperature interval that includes a phase transition 네이버 미소장
8 Linear uncooled microbolometer array based on VO x thin films 네이버 미소장
9 Thin-film resistance bolometer IR detectors—II 네이버 미소장
10 K.C. Liddiard, M.H. Unewisse and O. Reinhold, “Design and fabrication of thin film monolithic uncooled infrared detector arrays”, SPIE, 2225 (1994) 62. 미소장
11 E.V. Michailovskaya, I.Z. Indutnyy and P.E. Shepeliavyi, “Inhomogeneous SiOx metal-dielectric films as a material for infrared thermal radiation detectors”, Technical Physics 48(2) (2003) 261. 미소장
12 K. Haga and H. Watanabe, “A structural interpretation of Si---O---Si vibrational absorption of high-photoconductive amorphous a-SiOx : H films”, 195(1-2) (1996) 72. 미소장
13 J.D. Vinent, “Fundamentals of infrared detector operation and testing”, Wiley (1990). 미소장
14 Structure and electrical properties of Au-SiO thin film cermets 네이버 미소장

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