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본 논문은 고휘도 발광소자의 특성을 높이기 위한 p-GaN 박의 홀농도 향상을 연구하였다. 우리는 metal organic chemical vapor deposition 법을 이용하여 Antimony (Sb)가 p-GaN의 홀농도 향상에 도움을 주는 것을 확인하였다. Atomic force microscope 측정을 통해 Sb가 계면활성제처럼 역할을 함으로써 p-GaN의 2차원 성장이 촉진됨을 알 수 있었다. 또한 X-ray diffraction 결과 [002] 면과 [102] 면의 반폭치가 Sb 도핑과 함께 줄어드는 것을 통해 Edge과 Screw 전위의 감소와 photoluminescence 결과에서 450∼500 nm 청색 파장 영역에서 발광의 세기가 현저히 줄어드는 것으로 보아 질소 공극이 감소되는 것이 홀농도 향상의 주된 원임임을 알 수 있었다. Trimethylantimony가 10 μmol/min일 때 홀농도는 최대가 되었고 그때 홀농도는 5.4×10^(17) cm^(-3)이었다.

The role and effect of Sb surfactant on structure and properties of p type gallium nitride (GaN) epilayers have been investigated. It was found that there was a increase of hole concentration with Sb surfactant, compared to typical Mg-doped p-GaN. The structural and optical quality of p-GaN epilayers were accessed by x-ray diffraction, photoluminescence and atomic force microscope measurements. The results clearly show that the increase in hole concentration with Sb surfactant can be resulted from decrease in the dislocations and nitrogen point defects.

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기사명 저자명 페이지 원문 목차
크라이오 펌프 냉동기 냉각용량 측정방안 인상렬 ,조희승 ,정승호 pp.243-251

단결정 그라핀 위에서의 퓨란의 고리모양 형성 김기정 ,양세나 ,박영찬 ,이한구 ,김봉수 ,이한길 pp.252-257

대기압 산소 방전에 관한 공간 평균 모델 시뮬레이션 황석원 ,이호준 ,이해준 pp.258-265

Stress-Strain curve를 이용한 W-C-N 확산방지막 물성 특성 연구 반도체 및 박막 이규영, 김수인, 박상재, 이동관, 정용록, 정준, 이종림, 이창우 pp.266-270

Sb 계면활성제에 의한 p-GaN 박막의 홀농도 향상 반도체 및 박막 김자연, 박성주, 문영부, 권민기 pp.271-275

인공 근육에 응용 가능한 전기변형 불화 고분자 박막의 제작 김성진 pp.276-279

열전소자를 이용한 발광다이오드의 발열 온도 제어 한상호 ,김윤중 ,김정현 ,김동준 ,정종윤 ,김성인 ,조광섭 pp.280-287
1×1 ㎟ 대면적 녹색 LED의 전기 광학적 특성 분석 장이운 ,조동섭 ,전주원 ,안태영 ,박민주 ,안병준 ,송정훈 ,곽준섭 ,김진수 ,이인환 ,안행근 pp.288-293

마이크로웨이브 조사를 이용한 반도체성 단일벽 탄소나노튜브의 선택적 분리 김성환 ,송우석 ,김유석 ,김수연 ,박종윤 pp.294-299

광화학적 반응을 이용한 편극 패턴된 강유전체 표면에 금속 나노입자의 증착에 관한 연구 박영식 ,김정훈 ,양우철 pp.300-306

직류 전류 이용 종양세포치료의 특성 연구 양태건 ,김재홍 pp.307-312

참고문헌 (13건) : 자료제공( 네이버학술정보 )

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번호 참고문헌 국회도서관 소장유무
1 R. M. Fletcher, Opt. Photonics News 10, 19 (1999). 미소장
2 E. F. Schubert and J. K. Kim, Science 308, 1274 (2005). 미소장
3 I. L. Sugiura, M. Suzuki, J. Nishio, K. Itaya, Y. Kokubun, and M. Ishikawa, Jpn. J. Appl .Phys. Part137, 3878 (1998). 미소장
4 W. Götz, N. M. Johnson, J. Walker, D. P. Bour, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 67, 2666 (1995). 미소장
5 J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 75, 4452 (1995). 미소장
6 S. Yamaguchi, Y. Iwamura, Y. Watanabe, M. Kodaki, Y. Yukawa, S. Nitta, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Stat. Sol. (a) 192. 453 (2002). 미소장
7 F. C. Chang, K. C. Shen, H. M. Chung, M. C. Lee, W. H. Chen, and W. K. Chen, Chinese J. Phys. 40, 637 (2002). 미소장
8 I. Markov, Phys. Rev. B 53, 4148 (1996). 미소장
9 I. Markov, Phys. Rev. B 50, 11271 (1994). 미소장
10 S. W. Jun, C. M. Fetzer, R. T. Lee, J. K. Shurtleff, and G. B. Northrup, J. Neugebauer, Phy. Rev. B 60, R8473 (1999). 미소장
11 L. Zhang, H. F. Tang, J. Schieke, M. Mavrikakis, and T. F. Kuech, J. Appl. Phys. 92, 2034 (2002). 미소장
12 A. A. Gokhale, T. F. Kuech, and M. Mavrikakis, J. Cryst. Growth 285, 146 (2005). 미소장
13 S. W. Kim, J. M. Lee, C. Huh, N. M. Park, H. S. Kim, I. H. Lee, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 76, 3079 (2000). 미소장

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