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본 논문에서는 p-type LTPS TFT들에 대한 positive bias stress (PBS) 조건하에 야기된 비이상적인 hump 현상에 대해 분석하였다. 열악한 전기적 특성을 갖는 소자에서 더 큰 hump 현상 또한 나타났으며, 이 hump 현상의 원인은 게이트 절연체의 폭 방향의 가장자리에서 트랩된 전자들에 의해 기생채널이 형성되는 것으로 설명될 수 있다. Low-high frequency capacitance 방법과 Levinson-proano 방법으로 추출된 interface trap density(D_(it))와 grain boundary trap density (N_(trap))는 더 큰 hump 특성을 갖는 소자들에서 더 많은 trap density를 갖는 다는 사실을 확인할 수 있었다. 그리고 C-V 와 I-V 전송 특성들로부터, hump를 야기하는 트랩된 전자들은 S/D과 gate가 중첩된 영역에서 특히 생성되는 것으로 드러났다. 이러한 분석을 바탕으로, p-type LTPS TFT의 PBS에서 나타나는 비 이상적인 hump 현상의 주요 원인은 S/D과 gate가 중첩된 영역으로부터 형성된 GIDL에 의해 생성된 전자가 얇게 형성된 게이트 절연체의 채널 가장자리 부분에 트랩되는 것으로 설명될 수 있다. 그리고 이러한 결과는 hump의 크기가 평균 트랩 밀도에 의존한 다는 사실에 의해 지지될 수 있다.

In this paper, we investigated an anomalous hump phenomenon under the positive bias stress in p-type LTPS TFTs. The devices with inferior electrical performance also show larger hump phenomenon. which can be explained by the sub-channel induced from trapped electrons under thinner gate oxide region. We can confirm that the devices with larger hump have larger interface trap density (D_(it)) and grain boundary trap density (N_(trap)) extracted by low-high frequency capacitance method and Levinson-Proano method, respectively. From the C-V with I-V transfer characteristics, the trapped electrons causing hump seem to be generated particularly from the S/D and gate overlapped region.

Based on these analysis, the major cause of an anomalous hump phenomenon under the positive bias stress in p-type poly-Si TFTs is explained by the GIDL occurring in the S/D and gate overlapped region and the traps existing in the channel edge region where the gate oxide becomes thinner, which can be inferred by the fact that the magnitude of the hump is dependent on the average trap densities.

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기사명 저자명 페이지 원문 목차
Cr-SrTiO₃박막을 이용한 Si 기반 1D 형태 저항 변화 메모리의 전류-전압 특성 고찰 송민영, 서유정, 김연수, 김희동, 안호명, 김태근 pp.855-858

유한요소법을 이용한 고온용 초음파 유량센서의 설계 및 평가 이주희, 김창일, 백종후, 조정호, 정영훈, 이영진, 남산 pp.859-864

주파수 가변용 외팔보형 압전발전기의 발전특성 정성수, 박충효, 강신출, 김종욱, 임정훈, 김명호, 박태곤 pp.865-869

(Na,K)NbO₃계 무연 압전체에서 Cu₂O 첨가물의 농도 변화에 따른 미세구조 및 전기적 특성 평가 이윤기, 류성림, 권순용 pp.870-875

Bi계 ZnO 칩 바리스터의 저온소결과 전기적 특성 홍연우, 신효순, 여동훈, 김진호 pp.876-881

ZnO-Bi₂O₃-Co₃O₄바리스터의 전기적 특성 홍연우, 신효순, 여동훈, 김진호 pp.882-889

실리콘 고무의 부분방전 특성에 관한 연구 이성일, 권영천 pp.890-894

솔-젤법으로 제작한 BFO/PZT 박막의 용매에 따른 구조적, 전기적 특성 조창현, 이주 pp.895-899

저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 비정상적인 Hump 현상 분석 김유미, 정광석, 윤호진, 양승동, 이상율, 이희덕, 이가원 pp.900-904

평판 유리로 봉인된 다층 무기 박막을 갖는 OLED 봉지 방법 박민경, 주성후, 양재웅, 백경갑 pp.905-910

불소계열 플라즈마 처리를 통한 수직형 UV LED용 ITO/Al 기반 반사전극의 전기적/광학적 특성 최적화 신기섭, 김동윤, 김태근 pp.911-914

대전입자형 디스플레이에 있어서 입자뭉침의 분석 및 구동특성 개선에 관한 연구 김영조 pp.915-919

공기 중 대기압 분위기에서 ZnS의 산화에 의해 생성된 벨트형상과 빗 형상의 ZnO 결정 이근형 pp.920-924

알루미나 기판에 스크린 프린팅된 Ag(Ta,Nb)O₃후막의 유전특성 및 초고주파 특성에 대한 연구 이규탁, 고중혁 pp.925-928

염료감응 태양전지용 루테늄 금속착체 염료의 이산화티타늄 전극에 대한 동적 흡착 연구 안병관 pp.929-934

참고문헌 (16건) : 자료제공( 네이버학술정보 )

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번호 참고문헌 국회도서관 소장유무
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