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이 논문에서는 하프늄을 기반으로한 Al₂O₃-HfO₂-Al₂O₃ (AHA) 와 SiO₂-HfO₂-SiO₂ (SHS)의 샌드위치 구조 MIM 캐패시터의 DC, AC 전압 스트레스에 따른 신뢰성을 분석하였다. 두 MIM 캐패시터 모두 높은 정전용량 밀도(8.1 fF/μm2 and 5.2 fF/μm2)를 가지고 낮은 누설전류 밀도를 가진다. 유전체 내의 charge trapping효과에 의해 정전용량은 증가하고 생성된 trap에 의해 캐리어의 이동도는 감소하게 된다. DC 전압 스트레스를 인가하는 경우가 AC 전압스트레스를 인가하는 경우에 비해 정전용량(ΔC/C0)과 전압안정성(α/α0)의 큰 변화를 나타낸다.

In this paper, reliability of the two sandwiched MIM capacitors of Al₂O₃-HfO₂-Al₂O₃ (AHA)

and SiO₂-HfO₂-SiO₂ (SHS) with hafnium-based dielectrics was analyzed using two kinds of voltage

stress; DC and AC voltage stresses. Two MIM capacitors have high capacitance density (8.1 fF/μm2 and

5.2 fF/μ㎡) over the entire frequency range and low leakage current density of ∼1 nA/㎠ at room

temperature and 1 V. The charge trapping in the dielectric shows that the relative variation of

capacitance (ΔC/C_0) increases and the variation of voltage linearity (α/α_0) gradually decreases with

stress-time under two types of voltage stress. It is also shown that DC voltage stress induced greater

variation of capacitance density and voltage linearity than AC voltage stress.

권호기사

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기사명 저자명 페이지 원문 목차
SF_6_/Ar 유도결합플라즈마를 이용한 ZnO 박막의 식각 특성에 관한 연구 강성칠, 이윤찬, 이진수, 권광호 pp.935-938

Al₂O₃-HfO₂-Al₂O₃와 SiO₂-HfO₂-SiO₂샌드위치 구조 MIM 캐패시터의 DC, AC Stress에 따른 특성 분석 곽호영, 권혁민, 권성규, 장재형, 이환희, 이성재, 고성용, 이원묵, 이희덕 pp.939-943

Plasma Nitrided Oxide와 Thermally Nitrided Oxide를 적용한 NMOSFET의 Flicker Noise와 신뢰성에 대한 비교 분석 이환희, 권혁민, 권성규, 장재형, 곽호영, 이성재, 고성용, 이원묵, 이희덕 pp.944-948

신뢰성 평가를 위한 자동차 전장 부품의 기계적 접합강도 특성 및 오차범위에 관한 연구 전유재, 김도석, 신영의 pp.949-954

Ba(Zn_1/3_Ta_2/3_)O₃ 마이크로파 유전체에서 ZrO₂와 NiO의 비화학양론적 첨가 남경덕, 강성우, 김태희, 심수만, 최선희, 김주선 pp.955-961

Mn₃O₄함량에 따른 ZnO의 결함과 입계 특성 홍연우, 신효순, 여동훈, 김진호 pp.962-968

소결온도와 Sb/Bi 비가 ZnO-Bi₂O₃-Sb₂O₃-Co₃O₄ 바리스터의 미세구조와 입계 특성에 미치는 영향 홍연우, 신효순, 여동훈, 김진호 pp.969-976

중량변화에 의한 폴리에스터 레이온 부직포의 정전기 대전 완화특성 이성일, 박용순 pp.977-981

PRAM을 위한 Ge-Se-Te 박막의 상변환 특성 신재호, 김병철, 여종빈, 이현용 pp.982-987

두 가지 타입의 CuPC FET 전극 구조에서의 전기적 특성 이원재, 이호식 pp.988-991

산소 플라즈마 처리 후 ZnO 박막에 대한 PL 연구 조재원, 이석주 pp.992-995

기중 부싱모델의 오염물질에 따른 방전 특성과 자외선 이미지 방만식, 최재형, 김우진, 김영석, 김상현 pp.996-1001

나노스피어 리소그라피를 이용한 OLED 광추출 효율의 향상 한광민, 여종빈, 이현용 pp.1002-1009

선택도핑에 도금법으로 Ni/Cu 전극을 형성한 태양전지에 관한 연구 권혁용, 이재두, 이해석, 이수홍 pp.1010-1017

공기 조화를 위한 자외선 C 살균기의 개발 및 평가 윤중현, 선기주, 천민우 pp.1018-1022

참고문헌 (13건) : 자료제공( 네이버학술정보 )

참고문헌 목록에 대한 테이블로 번호, 참고문헌, 국회도서관 소장유무로 구성되어 있습니다.
번호 참고문헌 국회도서관 소장유무
1 S. J. Kim, B. J. Cho, M. F. Li, X. Yu, C. Zhu, A. Chin, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 24, 387 (2002). 미소장
2 C. T. Black, K. W. Guarini, Y. Zhang, H. Kim, J. Benedict, E. Sikorski, I. V. Banich, and K. R. Milkove, IEEE Electron Device Lett., 25, 622 (2004). 미소장
3 H. Hu, C. Zhu, Y. F. Lu, Y. H. Wu, T. Liew, M. F. Li, B. J. Cho, W. K. Choi, and N. Yakovlev, J. Appl. Phys., 94, 551 (2003). 미소장
4 T. Remmel, P. Ramprasad, and J. Walls, Proc. Int. Rel. Phys. Symp., 277 (2003). 미소장
5 X. Yu, C. Zhu, H. Hu, A. Chin, M. F. fi, H. J. Cho, D. L. Kwong, P. D. Foo, and M. B. Yu, IEEE Electron Device Lett., 24, 63 (2003). 미소장
6 T. H. Pemg, C. H. Chien, C. W. Chen, P. Lehnen, and C. Y. Chang, Thin Solid Films, 515, 526 (2006). 미소장
7 S. B. Chen, C. H. Lai, Albert Chin, J. C. Hsieh, and J. Liu, IEEE Electron Device Lett., 23, 185 (2002). 미소장
8 H. M. Kwon, I. S. Han, S. U. Park, J. D. Bok, Y. J. Jung, H. S. Shin, C. Y. Kang, B. H. Lee, R. Jammy, G. W. Lee, and H. D. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., 50, 04DD02-1 (2011). 미소장
9 M. Y. Yang, D. S. Yu, and A. Chin, Electrochem. Solid State Lett., 151, F162 (2004) 미소장
10 H. Hu, C. Zhu, Y. F. Lu, M. F. Li, M. F. Fi. B. J. Cho, and W. K. Choi, IEEE Electron Device Lett., 23, 514 (2002). 미소장
11 S. U. Park, H. K. Kwon, I. S. Han, Y. J. Jung, H. Y. Kwak, W. I. Choi, M. L. Ha, J. I. Lee, C. Y. Kang, B. H. Lee. R. Jammy, and H. D. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., 50, 10PB06 (2011). 미소장
12 S. H. Wu, C. K. Deng, T. H. Hou, and B. S. Chiou, Jpn. J. Appl. Phys., 49, 04DB16 (2010). 미소장
13 K. C. Chinag, C. H. Cheng, K. Y. Jhou, H. C. Pan, C. N. Hsiao, C. P. Chou, S. P. MeAlister, and H. L. Hwang, IEEE Electron Device Lett., 28, 694 (2007). 미소장

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