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일반적으로 mesa 구조의 발광다이오드 제작은 MOCVD법으로 수행되고 있다. 특히 개개의 발광다이오드 칩을 식각하고 분리하기 위해서 발광다이오드는 반응성이온식각(RIE)공정과 절단(scribing) 공정을 거치게 된다. 플라즈마를 이용한 건식식각공정인 RIE 공정은 결함, 전위, 표면의 댕글링 본드 형성과 같은 몇 가지 문제점을 유발하고, 이러한 이유로 인해 소자 특성을 저하시킨다. 선택영역성장법은 사파이어 기판 위에 고품질의 GaN 에피층을 성장시키는 방법으로써 주목받고 있다. 본 논문에서는 고품질의 막을 제작하고 공정을 간소화하기 위해서 선택영역성장법을 도입하였고, 기존의 발광다이오드 특성에 영향을 주지 않는 선택영역의 크기를 규정하고자 한다. 실험에 사용된 원형의 선택성장영역의 직경크기는 2500, 1000, 350, 200 μm이고, 선택성장 된 발광다이오드의 소자 특성을 얻고자 SEM, EL, I-V 측정을 시행하였다. 주된 발광파장의 위치는 직경크기 2500, 1000, 350, 200 μm에서 각각 485, 480, 450, 445 nm로 측정되었다. 직경 350, 200 μm에서는 불규칙한 표면과 기존 발광다이오드보다 높은 저항 값을 얻을 수 있었지만, 직경 2500, 1000 μm에서는 평탄한 표면과 앞서 말한 350, 200 μm의 특성보다 우수한 전류-전압 특성을 얻을 수 있었다. 이러한 결과들로 기존 발광다이오드의 특성에 영향을 주지 않는 적당한 선택성장 직경크기는 1000 μm 이상임을 확인하였다.

In general, the fabrications of the LEDs with mesa structure are performed grown by MOCVD method. In order to etch and separate each chips, the LEDs are passed the RIE and scribing processes. The RIE process using plasma dry etching occur some problems such as defects, dislocations and the formation of dangling bond in surface result in decline of device characteristic. The SAG method has attracted considerable interest for the growth of high quality GaN epi layer on the sapphire substrate. In this paper, the SAG method was introduced for simplification and fabrication of the high quality epi layer. And we report that the size of selective area do not affect the characteristics of original LED. The diameter of SAG circle patterns were choose as 2500, 1000, 350, and 200 μm. The SAG-LEDs were measured to obtain the device characteristics using by SEM, EL and I-V. The main emission peaks of 2500, 1000, 350, and 200 μm were 485, 480, 450, and 445 nm respectively. The chips of 350, 200 μm diameter were observed non-uniform surface and resistance was higher than original LED, however, the chips of 2500, 1000 μm diameter had uniform surface and current-voltage characteristics were better than small sizes. Therefore, we suggest that the suitable diameter which do not affect the characteristic of original LED is more than 1000 μm.

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Growth of O- and Zn-polar ZnO films by DC magnetron sputtering Jinyeop Yoo, Sungkuk Choi, Soohoon Jung, Youngji Cho, Sangtae Lee, Gyungsuk Kil, Hyunjae Lee, Takafumi Yao, Jiho Chang pp.1-4

선택성장영역 크기에 따른 InGaN/GaN 다중양자우물 청색 MOCVD-발광다이오드 소자의 특성 배선민, 전헌수, 이강석, 정세교, 윤위일, 김경화, 양민, 이삼녕, 안형수, 김석환 [외] pp.5-10

HVPE에 의해 성장된 AlGaN epi layer의 특성 정세교, 전헌수, 이강석, 배선민, 윤위일, 김경화, 이삼녕, 양민, 안형수, 김석환 [외] pp.11-14

Effect of annealing temperature on amorphous indium zinc oxide thin films prepared by a sol-gel spin-coating method Sang-Hyun Lee, Seung-Yup Lee, Byung-Ok Park pp.15-18

동시 증착 스퍼터링 공정에 의해 증착된 Pd-barium zirconate membrane의 구조분석 변명섭, 강은태, 조우석, 김진호, 황광택 pp.19-24

Synthesis of SnO₂nanowires on one-dimensional carbonization cotton fabric Tran Van Khai, Kwang Bo Shim pp.25-28

Importance of convection during physical vapor transport of Hg₂Cl₂in the presence of Kr under environments of high gravitational accelerations Geug-Tae Kim pp.29-35

감마선 조사된 남양진주의 검지 최현민, 이보현, 김영출 pp.36-41

천연 보석의 광학 현상적 digital patterning과 벽면 조형을 위한 interior modeling으로의 design 전개 김은주 pp.42-50

MA법에 의한 V-Co계 비정질합금의 제조 및 구조분석 이충효 pp.51-56

LAS(β-spodumene)와 Fe₂O₃ 첨가에 따른 Al₂TiO₅의 소결체 특성 연구 김상훈, 강은태, 김응수, 황광택, 조우석 pp.57-63

참고문헌 (16건) : 자료제공( 네이버학술정보 )

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번호 참고문헌 국회도서관 소장유무
1 The effect of junction temperature on the optoelectrical properties of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes 네이버 미소장
2 2 ] H.C. Lee, J.B. Park, J.W. Bae, P.T.T. Thuny, M.C. Yoo and G.Y. Yeom, “Effect of the surface texturing shapes fabricated using dry etching on the extraction efficiency of vertical light-emitting diodes”, Solid-State Electronics 52 (2008) 1193. 미소장
3 Optical joint density of states in InGaN/GaN-based multiple-quantum-well light-emitting diodes 네이버 미소장
4 Violet GaN based light emitting diodes fabricated by metal organics vapour phase epitaxy 네이버 미소장
5 Light-emitting diode development on polar and non-polar GaN substrates 네이버 미소장
6 6 ] R.J. Shul, L. Zhang, A.G. Baca, C.G. Willison, J. Han, S.J. Pearton, F. Ren, J.C. Zolper and L.F. Lester, “Highdensity plasma-induced etch damage of GaN”, Materials Research Society 573 (2000) 271. 미소장
7 Reducing dislocation density in GaN films using a cone-shaped patterned sapphire substrate 네이버 미소장
8 Selective area growth of GaN-based structures by molecular beam epitaxy on micrometer and nanometer size patterns 네이버 미소장
9 9 ] J. Tourret. O. Gourmala, Y. Andre, A. Trassoudaine, E. Gil, D. Castelluci and R. Cadoret, “A complete crystallographic study of GaN epitaxial morphologies in selective area growth by hydride vapour phase epitaxy (SAG-HVPE)”, Journal of Crystal Growth 311 (2009) 1460. 미소장
10 Wafer-scale selective area growth of GaN hexagonal prismatic nanostructures on c-sapphire substrate 네이버 미소장
11 Surface migration and reaction mechanism during selective growth of GaAs and AlAs by metalorganic chemical vapor deposition 네이버 미소장
12 T.S. Oh, K.J. Lee and K.Y. Lim, “Selective area growth and properties of truncated-pyramid InGaN/GaN MQW structure on Si(111) substrate with various filling ratios”, Journal of the Korean Physical Society 49 (2006) S745. 미소장
13 Fabrication and characterization of low defect density GaN using facet-controlled epitaxial lateral overgrowth (FACELO) 네이버 미소장
14 “Blue” temperature-induced shift and band-tail emission in InGaN-based light sources 네이버 미소장
15 Y.H. Cho, G.H. Gainer, A.J. Fisher, J.J. Song, S. Keller, U.K. Mishra and S.P. DenBaars, “S-shaped temperaturedependent emission shift and carrier dynamics in InGaN/GaN multiple quantum wells”, Applied Physics Letter 73 (1998) 1370. 미소장
16 C.H. Qiu, C. Hoggatt, W. Melton, M.W. Leksono and J.I. Pankove, “Study of defect state in GaN films by photoconductivity measurement”, Applied Physics Letter 66 (1995) 2712. 미소장

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