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600×1,200 ㎜ 기판에 대면적 CIGS 광흡수층 증착을 위한 선형증발원 개발을 위해 다른 크기의 노즐과 일정한 노즐 간격을 가지는 선형증발원의 플럭스 밀도를 전산 모사하여 플럭스 균일도 ±5%의 조건을 구하였다. 이를 바탕으로 제작된 선형증발원을 이용하여 Cu, In의 단일막 두께균일도를 확인하였고, CIGS 광흡수층을 동시증발법으로 증착하여 박막의 두께균일도 및 증착 조성의 균일도로 선형증발원을 평가하였다. XRF 조성 분석을 통해 구한 조성불균일도는 600 ㎜ 폭에서 Cu≤5%, In≤7%, Ga≤4%, Se≤3%으로 균일한 조성비로 성막된 것을 확인하였고 SEM 분석을 통해 표면 결정립의 형상을 확인하였다. 또한 XRD측정을 통해 선형증발원 방향의 대면적 CIGS 광흡수층이 칼코피라이트 구조임을 확인하였다. 이를 통해서 개발된 하향 선형증발원이 CIGS 광흡수층 증착에 적합함을 확인하였다.

In this paper, to develop linear source for evaporating 600×1,200 mm size of large area CIGS absorber layer, we simulated linear thermal source and obtained ±5% thickness uniformity with various nozzle sizes and regular nozzle distance. Flux density was confirmed linear source length. Using this linear source, we tested thickness uniformity of Copper, Indium single layer which was obtained Cu ±5% and In ±5% thickness uniformity. And then CIGS absorber layers were evaporated with In-line single-stage co-evaporation. Large area CIGS absorber layers were confirmed composition uniformity of Cu≦5%, In≦7%, Ga≦4%, Se≦3% with 600 mm width by XRF. Uniform shape of CIGS absorber layers was confirmed by SEM. XRD showed peaks which indicate chalcopyrite structure of CIGS absorber layers. Thus, developed linear source is suitable for evaporating CIGS absorber layer.

권호기사

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대면적 CIGS 광흡수층 증착을 위한 선형증발원 개발 서제형, 정승욱, 이원선, 최윤성, 최명운, 최진철, 정광호 pp.1-6

원자층 증착법으로 성장한 ZnO-ZnMgO 양자우물의 광전이 특성 신용호, 김용민 pp.7-12

Al-Ti계 산화물 박막의 조성에 따른 선택적 투과 특성 방기수, 정소운, 임정욱, 이승윤 pp.13-19

후열처리에 따른 스퍼터된 ZnO:Al 박막의 전기적, 광학적 특성 김덕규, 김홍배 pp.20-25

산소 이온 빔에 의한 산화 알루미늄 박막의 식각 효과 및 정전 용량 특성에 관한 연구 조의식, 권상직 pp.26-30

As 이온 주입된 비정질 탄소 박막의 마이크로플라즈마 화학기상증착법에 의한 자동 어닐링 효과에 관한 연구 조의식, 권상직 pp.31-36

InAs/GaAs 양자점 태양전지에서 전하트랩의 영향 한임식, 김종수, 박동우, 김진수, 노삼규 pp.37-44

참고문헌 (9건) : 자료제공( 네이버학술정보 )

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번호 참고문헌 국회도서관 소장유무
1 M. Acciarri, S. Binetti, A. Le Donne, B. Lorenzi, L. Caccamo, L. Miglio, R. Moneta, S. Marchionna, and M. Meschia, Cryst. Res. Technol. 46, 871 (2011). 미소장
2 S. H. Choi, J. J Park, J. O. Yun, Y. H. Hong, and I. S. Kim, J. Korean Vac. Soc. 21, 142 (2012). 미소장
3 S. Aksu, J. Wang, and B. M. Basol, Electrochem. Solid-State Lett. 12, D33 (2009). 미소장
4 C. Y. Su, W. H. Ho, H. C. Lin, C. Yo. Neih, and S. C. Liang, Sol. Energ. Mater. Sol. C. 95, 261 (2011). 미소장
5 J. H. Shi, Z. Q. Li, D. W. Zhang, Q. Q. Liu, Z Sun, and S. M. Huang, Prog. Photovolt: Res. Appl. 19, 160 (2011). 미소장
6 P. Jackson, D. Hariskos, E. Lotter, S. Paetel, R. Wuerz, R. Menner, W. Wischmann, and M. Powalla, Prog. Photovolt: Res. Appl. 19, 894 (2011). 미소장
7 F. Karg, Energy Procedia 15, 275 (2012). 미소장
8 T. Negami, T. Satoh, Y. Hashimoto, S. Nishiwaki, S. Shimakawa, and S. Hayashi, Sol. Energ. Mater. Sol. C. 67, 1 (2001). 미소장
9 L. Holland, Vaccum Depositon of Thin Films (Chapman & Hall Ltd., London, 1961), pp. 141-168. 미소장

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