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본 연구에서는 가스소스 분자선애피택시 방법을 통해 원료공급 비에 따른 성장률 및 결정성의 변화를 관찰하였다. 성장률은 질소과잉 조건에서 주입 조건에 따라 520 nm/h에서 440 nm/h로 변화하였다. 이는 성장면상에 다량의 암모니아 주입에 따라 수소 공급이 증가하며, 이렇게 발생된 수소와 갈륨의 반응에 의하여 성장에 관여하는 갈륨 유효공급량 감소됨으로 나타나는 결과로 판단된다. 질소과잉 조건은 고에너지전자회절(RHEED) 방법으로 확인하였으며, 박막의 결정성과 표면형상은 X선회절(XRD), 광루미너선스(PL) 및 원자력간현미경(AFM)을 통하여 분석하였다.

Growth mechanism of GS-MBE(Gas source-Molecular Beam Epitaxy) has been investigated. We observed that the growth rate of GaN films is changing from 520 nm/h to 440 nm/h by the variation of V/III ratio under nitrogen-rich growth condition. It was explained that the amount of hydrogen on the growth front varies by the ammonia flow, and gallium hydrides are generated on the surface by a reaction of hydrogen and gallium, resultantly the amount of gallium supplying is changing along with the NH3 flow. Reflection high energy electron diffraction (RHEED) observation was used to confirm the N-rich condition. The crystal quality of GaN was estimated by photoluminescence (PL) and X-ray diffraction (XRD).

권호기사

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기사명 저자명 페이지 원문 목차
간접천이대를 갖는 양자우물 구조에서의 Hall 상수 이재철, 전상국 pp.421-424

코팅 두께에 따른 친수성 무기 필름의 특성 분석 정연호, 최원석, 신용탁, 이민지, 김희곤 pp.425-428

고주파 기판용 PTFE 복합체 형성 압력에 따른 유전 특성 최홍제, 전명표, 조용수, 조학래 pp.429-433

Inter-Pillar 진동 모드를 고려한 1-3형 압전복합체의 구조 최적화 표성훈, 김진욱, 노용래 pp.434-440

a-, c-, m-면방향의 4H-SiC 기판에 형성된 ZnO 나노선 가스센서의 300℃에서 CO 가스 감지 특성 정경환, 이정호, 강민석, 구상모 pp.441-445

가스소스 MBE에서 원료공급량이 결정성장 기구에 미치는 영향 최성국, 유진엽, 정수훈, 장원범, 장지호 pp.446-450

청색 발광층에 의한 백색 OLED의 발광 특성 천현동, 나현석, 주성후 pp.451-456

3차원 영상출력을 위한 ELC 렌즈의 기하광학적 해석 방법 및 최적 설계 김봉식, 김건우, 백승조, 박우상 pp.457-461

은 잉크를 이용한 그라비아 오프셋의 전극인쇄에서 닥터링 공정의 영향 최기성, 박진석, 송정근 pp.462-467

TIPS-pentacene의 잉크젯 인쇄공정에서 액적의 수와 기판 온도에 따른 OTFTs의 전계이동도 변화 권동훈, 박진석, 송정근 pp.468-471

탄소블록과 동봉의 접지임피던스 비교 분석 서재석, 박희철, 길경석, 오재근 pp.472-477

APS로 표면 처리한 Fe 나노 입자 촉매를 이용한 CNT의 직경제어 이선우 pp.478-481

폐가공송전선용 Al선재의 신선가공 특성 김상수, 구재관, 이영호, 김병걸 pp.482-487

정전류다이오드를 이용한 COB 타입 LED 광원 및 조명기기 회로 박화진, 유순재, 박종민, 김윤제 pp.488-492

LED 조명 모듈 표면의 방사율 측정에 관한 연구 박진성, 허창수 pp.493-501

참고문헌 (18건) : 자료제공( 네이버학술정보 )

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번호 참고문헌 국회도서관 소장유무
1  T. D. Moustakas and R. J. Molnar, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 281, 253 (1993). 미소장
2  J. C. Zolper and R. J. Shul, MRS Bull., 22, 36 (1997). 미소장
3  M. Mesrine, N. Grandjean, and J. Massies, Appl. Phys. Lett., 72, 350 (1998). 미소장
4  H. Morkoc, A. Botchkarew, A. Salvador, and B. Sverdlov, J. Cryst. Growth, 150, 887 (1995). 미소장
5 Res 네이버 미소장
6  Xiaobing Li, Dianzhao Sun, Jianping Zhang, and Meiying Kong, J. Cryst. Growth, 191, 31 (1998). 미소장
7  N. Grandjean and J. Massies, Appl. Phys. Lett., 71, 1816 (1997). 미소장
8  B. Gil, Group III Nitride Semiconductor Compounds (Clarendon, Oxford, 1998). 미소장
9  T. Yao and S. Maekawz, J. Cryst. Growth, 53, 423 (1981). 미소장
10  D. L .Smith and V. Y. Pickhardt, J. Appl. Phys. Lett., 46, 2366 (1975). 미소장
11  C. T. Foxon and B. A. Joyce, Surf. Sci., 50, 434 (1975). 미소장
12  T. Yao, M. Ogura, S. Matsuoka, and T. Morishita, Jpn. J. Appl. Phys., 22, L144 (1983). 미소장
13  A. Y. Cho, M. B. Panish, and I. Hayashi, Proc. Symp. GaAs and Related Compounds, 2, 18 (1970). 미소장
14  N. Grandjean, M. Leroux, J. Massies, M. Mesrine, and M. Laügt, Jpn. J. Appl. Phys., 38, 618 (1999). 미소장
15 Res 네이버 미소장
16  S. Yu. Karpov, Yu. N. Makarov, M. S. Ramm, and R. A. Talalaev, J. Cryst. Growth, 187, 397 (1998). 미소장
17  R. Held, D. E. Grawford, A. M. Johnsto, A. M. Dabiran, and P. L. Cohen, J. Electron. Mater., 26, 272 (1997). 미소장
18  S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. V. Overstraeten, J. Appl. Phys., 87 (2000). 미소장

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