최근 백색 LED는 각종 조명등의 응용 시스템에 크게 사용되고 있다. 백색 LED 칩을 만들기 위하여 실리콘과 형광체를 배합하여 청색 LED 칩 위에 도포하는 공정이 필요한데, 이때 배합의 오류, 실리콘의 상온 노출 시간의 경과, 청색 칩 특성의 변화 등의 원인으로 버려지는 형광체가 있어 이것이 원가 절감에 악영향을 미치고 있다. 본 연구에서는 버려지는 형광체의 재생공정을 통하여 제조된 LED와 정상형광체의 LED의 특성을 비교하고, 이들을 이용하여 실 응용 제품인 LED 손전등에 적용하여 그 특성의 동일함을 얻었다. 재생과 정상 형광체의 특성에서 광량 저하량 3.2[Cd]와 3.6[Cd], 색감 저하량 57[K]와 58[K]를 보였고, LED의 실제 응용제품에 적용한 결과 최대 백색파장 444.3[nm]와 449.8[nm]를 나타내어 재생형광체의 LED가 정상의 것과 동일한 특성을 보여 원가절감에 큰 기여를 할 것으로 나타났다.
High performance of InGaN LEDs on (111) silicon substrates grown by MOCVD
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Improved GaN-Based LED Light Extraction Efficiencies via Selective MOCVD Using Peripheral Microhole Arrays
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K. Y. Kim, W. K. Ham, “ Technology Trends for radiant heat high power LED lighting system”, KIIEE Spring Conference, May, 2009.
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J. W. Park et all., “Comparison of radiant heat characteristics for Design of LED lighting system”, KIIEE Spring Conf., May, 2009.
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J.W.Park et all,“Development of LED standard product for PAR38 type standardization”, KIIEE Spring Conference, pp.25∼28, OCT., 2008.
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K. H. Kim et all, “Design of LED lighting product using Elevator as possible color temperature control”, KIIEE Spring Conference, pp.71∼76, Nov., 2007.
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S. H. Whang et all, “A study on Optimized radiant heat design for 10W LED lighting system”, KAIS, Vol.11, No.7, pp.2317∼2322, 2010.
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J. S. Kim, J. R. Ryu, "Process Development for Reproduction of derelict Phosphors in the Manufacture of White LED Chip", KIIT, Vol.11, No.5, pp.1∼6, June, 2013.
한국학술지인용색인(NRF)
