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In this study, flexible double-gate thin-film transistor (TFT)-based amorphous indium-galliumzinc-oxide (a-IGZO) was fabricated on a polyimide substrate. Double-gate operation with connected front and back gates was compared with a single-gate operation. As a result, the double-gate a-IGZO TFT exhibited enhanced electrical characteristics as well as improved long-term reliability. Under positive- and negative-bias temperature stress, the threshold voltage shift of the double-gate operation was much smaller than that of the single-gate operation.

권호기사

권호기사 목록 테이블로 기사명, 저자명, 페이지, 원문, 기사목차 순으로 되어있습니다.
기사명 저자명 페이지 원문 목차
Effect of Device Package on Optical, Spectral, and Thermal Properties of InGaN/GaN Near-Ultraviolet Lateral Light-Emitting Diodes Soo Hyun Lee, Xiang-Yu Guan, Soo-Kun Jeon, Jae Su Yu pp.319-324
Effects of P3HT Concentration on the Electrical Properties of the Au/PEDOT:PSS/P3HT/n-GaN Hybrid Junction Structure Ji-yeon Noh, Ha Young Lee, Kyung-won Lim, Hyung Soo Ahn, Sam Nyung Yi, Hunsoo Jeon, Min Jeong Shin, Young Moon Yu, Dong Han Ha pp.349-354
GaN Nanorod Arrays as a High-Stability Field Emitter H.W. Seo, L.W. Tu, M. Chen, Q.Y. Chen, A. Bensaoula, X.M. Wang, W.K. Chu pp.340-344
Graphene-Based Vertical-Junction Diodes and Applications Suk-Ho Choi pp.311-318

Effect of Al Composition and Ⅴ/Ⅲ Ratio of AlGaN on GaN for Distributed Bragg Reflector Woo Seop Jeong, Dae-sik Kim, Junsung Park, Seung Hee Cho, Cheol Kim, Dongjin Byun pp.345-348
Bias Stress Instability of Double-Gate a-IGZO TFTs on Polyimide Substrate Won-Ju Cho, Min-Ju Ahn pp.325-328

Effect of Additives on the Properties of Printed ITO Sensors Jieun Koo, Seok-hwan Lee, Sung-min Cho, Jiho Chang pp.335-339
Characteristics of enhanced-mode AlGaN/GaN MIS HEMTs for millimeter wave applications Jong-Min Lee, Ho-Kyun Ahn, Hyun-Wook Jung, Min Jeong Shin, Jong-Won Lim pp.365-369
Characterization of 0.18-μm Gate Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC Fabricated Using Two-Step Gate Recessing Hyung Sup Yoon, Byoung-Gue Min, Jong Min Lee, Dong Min Kang, Ho Kyun Ahn, Kyu-Jun Cho, Jae-Won Do, Min Jeong Shin, Hyun-Wook Jung, Sung Il Kim, Hae Cheon Kim, Jong Won Lim pp.360-364
Velocity Overshoot Degradation in Short-Channel AlGaAs/GaAs HEMTs due to the Minimum Electron Acceleration Lengths Jaeheon Han pp.355-359
Enhanced Performance of Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors Using Different Metals for Source/Drain Electrodes Ju-Young Pyo, Won-Ju Cho pp.329-334

참고문헌 (25건) : 자료제공( 네이버학술정보 )

참고문헌 목록에 대한 테이블로 번호, 참고문헌, 국회도서관 소장유무로 구성되어 있습니다.
번호 참고문헌 국회도서관 소장유무
1 Y. Chen, J. AU, P. Kazlas, A. Ritenour, H. Gates, and M. McCreary, Nature 423, 136 (2003). 미소장
2 J. S. Park et al., Thin Solid Films 520, 6 (2012). 미소장
3 L. Zhou, A. Wanga, S. Wu, J. Sun, S. Park, and T. N. Jackson, Appl. Phys. Lett. 88, 8 (2006). 미소장
4 C-Y. Lin et al., IEEE Trans. Electron Devices 59, 7(2012). 미소장
5 K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi et al., Nature 432, 7016(2004). 미소장
6 T. Kamiya, K. Nomura, and H. Hosono, Sci. Technol. Adv. Mater. 11, 4 (2010). 미소장
7 G. H. Baek, and J. Kanicki, Journal of the SID 20, 5(2012). 미소장
8 N. Su, S.Wang, and A. Chin, IEEE Electron Device Lett. 30, 13 (2009). 미소장
9 B. F. Hung, K. C. Chiang, C. C. Huang, A. Chin, and S. P. McAlister, IEEE Electron Device Lett. 26, 6 (2005). 미소장
10 M. F. Chang, P. T. Lee, S. P. McAlister, and A. Chin, IEEE Electron Device Lett. 29, 3 (2008). 미소장
11 M. F. Chang, P. T. Lee, S. P. McAlister, and A. Chin, IEEE Electron Device Lett. 30, 2 (2009). 미소장
12 H. Lim et al., Appl Phys Lett. 93, 063505 (2008). 미소장
13 H. Zan, W. Chen, C. Yeh, H. Hsueh, C. Tsai, and H. Meng, Appl Phys Lett. 98, 153506 (2011). 미소장
14 K-S. Son, J-S. Jung, K-H. Lee et al., IEEE Electron Device Lett. 31, 3 (2010). 미소장
15 M. Nag et al., Journal of the SI 23, 9 (2015). 미소장
16 Y. M. Kim, K. S. Jeong, H. J. Yun, S. D. Yang, S. Y. Lee, H. D. Lee, and G. W. Lee, Jpn. J. Appl. Phys. 51, 09MF10 (2012). 미소장
17 B. S. Kim et al., Appl. Phys. Lett. 103, 072110 (2013). 미소장
18 G. H. Baek, L. Bie, K. Abe, H. Kumomi, and J. Kanicki, IEEE Trans. Electron Dev 61, 4 (2014). 미소장
19 W. A. Macdonald, J. Mater. Chem. 14, 1 (2004). 미소장
20 N. M¨unzenrieder et al., IEEE Electron Device Lett. 35, 1 (2014). 미소장
21 F. R. Libsch, and J. Kanicki, Appl. Phys. Lett. 62, 1286(1993). 미소장
22 S. Zafar, A. Callegari, E. Gusev, and M. V. Fischetti, J. Appl. Phys. 93, 9298 (2003). 미소장
23 A. Suresh, and J. F. Muth, Appl. Phys. Lett. 92, 033502(2008). 미소장
24 K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 95, 013502 (2009). 미소장
25 A. Suresh, P. Wellenius, and J. F. Muth, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet (Hilton Washington Washington, DC, USA, December 10 - 12, 2007), p. 587. 미소장

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