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This study focuses on the evaluation of ultra-thin copper foil properties used in the bottom-up copper electroplating process for filling Through Glass Via(TGV) holes. The foils are also applicable for forming high-density Redistribution Layers (RDL) on glass substrates with pre-formed TGVs. To ensure analytical accuracy, multiple complementary characterization methods were employed for surface and interface analysis and for assessing the release layer properties. The investigation covered various physical properties, including surface and cross-sectional morphology, layer structure, thickness, and crystallite size. In particular, detailed analyses were conducted on key layers affecting adhesion strength such as the Cu nodule layer, interfacial layer, adhesion layer, and release layer. Four types of copper foils were characterized using similar procedures. Based on thorough analyses, foil #1 was identified as having a Carrier Cu/Ni/Organic layer/Thin Cu structure; foil #2 exhibited a multilayer structure comprising Carrier Cu/Ni-P/Mo-Fe-Ni/Ni/Thin Cu. foil #3 showed a Carrier Cu/Ni-P (diffusion barrier)/Mo-Fe-Ni (release layer)/Thin Cu/Nodulous Cu structure; and foil #4 was confirmed to have a Carrier Cu/Ni-Mo/Thin Cu/nodule Cu structure. This study is expected to provide fundamental insights into release characteristics through detailed analyses of the carrier copper foil structure, establish cross-analytical methodologies, and suggest design strategies for optimal release performance, thereby supporting the application of ultra-thin foils in TGV technology.

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수계 아연 이온 배터리 양극재 주요 문제점 및 연구 동향 = Key challenges and advancements in cathode materials for rechargeable aqueous Zn-ion batteries 서경태, 김진주, 김태현, 정희원, 김용태 p. 310-322
Physical properties of disordered perovskite Pb(Sc1/2Nb1/2)O3 ferroelectrics Yeon Jung Kim p. 323-329
Neutron shielding and corrosion behaviors of gadolinium oxide-boron carbide composites coating layers prepared by plasma thermal spray Youl Baik, Dong Geon Lee, Jong Jae Lee, Yong Choi p. 330-338
Electrochemical properties of palladium coatings on copper in terms of thickness and phase structure Young-Min Byoun, Sun-Woo Choi p. 339-346
증착 후 진공열처리에 따른 IMO 박막의 전기적, 광학적 특성 연구 = Influence of vacuum annealing on the electrical and optical properties of Mo doped In2O3 thin films 허성보, 김지호, 최진영, 최용진, 구휘근, 정지원, 박형진, 배준서, 김대일 p. 347-351
이단계 합성법으로 제작된 p-형 셀레늄화 텅스텐(WSe2) 트랜지스터의 전기적 및 시냅스 특성 = Electrical and synaptic characteristics of p-type tungsten diselenide transistor by two-step synthetic method 이현지, 정태원, 한상윤, 김동현, 박상희 p. 352-360
SAM 기반 분할 기법을 이용한 침지 금속의 부식 모니터링에 관한 연구 = A study on monitoring metallic corrosion in immersion condition using SAM-based segmentation 김범수, 권재성, 김연원, 양정현 p. 361-370
원자층 식각 공정 진단이 가능한 폴리머 센서 개발 = Development of a polymer sensor for in-situ diagnosis of atomic layer etching 김경남, 양경희, 이준엽, 최진우, 김도훈 p. 371-378
TGV 구리도금을 위한 극박 구리 포일 특성 분석 및 평가 = Evaluation of ultra-thin copper foils characterization for through glass via copper electroplating 허진영 p. 379-389
PF5/C4F8 혼합 가스 기반 저온 SiO2 식각 공정의 플라즈마 화학 및 식각 거동 분석 = Plasma chemistry and etching behavior of low-temperature SiO2 etching using PF5/C4F8 mixed gases 장호준, 김경남 p. 390-397
EV 릴레이용 비시안 은 도금층의 미세조직 안정화와 변색 억제 메커니즘 분석 = Microstructural stabilization and discoloration suppression mechanisms of non-cyanide silver coatings for EV relay applications 서선교 p. 398-403
PVD 공정을 이용한 Titanium-Coated PEEK 표면의 접착 강도 및 내구성 평가 = Evaluation of adhesion strength and fatigue durability of PVD titanium-coated PEEK surfaces with different pre-processing conditions 유경주, 정용훈, 안윤호 p. 404-411
극저온 황산에서 양극산화된 A356 합금의 피막 경도 및 내식성 = Corrosion resistance and hardness of anodized A356 aluminum alloy in sulfuric acid at sub-zero temperature 이수민, 이대희, 나대현, 장경수, 문형석, 이정훈 p. 412-417
전기 영동법을 이용한 바인더 없는 LiFePO4 전극 제조 = Fabrication of LiFePO4 electrodes without a binder by electrophoretic deposition 김광현, 탁용석 p. 418-426
리플로우 접합 조건에 따른 벤조트리아졸 피막의 거동 및 접합 특성 변화 = Behavior of benzotriazole inhibitor and changes in bonding characteristics under reflow soldering conditions 안낙균, 임동혁, 차흥주 p. 427-435

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