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This study investigates the effect of PF5–C4F8 mixed-gas composition on the SiO2 etching characteristics in an inductively coupled plasma (ICP) etching system operated at a low temperature of –30 ℃. The behavior of reactive species in the plasma was analyzed using optical emission spectroscopy (OES), while neutral and ionic species that are difficult to detect with OES were identified using quadrupole mass spectrometry (QMS). The analysis revealed that PF5 generated high-mass PFx ions together with fluorine radicals, inducing physical bombardment on the substrate surface. Meanwhile, C₄F₈ exhibited a high dissociation rate, producing F and CFx radicals that enhanced chemical etching reactions. In addition, increasing the bias power elevated the physical contribution of PFx ions, resulting in a higher overall etch rate. These observations quantitatively demonstrate the etching behavior and plasma chemistry occurring under PF5–C4F8-based low-temperature plasma conditions.

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전기 영동법을 이용한 바인더 없는 LiFePO4 전극 제조 = Fabrication of LiFePO4 electrodes without a binder by electrophoretic deposition 김광현, 탁용석 p. 418-426
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