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목차

표제지=0,1,1

제출문=1,2,2

보고서 초록/김진상=3,4,2

요약문=5,6,2

SUMMARY=7,8,2

CONTENTS=9,10,2

목차=11,12,2

제1장. 연구개발 과제의 개요=13,14,1

제1절. 개 요=13,14,1

제2절. 연구개발의 최종 목표=13,14,2

제3절. 연구개발 쵤요성=14,15,2

제4절. 연구개발 범위=15,16,4

제2장. 국내외 기술개발 현황=19,20,1

제1절. 국내 기술 현황=19,20,1

1. 지금까지의 연구개발 실적=19,20,1

2. 현 기술상태의 취약성=19,20,1

3. 앞으로의 전망=20,21,1

제2절. 국외 기술 현황=20,21,1

1. 지금까지의 연구개발 실적=20,21,1

2. 기술도입 가능성=20,21,1

제3장. 연구개발수행 내용 및 결과=21,22,1

제1절. 중ㆍ원 적외선 동시 검출기 개발=21,22,1

1. 중ㆍ원적외선 검출용 HgCdTe 박막 성장=21,22,1

가. MOVPE 법에 의한 HgCdTe 박막 성장=21,22,5

나. 성장 결과 및 토의=26,27,11

다. HgCdTe 성장 결과 요약=36,37,1

3. 64×2 일차원 중ㆍ원적외선 동시 검출기 제작 공정 개발=37,38,1

가. 중ㆍ원 적외선 동시 검출기용 마스크 설계 및 제작=37,38,1

나. 중ㆍ원 적외선 동시 검출기 제작 공정 개발=37,38,32

제2절 중ㆍ원적외선 동시검출기 제작을 위한 readout 회로 설계 및 제작=69,70,1

1. 64×2 dual band IR detector를 위한 readout 회로 설계 및 제작=69,70,1

가. Readout 회 로의 설 계=69,70,3

나. Readout 회 로의 제작=71,72,2

다. Readout 회 로의 특성 평가=72,73,5

2. Anti-blooming 기능을 갖는 readout 회로의 제작 및 평가=76,77,1

가. 기존설계의 문제 점=76,77,2

나. Anti-bloorung을 위 한 새 로운 신호취 득회 로=77,78,3

3. 열영상 칩의 제작 및 평 가=79,80,1

가. 하이브리드 접합 공정 개 발=79,80,2

나. 하이브리드 접합의 물리적 안정성=80,81,2

다. 하이브리드 접합의 전기적 안정성=82,83,2

제3절 중ㆍ원 적외선 동시 검출기의 감지능 측정을 위한 장치 및 기술 개발=84,85,1

1. 적외선 검출기를 위한 냉각 dewar의 개발=84,85,1

가. 열영상 구현용 dewar의 개발(4차년도 개발 결과)=84,85,6

나. HgCdTe검출소자의 감지능 측정용 dewar의 개발(5차년도 개발 결과)=89,90,6

2. 적외선 감지소자의 감지능 측정 시스템=95,96,3

3. 중ㆍ원 적외선 소자의 감지능 측정 결과=97,98,1

가. 광특성 : Figure of merit=97,98,3

나. 광특성 측정 결과=99,100,2

제4절. 열영상 시스템 개 발=101,102,1

1. ROIC Drive를 위한 Timing 설계=101,102,1

가. ROIC Drive Circuit=101,102,6

나. Address Counter Circuit=106,107,3

2. Pre Amp 와 A／D Converter회로 설계=108,109,1

가. Block Diagram=108,109,2

나. Clock Generator Circuit=109,110,1

다. Pre Amp와 A／D Converter Circuit=110,111,3

라. Dual Port RAM Circuit& PCI Interface=112,113,2

3. 열영상 TEST=113,114,1

가. Layout=113,114,2

나. 열영상 구현=114,115,3

제4장. 목표달성도 및 관련분야에의 기여도=117,118,1

제1절. 연구개발 목표 달성도=117,118,2

제2절. 개발과제의 적응성 및 관련 분야 기여도=118,119,1

1. 연구개발 과제의 적응성=118,119,1

2. 기반기술 확보내용=119,120,1

3. 관련 특허 및 논문 발표 실적=119,120,4

제5장. 연구개발 결과의 활용계획=123,124,2

제6장. 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보=125,126,2

제7장. 참고문헌=127,128,2

영문목차

[title page etc.]=0,1,9

CONTENTS=9,10,4

Chapter1. Outline of the research project=13,14,1

Section1. Introduction=13,14,1

Section2. Research objectives=13,14,2

Section3. Research necessity=14,15,2

Section4. A scope of the research=15,16,4

Chapter2. Current states of related technology=19,20,1

Section1. Current states of domestic technology=19,20,2

Section2. Current states of foreign technology=20,21,1

Chapter3. Research contents and results=21,22,1

Section1. Development of mid and far ifrared detectors=21,22,1

1. The growth HgCdTe for dual band detector=21,22,16

2. Device process of dual band device=37,38,32

Section2. Development of readout circuit for dual band detector=69,70,1

1. Design and fabrication of readout circuit=69,70,8

2. Readout circuit for anti-blooming=76,77,4

3. Signal test of IR device/R01C hybrid chip=79,80,5

Section3. Development of detectivity measuring system=84,85,1

1. Fabrication of cold dewar for IR detector=84,85,11

2. Measuring system for detectivity=95,96,3

3. Measurement of detectivity=97,98,4

Section4. Development of thermal imaging system=101,102,1

1. Design of timing for ROIC driver=101,102,8

2. Design of pre-amplifier and A/D converter=108,109,6

3. Test for thermal image=113,114,4

Chapter4. Achievement rate and contributions to the related fields=117,118,6

Chafter5. Fultre plan for utilizing research results=123,124,2

Chapter6. Iformation of foreign technology during research project=125,126,2

Chapter7. References=127,128,2

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