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목차

표제지=0,1,1

제출문=1,2,2

에너지ㆍ자원기술개발사업 최종보고서 초록=3,4,2

요약문=5,6,2

목차=7,8,2

그림목차=9,10,2

사진목차=11,12,1

표목차=12,13,1

제1장. 서론=13,14,2

제2장. 반도체 습식세정기술=15,16,1

제1절. 반도체 습식 세정공정=15,16,1

1. 세정공정의 중요성=15,16,2

2. 습식 세정공정=16,17,4

제2절 습식 세정공정 문제점 침 대체 세정기술=20,21,1

1. 습식 세정공정의 문제점=20,21,2

2. 대체 세정공정 기술현황=21,22,3

제3장. 오존을 이용한 대체 세정기술=24,25,1

제1절. 오존의 특성=24,25,1

1. 오존의 성질=24,25,2

2. 오존발생방법=26,27,4

3. 무성방전에 의한 오존생성 및 분해반응=30,31,1

4. 무성방전형 오존발생장치 설계요소=31,32,5

제2절. 오존용존순수를 이용한 반도체 세정기술=36,37,1

1. 오존의 분해 메카니즘=36,37,2

2. 오존을 이용한 반도체 세정공정=37,38,5

제4장. 고농도 오존 수 세정공정설비 요소기술 개발=42,43,1

제1절. 고농도 오존발생을 위한 방전관 구조연구=42,43,2

1. 복합방전구조 방전관=43,44,4

2. 수 전극 구조 방전관=47,48,14

3. 평판형 무성방전식 방전관=60,61,7

4. 연면방전식 세라믹 방전관=66,67,4

제2절. 고효율 전원공급장치 설계=70,71,1

1. 고전압 전원공급장치 기본구조=70,71,2

2. 고효율 전원공급장치 설계=71,72,8

제3절. 고효율 오존접촉장치 설계=79,80,1

1. 오존의 용해도=79,80,2

2. 고효율 오존접촉장치=80,81,5

제5장. 고농도 오존 수 세정공정설비 시 제작=85,86,1

제1절. 오존 수를 이용한 세정공정시스템 구성=85,86,2

제2절. 오존 수 세정공정설비 시 제작=87,88,1

1. 오존발생장치 제작=87,88,3

2. 고전압 전원공급장치 제작=90,91,2

3. 오존접촉장치 제작=91,92,1

4. 세정조 및 배 오존장치=92,93,2

5. 시스템 인테그레이션=93,94,2

제6장. 오존 수 세정공정설비 성능시험=95,96,1

제1절. 고농도 오존발생장치 특성시험=95,96,5

제2절. 고농도 오존 수 발생 성능시험=100,101,4

제3절. 웨이퍼 세정성능시험=103,104,1

1. 파티클 세정시험=103,104,2

2. 유기물 제거시험=105,106,2

3. 오존 수 농도변화 시험=107,108,2

제7장. 결론=109,110,1

참고문헌=110,111,2

그림목차／사진목차

그림 2.1. Gate Oxide Integrity에 영향을 미치는 세정기술=16,17,1

그림 2.2. SC1 용액 내에서 파티클 제거 메카니즘=18,19,1

그림 2.3. HF／H₂O₂용액 내에서 웨이퍼 표면 거칠기=21,22,1

그림 2.4. 현재의 세정공정과 향후 개발방향 Roadmap=22,23,1

그림 3.1. 오존의 분자구조=25,26,1

그럼 3.2. 동축 원통형 무성방전방식 방전관 구조=26,27,1

그림 3.3. 무성방전의 전압,전류 파형=27,28,1

그림 3.4. 광화학 반응법을 이용한 오존발생원리=28,29,1

그림 3.5. 동축 원통형 무성방전방식 오존발생시스템=32,33,1

그림 3.6. 원료에 따른 오존농도 및 수율=34,35,1

그림 3.7. 냉각수 온도에 따른 오존생성율 비교=34,35,1

그림 3.8. 오존용존농도와 수온과의 관계=38,39,1

그림 3.9. 고농도 오존 수에 의한 PR제거 효율=39,40,1

그림 4.1. 다중방전식 원통형 오존방전관 구조=43,44,1

그림 4.2. 제안한 복합방전방식 방전관 구조=44,45,1

그림 4.3. 복합방전관 오존농도=45,46,1

그림 4.4. 무성방전식 오존발생장치 기본구성=47,48,1

그림 4.5. 기본성능 확인을 위한 수 전극 방식 방전관 제작도=48,49,1

그림 4.6. 제안한 수 전극 오존발생장치=50,51,1

그림 4.7. 오존발생 특성시험장치 구성도=51,52,1

그림 4.8. 방전 시의 방전전압,전류파형=53,54,1

그림 4.9. 단면 수 냉각 구조에서 인가전압변화에 따른 오존생성특성=54,55,1

그림 4.10. 단면 수 냉각구조에서 주파수 변화에 따른 오존생성특성=55,56,1

그림 4.11. 양면 수 냉각 구조에서 인가전압변화에 따른 오존생성특성=58,59,1

그림 4.12. 주파수변화에 따른 수율특성 비교=59,60,1

그림 4.13. 압력변화에 따른 수율특성 비교=60,61,1

그림 4.14. 평판형 오존발생장치 기본구조=61,62,1

그림 4.15. 적층식 오존방전관 구조도=62,63,1

그림 4.16. 제작한 오존발생장치 설계도면=63,64,3

그림 4.17. 제작한 적층 평판형 오존발생장치 오존농도 특성=65,66,1

그림 4.18. 가스유량 및 인가전압변화에 따른 농도 및 발생량 변화=68,69,1

그림 4.19. 가스유량 및 인가전압변화에 따른 수율 변화=68,69,1

그림 4.20. 가스유량 및 인가전압변화에 따를 농도 및 발생량 변화=69,70,1

그림 4.21. 일반적인 고전압 전원공급장치의 구조=71,72,1

그림 4.22. 양방향 스위치가 있는 기본적인 직렬공진 인버터=73,74,1

그림 4.23. 트랜지스터를 사용한 반파브리지 공진형 인버터=73,74,1

그림 4.24. 고전압 전원공급장치 회로 (전력부)=74,75,1

그림 4.25. 고전압 전원공급장치 회로 (제어부)=75,76,1

그림 4.26. 고전압 전원공급장치 회로 (ZCS부)=75,76,1

그림 4.27. 압력변화에 대한 오존용해도=79,80,1

그림 4.28. 오존가스 농도변화에 대한 오존용해도=80,81,1

그림 4.29. 개발한 고효율 오존접촉장치 개념도=81,82,1

그림 4.30. 오존접촉장치 미세 버블화 개념도=82,83,1

그림 4.31.／그림 4.30 데프론 재질로 설계한 오존접촉장치 Lay-Out=84,85,1

그림 5.1. 오존 수 세정공정시스템 구성도=85,86,1

그림 5.2. 70g／hr급 반도체 공정용 오존발생장치=88,89,1

그림 6.1. 특정 방전전력에서 오존농도,발생량 특성=96,97,1

그림 6.2. 특정 방전전력에서 유량변화에 대한 수율 특성=98,99,1

그림 6.3. 방전전력변화에 따른 오존농도 특성=98,99,1

그림 6.4. 방전전력변화에 따른 오존발생량 특성=99,100,1

그림 6.5. 방전관 내 압력변화에 따른 오존농도변화=99,100,1

그림 6.6. 제조된 오존 수 용존농도시험=101,102,1

그림 6.7. 압력변화에 따른 오존 용해도 시험데이터(미국)=102,103,1

그림 6.8. 가스압력 2.0bar 일 때의 오존용존농도시험=102,103,1

그림 6.9. 20ppm 오존 수에 의한 파티클 세정시험결과=104,105,1

그림 6.10. 30ppm 오존 수에 의한 파티클 세정시험결과=104,105,1

그림 6.11. 오존 수 농도별 PR 제거시험결과=106,107,1

그림 6.12. 70ppm 오존 수에 의한 웨이퍼 표면 PR 제거과정=106,107,1

그림 6.13. 반응공정 중의 오존 수 농도변화=107,108,1

사진 3.1. 반도체 공종용 오존 수 제조설비=40,41,1

사진 4.1. 제작한 복합방전식 방전관=44,45,1

사진 4.2. 복합방전실험 모습=45,46,1

사진 4.3. 방전관 중간전극의 방전 후 모습=46,47,1

사진 4.4. 기초성능 확인을 위해 제작한 수 전극 방전관=49,50,1

사진 4.5. 수 전극 방전관 방전실험=49,50,1

사진 4.6. 오존발생특성시험을 위해 제작한 수 전극 방전관=51,52,1

사진 4.7. 실험장치 Set-Up=52,53,1

사진 4.8. 평판형 오존발생장치 각 구성부 모습=62,63,1

사진 4.9. 제작한 적층 평판형 오존발생장치=63,64,1

사진 4.10. 제작한 길이 IM급 연면방전관=67,68,1

사진 4.11. 개발한 전원공급장치에 의한 연면방전실험 모습=67,68,1

사진 4.12. 개발한 전원공급장치 전력공급 침 ZCS부 PCB=76,77,1

사진 4.13. 개발한 고효율 오존발생장치=76,77,1

사진 4.14. 개발한 고효율 오존발생장치 주요부분=77,78,1

사진 4.15. 방전실험 모습 및 1,2차측 전압,전류파형=77,78,1

사진 4.16. 오존발생장치 및 전원공급장치 상태표시부 및 제어부=78,79,1

사진 4.17. 성능확인을 위해 1차 시제작한 오존접촉장치=83,84,1

사진 4.18. 성능시험용 오존접촉장치에 의한 오존용존실험=83,84,1

사진 4.19. 데프론 재질로 제작한 반도체 공정용 오존접촉장치=84,85,1

사진 5.1. 제작한 반도체 공정용 오존발생장치=89,90,1

사진 5.2. 제작한 반도체 공정용 오존발생장치 전용 전원공급장치=90,91,1

사진 5.3. 시 제작한 전파정류방식 전원공급장치=91,92,1

사진 5.4. 세정조 후면에 설치한 오존접촉장치 및 인젝터,혼합펌프=91,92,1

사진 5.5. 제작한 오존 수 세정공정용 웨이퍼 세정조=92,93,1

사진 5.6. 오존 수 웨이퍼 세정을 위한 반응조=93,94,1

사진 5.7. 망간 촉매방식으로 제작한 배 오존장치=93,94,1

사진 5.8. 모듈화한 고농도 오존발생시스템=94,95,1

사진 6.1. 시 제작한 오존발생장치 특성시험 모습=95,96,1

사진 6.2. 오존 수 발생시험을 위한 시제품 설치모습=100,101,1

사진 6.3. 고농도 오존 수 모습=103,104,1

사진 6.4. 웨이퍼 파티클 세정시험=104,105,1

표목차

표 2.1. DRAM 제조공정 Road map=15,16,1

표 2.2. 반도체 제조공정에서의 오염물 및 세정방법=17,18,1

표 2.3. 8인치 웨이퍼 50장 세정에 소모되는 화학 액 양과 bath 유지시간=20,21,1

표 3.1. 오존의 물리적 특성=25,26,1

표 3.2. 오존발생 방식별 오존발생장치=29,30,1

표 3.3. 산소원료 공급방식=33,34,1

표 3.4. 주파수별 전원공급장치 분류=35,36,1

표 4.1. 고전압 전원공급장치 구성요소=71,72,1

표 6.1. PR 두께측정결과=105,106,1

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