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목차

표제지=0,1,1

제출문=1,2,4

요약문=5,6,10

SUMMARY=15,16,10

CONTENTS=25,26,2

목차=27,28,2

제1장 서론=29,30,8

제2장 자성반도체 양자구조 제조 및 특성=37,38,1

제1절 Strain 조절을 이용한 양자점 제어연구=37,38,14

제2절 자성반도체 양자점 제작 및 특성=50,51,13

제3절 양자점 성장 마스크 제조 기술=62,63,17

제3장 나노 자기점 형성에 관한 연구=79,80,1

제1절 중시적 자기점 제조 및 동적 자기특성=79,80,8

제2절 다공성 알루미늄 산화막 및 자기 나노선재 제조=86,87,9

제3절 전자빔 리소그라피로 제조된 나노 자기점과 자기특성=94,95,17

제4장 스핀밸브 박막을 이용한 나노 magnetic dot 형성 연구=111,112,1

제1절 서언=111,112,2

제2절 실험방법=112,113,3

제3절 실험 결과 및 고찰=115,116,34

제4절 결론=148,149,5

제5장 나노스핀소자 응용을 위한 나노튜브의 수평성장과 기초 물성 측정=153,154,1

제1절 스핀 전자소자용 나노튜브 기술의 현황=153,154,3

제2절 스핀 소자응용을 위한 나노튜브의 수평성장 기술=156,157,15

제6장 양자점 성장제어 전산모사=171,172,1

제1절 양자점성장 전산모사용 하드웨어 서버 구축 및 소프트웨어 코드개발=171,172,26

제2절 분자동역학법에 의한 양자점 형성 전산모사=196,197,11

제7장 양자점 구조의 에너지 준위 및 전기,광학적 특성 연구=207,208,1

제1절 근접장 광학 현미경 제작 및 분광계 구성=207,208,11

제2절 근접장 분광 장치를 이용한 양자점의 형광 측정=217,218,5

제3절 양자점 구조의 에너지 준위=222,223,17

제8장 결론=239,240,8

참고문헌=247,248,10

부록1 양자점의 에너지 준위계산에 사용된 Mathematica 프로그램=257,258,19

영문목차

[title page etc.]=0,1,25

CONTENTS=25,26,4

Chapter1 Introduction=29,30,8

Chapter2 Fabrication of magnetic semiconductor quantum structures and their properties=37,38,1

Section1. Study of control for the quantum dots using strain modulation technique=37,38,14

Section2. Formation of magnetic semiconductor quqntum dots and their properties=50,51,13

Section3. Fabrication of masks for quantum dot formation=62,63,17

Chapter3 Study on the formation on the magnetic quantum dots=79,80,1

Section1. Fabrication of mesoscopic magnetic dot and its dynamic magnetic properties=79,80,8

Section2. Porous aluminum oxide and magnetic nanowires=86,87,9

Section3. Fabrication of magnetic nano-dots using e-beam lithography and their magnetic properties=94,95,17

Chapter4 Study on the formation of nano magnetic dots using spin-valve thin film=111,112,1

Section1. Introduction=111,112,2

Section2. Experimental=112,113,3

Section3. Results and Discussion=115,116,34

Section4. Conclusion=148,149,5

Chapter5 Lateral growth of CNT for the application of nano-spin devices=153,154,1

Section1. Technology trends of CNT-based spin-electronic devices=153,154,3

Section2. Lateral growth technology of CNT for the application of spin devices=156,157,15

Chapter6 Computer simulation of quantum dots growth=171,172,1

Section1. Installation of hardware for simulation of quantum dot growth=171,172,26

Section2. Computer simulation of quantum dot formation by molecular dynamics=196,197,11

Chapter7 Energy level and electro optical properties for quantum dot structures=207,208,1

Section1. Construction of near-field spectroscopy system=207,208,11

Section2. Fluorescence measurement of quantum dots using near-field spectroscopy system=217,218,5

Section3. Energy lovels of quantum dot structures=222,223,17

Chapter8 Conclusion=239,240,8

References=247,248,10

Appendix1 Mathematica program used in the calculation of quantum dots energy levels=257,258,19

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