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목차

표제지=0,1,1

제출문=1,2,1

보고서 초록/최종선=2,3,1

요약문=3,4,3

SUMMARY=6,7,1

CONTENTS=7,8,3

목차=10,11,3

제1장. 연구개발과제의 개요=13,14,3

제2장. 국내외 기술개발 현황=16,17,1

제1절. 전유기／플렉시블 디스플레이=16,17,1

제2절. 유기 박막트랜지스터=17,18,5

제3장. 연구개발 수행 내용 및 결과=22,23,1

제1절. 유기 박막 형성 공정 및 열처리 기술 연구=22,23,1

1. 유기 박막 형성 공정 최적화 및 기술 개발=22,23,1

(1) 성막 속도 제어를 이용한 유기 반도체 막과 소자 특성 연구=22,23,3

(2) OMBD 방식을 이용한 유기 박막 성막 공정 연구=24,25,8

(3) OVPD 방식을 이용한 유기 박막 성막 공정 연구=32,33,2

2. 유기 박막의 열처리 기술 개발 및 특성 연구=34,35,4

제2절. 고효율 절연층 형성 기술 및 소재 개발 연구=38,39,1

1. 절연층 구조 및 소재에 대한 연구=38,39,1

(1) 적층 구조의 절연층 특성 연구=38,39,1

(2) PVAc 특성 연구=39,40,2

(3) Cross-linked PVP 특성 연구=41,42,5

2. 새로운 절연소재 개발 연구=45,46,1

(1) 광반응기를 치환한 PVP의 합성 및 특성 연구=45,46,3

(2) 자기정렬기를 치환한 PVP의 합성 및 특성 연구=47,48,3

(3) PVAc-Clay 혼합 절연체 개발 및 특성 연구=49,50,4

(4) PVP-TiO₂혼한 절연체 개발 및 특성 연구=52,53,2

(5) 새로운 절연체 개발=53,54,2

3. 절연층의 기타 특성 연구=54,55,1

(1) PVP 막의 어닐링에 따른 특성 연구=54,55,2

(2) PVP 막의 condensation 효과=55,56,1

(3) PVP와 PMMA 절연 특성에 따른 소자 성능 비교=56,57,1

제3절. 소자 내의 단위 계면에 대한 특성 연구=57,58,1

1. 금속-유기 반도체 계면 연구=57,58,1

(1) Au 성막 속도 제어데 따른 유기 TFT 특성 연구=57,58,3

(2) 유기 반도체-전극 계면 특성을 통한 유기 반도체 물질의 배향 질서도 향상=59,60,4

(3) O₂plasma를 이용한 게이트 전극의 표면 처리 특성 연구=62,63,5

(4) MNB 전극 도포 효과=66,67,3

2. 절연체-유기 반도체 계면 연구=68,69,1

(1) Plasma를 이용한 PVP 표면 처리 특성 연구=68,69,3

(2) UV 소자에 의한 PVP 표면 처리=70,71,2

(3) ALD 법을 이용하여 SAMs 처리한 PVP 특성 연구=71,72,3

(4) 유기 반도체-절연체 계면 특성 향상을 통한 유기 반도체 물질의 배향 질서도 향상=73,74,3

(5) OTS의 channel 도표 효과=75,76,2

3. 계면 연구 결과의 집적=76,77,1

(1) 단위계면 특성 향상을 통한 유기 반도체 물질의 배향 질서도 향상 연구=76,77,2

(2) OTS／MNB 처리 특성 연구=78,79,2

제4절. 유기 (고)분자를 사용한 전유기 소자의 제작=80,81,5

제5절. 유기 박막 형상화 기술 개발=85,86,8

제6절. 유기 TFT 특성 및 기타 관련 연구=93,94,1

1. PVP를 절연층으로 사용한 유기 TFT의 Bias stress 특성 연구=93,94,2

2. 유기 반도체 분자 배향 제어 특성 연구=95,96,2

3. 전극의 위치와 두께에 따른 소자 특성 연구=96,97,4

4. 관련 장비의 설계ㆍ제작=99,100,1

(1) 유기물 정제 시스템 구축=99,100,1

(2) 열처리용 특수 오븐의 설계ㆍ제작=100,101,1

(3) 4"급 대면적 유기 박막 성막용 OVPD 시스템 설계 및 제작=100,101,5

5. 유기 TFT 및 TOF-PC 실험의 비교분석을 통한 전하수송 특성 연구=104,105,3

6. 전극／유기 반도체에서의 접촉 저항 감소를 통한 유기 TFT 성능 향상 연구=106,107,5

7. 용액 공정이 가능한 n-type Flexible 유기 TFT 제작=110,111,2

제7절. 유기 TFT 응용 소자=112,113,1

1. Pentacene TFT를 이용한 IC 회로=112,113,2

2. 유기 TFT-OLED 단위 픽셀 설계 및 제작=113,114,4

3. AM-OLED 디스플레이 패널 설계=116,117,1

(1) AM-OLED의 설계=116,117,3

(2) AM-OLED의 설계 조건=118,119,4

(3) AM-OLED 구동 회로 설계=121,122,3

(4) AM-OLED 디스플레이 패널 제작=123,124,4

제4장. 목표달성도 및 관련분야에의 기여도=127,128,1

제1절. 연구개발목표 및 평가의 착안점=127,128,6

제2절. 연구개발목표의 달성도=133,134,15

제3절. 관련분야에의 기여도=148,149,2

제5장. 연구개발결과의 활용계획=150,151,1

제1절. 연구개발결과의 활용=150,151,2

제2절. 추가연구의 필요성=152,153,2

제6장. 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보=154,155,3

제7장. 참고문헌=157,158,2

Appendix=159,160,30

영문목차

[title page etc.]=0,1,7

CONTENTS=7,8,6

Chapter 1. Over View of the Research=13,14,3

Chapter 2. Domestic／International Status of the Technology Development=16,17,1

Paragraph 1. All-Organic Display／Flexible Display=16,17,1

Paragraph 2. Organic Thin Film Transistors=17,18,5

Chapter 3. Research Results=22,23,1

Paragraph 1. Organic Film Deposition Process & Thermal Treatment Techniqe=22,23,1

1. Process Optimization & Technique Development=22,23,1

(1) Deposition Rate Optimization=22,23,3

(2) OMBD Process=24,25,8

(3) OVPD Process=32,33,2

2. Thermal Treatment Technique=34,35,4

Paragraph 2. High-Performance Insulator Deposition & Material Development=38,39,1

1. Insulator Structure & Material Development=38,39,1

(1) Stacked Insulator Structure=38,39,1

(2) Characteristics of PVAc as a Gate Insulator=39,40,2

(3) Characteristics of Cross-1inked PVP as a Gate Insulator=41,42,5

2. Development of New Dielectric Materials=45,46,1

(1) New PVP with Photo-Reactive Group=45,46,3

(2) New PVP with Self-Assembled Group=47,48,3

(3) PVAc-Clay Composite=49,50,4

(4) PVP -TiO₂ Composite=52,53,2

(5) New Gate Insulator=53,54,2

3. Additional Investigation on the Gate Insulator=54,55,1

(1) Annealing Effect of PVP=54,55,2

(2) Condensation Effect of PVP=55,56,1

(3) Comparison of the performance according to the insulating properties (PVP vs. PMMA)=56,57,1

Paragraph 3. Investigation on the Unit Interface in OTFTs=57,58,1

1. Interface between Metal and Organic Layer=57,58,1

(1) Effect of the Deposition Rate of Au on the Device Performance=57,58,3

(2) Rubbing and Surfactant Effect=59,60,4

(3) O₂Plasma Treatment=62,63,5

(4) MNB Treatment=66,67,3

2. Interface between Insulator and Organic Layer=68,69,1

(1) Plasma Treatment on the surface of PVP=68,69,3

(2) UV Treatment on the surface of PVP=70,71,2

(3) SAMs Formation using ALD on the surface of PVP=71,72,3

(4) Effects of Interface Modification on the Molecular Ordering=73,74,3

(5) OTS Treatment=75,76,2

3. Integration of the Interface Modification=76,77,1

(1) Effects of Interface Modifications on the Molecular Ordering=76,77,2

(2) OTS／MNB Treatment=78,79,2

Paragraph 4. Fabrication & Characterization of All Organic Transistors=80,81,5

Paragraph 5. Patterning Technique for High Resolution Organic Film=85,86,8

Paragraph 6. Characteristics of Organic TFTs & Additional Research=93,94,1

1. Bias Stress in the Device with PVP as a Gate Insulator=93,94,2

2. Study on the Molecular Ordering using Rubbing Technique=95,96,2

3. Effects of Electrode Position & Thickness on the Device Performance=96,97,4

4. Equipment Developments=99,100,1

(1) Purification System=99,100,1

(2) Thermal Treatment System=100,101,1

(3) OVPD System for 4" Wafer=100,101,5

5. TOF-PC Results=104,105,3

6. Effects of Contact Resistance on the Device Performance=106,107,5

7. Soluble n-type Flexible Device=110,111,2

Paragraph 7. Applications=112,113,1

1. IC Fabrication Using Pentacene based TFTs=112,113,2

2. OTFT-OLED Unit Pixcel Design=113,114,4

3. AM-OLED Panel Fabrication=116,117,1

(1) AM-OLED Design=116,117,3

(2) Conditions of AM-OLED Design=118,119,4

(3) Driving Circuit for AM-OLED=121,122,3

(4) AM-OLED Panel=123,124,4

Chapter 4. Degree for Achieving the Research Goal & Contribution to Related Fields=127,128,1

Paragraph 1. The Research Goals & Point Aimed=127,128,6

Paragraph 2. Degree for Achieving the Research Goals=133,134,15

Paragraph 3. Contribution to Related Fields=148,149,2

Chapter 5. Plans of Applying the Research Results=150,151,1

Paragraph 1. Plans of Applying the Research Results=150,151,2

Paragraph 2. Necessities of Further Works=152,153,2

Chapter 6. Information obtained while carrying out the research=154,155,3

Chapter 7. References=157,158,2

Appendix=159,160,30

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