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목차

표제지=0,1,2

제출문=0,2,1

요약문=i,3,6

목차=vii,9,3

그림목차=x,12,3

표목차=xiii,15,1

제1장 서론=1,16,1

제2장 백색광 LED 메카니즘=2,17,1

제1절 형광체 원리=2,17,1

제2절 백색광 원리=2,17,2

1. RGB 램프 혼합=3,18,1

2. 청색 발광 다이오드 + YAG 형광체=3,18,2

3. 자외선 발광 다이오드 + RGB 형광체=4,19,1

제3장 고효율 형광체 개발=5,20,1

제1절 국내ㆍ외 기술개발동향=5,20,1

1. 국내 동향=5,20,1

2. 국외의 경우=5,20,2

제2절 국내ㆍ외 특허 및 기존 기술과의 연관성=6,21,1

제3절 LED용 형광체 제조기술개발=7,22,1

1. 청색,자외광용 및 나노형광체의 조성탐색 및 제조공정 개발=7,22,1

가. 청색(450~470nm)여기용 형광체=7,22,1

(1) 제조방법=7,22,2

2. 형광체 설계 및 특성 개발=8,23,1

가. 야그계 형광체 개발=8,23,4

나. 비야그계 형광체=11,26,1

(1) 비야그계 고효율 형광물질 제조기술=11,26,2

(2) 비야그계 Y₂CaCeSiAl₂O12(이미지참조):Eu2+(이미지참조) 형광체=12,27,2

(3) SrBaCa₂SiAl₂O9(이미지참조):Eu2+(이미지참조) 형광체=13,28,2

다. 청색(450~470nm)계 형광체의 광변환 효율 및 신뢰성 시험=14,29,1

(1) 야그계 형광체 현장 성능실험=14,29,2

(2) 비야그계 형광체 현장 성능실험=15,30,3

(3) 비야그계 황적색 형광체=17,32,3

라. 결론=19,34,1

제4절. UV용 형광체 개발=20,35,1

1. UV(38O~42Onm)여기용 청색 형광체=20,35,1

가. 청색 발광 할로포스페이트계 형광체 합성 공정=20,35,3

나. 할로포스페이트계 형광체 조성 개발=22,37,3

2. UV(380~420nm)여기용 녹색 형광체=25,40,1

가. Ba2-x(이미지참조)MgSi₂O7(이미지참조):Eu2+(이미지참조) 형광체 합성 공정=25,40,1

(1) 액상법에 의한 Ba2-x(이미지참조)MgSi₂O7(이미지참조):Eu2+(이미지참조) 형광체의 제조=25,40,2

나. 분무열 분해 공정에 의한 (Ba Sr)₂(Mg Zn)Si₂O7(이미지참조):Eu2+(이미지참조) 형광체의 제조=26,41,2

다. (Ba Zn)₂SiO₄:Eu2+(이미지참조),Mn3+(이미지참조) 형광체 합성 공정=27,42,1

3. LED용 적색 형광물질 합성=27,42,1

가. 모체 조성 변화에 따른 텅스텐계 형광체의 특성 제어=27,42,2

(1) K5-x(이미지참조) Lix(이미지참조)Eu2.5(이미지참조)(WO₄)Sm 형광체 합성=28,43,3

(2) K5-x(이미지참조)Nax(이미지참조)Eu2.5(WO₄)Sm 형광체=30,45,4

(3) 적색 발광 Ca1-x(이미지참조)MgSi₂O6(이미지참조):Eu 형광체=33,48,2

(4) 적색 발광 Sr1-x(이미지참조)MgSi₂O6(이미지참조):Eu 형광체=34,49,3

4. 결론=36,51,2

제5절. UV 및 단파장용 나노 형광체 개발=38,53,1

1. 반도체 양자점=38,53,1

2. 반도체 양자점의 제조법=38,53,1

가. MBE나 MOCVD에 의한 양자점 제조=38,53,1

나. 습식화학방법에 의한 양자점 제조=39,54,1

3. UV 및 단파장용 반도체 양자점 제조=39,54,1

가. 반도체 양자점 나노 형광체의 개발=40,55,1

(1) 실험장치의 제작과 설치=40,55,2

(2) 균일한 반도체 양자점의 제조=41,56,1

(가) CdSe bare dot 합성 방법=41,56,2

(나) CdSe 나노 형광체의 광학적 특성 및 구조적 특성=42,57,2

(3) 반도체 양자점의 표면 처리=43,58,1

(4) (CdSe)ZnS 코어-쉘 구조의 양자점의 광학적 특성 및 구조적 특성 분석=43,58,2

(5) 반도체 양자점-고분자 복합체 합성(CdSe)ZnS-polymer composites 합성)=45,60,2

4. 나노 형광체 현장실증실험=46,61,1

가. UV LED와 양자점을 결합하여 적색 LED 제조=46,61,1

나. UV LED와 양자점을 결합하여 제조한 적색 LED=47,62,1

5. 결론=48,63,1

제6절 현장실증시험[원문불량;p48]=48,63,1

1. RGB 형광체 제조기술의 최적화=48,63,1

2. White LED 제조 및 성능평가=49,64,1

가. 청색(450~470nm) + Non YAG(RE1-x(이미지참조)Cax(이미지참조)SiAlN8(이미지참조))=49,64,1

나. UV(380~420nm) + BYG 형광체 현장실험결과=49,64,2

3. 적색 반도체 양자점과 UV LED를 결합한 발광 다이오드의 제조=50,65,2

제4장 결론=52,67,1

참고문헌=53,68,3

부록=0,71,1

부록 1 발표논문목록,특허출원목록=0,72,3

부록 2 White LED(UV LED+BYRG 형광체) 시험 성적서=0,75,3

부록 3 위탁연구보고서 I=0,78,36

부록 4 위탁연구보고서 II=0,114,26

그림목차

[그림 1] UV 램프에 의해 여기 되는 형광체의 발광원리=2,17,1

[그림 2] 백색광을 구현하는 방법=3,18,1

[그림 3] 야그계 형광체의 합성공정=8,23,1

[그림 4] 소성온도에 대한 XRD 분석결과=8,23,1

[그림 5] 야그계 형광체의 SEM 사진(1650℃,2hrs)=9,24,1

[그림 6] 야그계 형광체의 Ce3+(이미지참조) 농도에 대한 흡수 및 발광 스펙트럼=10,25,1

[그림 7] 당 팀에서 개발한 청색 LED + YAG:Ce3+(이미지참조) 백색 LED 신뢰성 시험결과(#1-YAG:Ce3+(이미지참조) #2-YAG:Ce3+(이미지참조)0.15,#3-Japanese commercial product)=10,25,1

[그림 8] YAG:Ce3+(이미지참조) 형광체의 CIE 색좌표도 (#1＝0.03,#2＝0.06,#3＝0.09,#4＝0.12,#5＝0.15mol)=11,26,1

[그림 9] Y₂CaCeSiAl₂O12(이미지참조):Pr3+(이미지참조)에 의한 여기특성=12,27,1

[그림 10] Y₂CaCeSiAl₂O12(이미지참조):Pr3+(이미지참조)에 의한 발광특성=12,27,1

[그림 11] Y₂CaCeSiAl₂O12(이미지참조):Pr3+(이미지참조)형광체의 chromacity 좌표=13,28,1

[그림 12] SrBaCa₂SiAl₂O9(이미지참조):Eu2+(이미지참조) 형광체의 PL 특성=13,28,1

[그림 13] SrBaCa₂SiAl₂O9(이미지참조):Eu2+(이미지참조) 형광체의 발광특성=14,29,1

[그림 14] 당 팀에서 개발한 백색 LED 발광 스펙트럼(청색 LED+YAG:Ce3+(이미지참조))=14,29,1

[그림 15] 청색 LED+YAG:Ce3+(이미지참조) 색좌표=15,30,1

[그림 16] Y₂CaCeSiAl₂O12(이미지참조):Pr3+(이미지참조) 형광체의 광변환효율=16,31,1

[그림 17a] KIER 형광체의 신뢰성 시험결과=16,31,1

[그림 17b] 일본 YAG 형광체의 신뢰성 시험결과=16,31,1

[그림 18] KIER에서 개발한 Y₂CaCeSiAl₂O12(이미지참조):Pr3+(이미지참조) 형광체의 발광특성=17,32,1

[그림 19] 국산 YAG 형광체의 발광특성=17,32,1

[그림 20] 일본 YAG 형광체의 발광특성=17,32,1

[그림 21] REMSIAIN8(이미지참조) 형광체의 PL 스펙트럼=18,33,1

[그림 22] 당 팀에서 개발한 백색 LED 발광 스펙트럼 (청색 LED+RE1-x(이미지참조)Cax(이미지참조)SiAlN8(이미지참조)형광체)=18,33,1

[그림 23] 분무열분해법에 의한 구형 형광체 분말 제조 기구=20,35,1

[그림 24] 파일로트 규모의 초음파 분무열분해 장치 모식도=21,36,1

[그림 25] 스트론튬 전구체에 따른 Sr5(이미지참조)(PO₄)₃Cl:Eu²형광체의 발광특성=23,38,1

[그림 26] 유로피움 농도에 따른 Sr5(이미지참조)(PO₄)₃Cl:Eu2+(이미지참조) 형광체의 발광 특성=23,38,1

[그림 27] Sr5(이미지참조)(PO₄)₃Cl:Eu2+(이미지참조) 형광체의 전자주사현미경 사진=24,39,1

[그림 28] (Sr,Mg)5(이미지참조)(PO₄)₃Cl:Eu2+(이미지참조) 형광체의 전자주사현미경 사진=24,39,1

[그림 29] 장파장 자외선 영역하에서의 Sr5(이미지참조)(PO₄)₃Cl:Eu2+(이미지참조) 와 (Sr,Mg)5(이미지참조)(PO₄)₃Cl:Eu2+(이미지참조) 형광체의 발광특성=24,39,1

[그림 30] Ba2-x(이미지참조)MgSi₂O7(이미지참조):Eu2+(이미지참조) 형광체의 여기 스펙트럼=25,40,1

[그림 31] Ba2-x(이미지참조)MgSi₂O7(이미지참조):Eu2+(이미지참조) 형광체의 여기 스펙트럼=25,40,1

[그림 32] 유로피움 농도에 따른 Ba₂MgSi₂O7(이미지참조):Eu2+(이미지참조) 형광체의 여기 특성=26,41,1

[그림 33] (Ba Sr)₂(Mg,Zn)Si₂O7(이미지참조):Eu2+(이미지참조) 형광체의 여기특성=27,42,1

[그림 34] Ba2-x(이미지참조)Srx(이미지참조)(Mg,Zn)Si₂O7(이미지참조):Eu2+(이미지참조) 형광체의 발광 특성=27,42,1

[그림 35] K／Li비에 따른 K5-x(이미지참조)Lix(이미지참조)Eu2.5(이미지참조)(WO₄)Sm 형광체의 발광 특성 (Emission)=29,44,1

[그림 36] K／Li비에 따른 K5-x(이미지참조)Lix(이미지참조)Eu2.5(이미지참조)(WO₄)Sm 형광체의 발광특성(Excitation)=29,44,1

[그림 37] K／Li비에 따른 K5-x(이미지참조)Lix(이미지참조)Eu2.5(이미지참조)(WO₄)Sm 형광체의 전자현미경 사진=30,45,1

[그림 38] K／Na비에 따른 K5-x(이미지참조)Nax(이미지참조)Eu2.5(이미지참조)(WO₄)Sm 22 형광체 발광의 특성=31,46,1

[그림 39] K／Na비에 따른 K5-x(이미지참조)Nax(이미지참조)Eu2.5(이미지참조)(WO₄)Sm 형광체 발광의 특성 (Excitation)=31,46,1

[그림 40] K／Na비에 따른 K5-x(이미지참조)Nax(이미지참조)Eu2.5(이미지참조)(WO₄)Sm 형광체의 전자현미경 사진=32,47,1

[그림 41] K₄Na₁Eu2.5(이미지참조)(WO₄)Sm 형광체의 열처리 온도 변화에 따른 전자현미경 사진=32,47,2

[그림 42] Ca1-x(이미지참조)MgSi₂O6(이미지참조):Eux(이미지참조) 형광체의 조성 변화에 따른 발광 특성=34,49,1

[그림 43] Ca1-x(이미지참조)MgSi₂O6(이미지참조):Eux(이미지참조) 형광체의 열처리 온도 변화에 따른 발광 특성=34,49,1

[그림 44] Sr1-x(이미지참조)MgSi₂O6(이미지참조):Eux(이미지참조) 형광체의 조성 변화에 대한 PL 스펙트럼=35,50,1

[그림 45] Sr1-x(이미지참조)MgSi₂O6(이미지참조):Eux(이미지참조) 형광체의 조성 변화에 대한 여기 특성=36,51,1

[그림 46] 반도체 양자점 합성장치도=40,55,1

[그림 47] 양자점 형성을 위한 전체적인 제조 시스템=40,55,1

[그림 48] 온도 조절 장치 개략도=41,56,1

[그림 49] CdSe 양자점의 크기에 따른 광학적 특성(UV,PL) 및 구조적 특성(TEM)=42,57,1

[그림 50] powder XRD의 CdSe 양자점의 구조적 특성=43,58,1

[그림 51] (CdSe)ZnS 양자점의 UV-VIS 흡수 및 발광 스펙트럼=44,59,1

[그림 52] CdSe 와 (CdSe)ZnS 양자점의 발광 사진=44,59,1

[그림 53] (CdSe)ZnS-PMMA composite film의 제조과정=45,60,1

[그림 54] 성형이 가능한 양자점 고분자 복합체 박막=45,60,1

[그림 55] (CdSe)ZnS 코어-쉘 적색 반도체 양자점의 흡수 발광스펙트럼=46,61,1

[그림 56] 적색 반도체 양자점과 UV LED를 결합하여 만든 적색 LED=47,62,1

[그림 57] UV LED와 적색 반도체 나노 형광체의 PL 스펙트럼=47,62,1

[그림 58] 비야그계 형광체 RECaSiAlN8(이미지참조)의 현장실험결과=49,64,1

[그림 59] (CdSe)ZnS 코어-쉘 적색 반도체 양자점의 흡수발광스펙트럼=51,66,1

[그림 60] UV LED와 적색 반도체 나노 형광체의 PL 스펙트럼=51,66,1

[그림 61] 적색 반도체 양자점과 UV LED를 결합하여 만든 적색 LED=51,66,1

표목차

[표 1] 기존 형광체와 비교성능분석=14,29,1

[표 2] 청색 LED+RE1-x(이미지참조)Cax(이미지참조)SiAlN8(이미지참조) 형광체 현장실험결과=18,33,1

[표 3] White LED 405UV + YGB 형광체 현장실험결과=50,65,1

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고휘도 백색 LED용 무기 및 나노 형광체 개발에 관한 연구 이용현황 표 - 등록번호, 청구기호, 권별정보, 자료실, 이용여부로 구성 되어있습니다.
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