목차

표제지=0,1,1

제출문=1,2,2

요약문=3,4,6

SUMMARY=9,10,5

CONTENTS=14,15,3

목차=17,18,5

제1장 연구개발과제의 개요=22,23,1

제1절 전력용 반도체 연구의 필요성=22,23,1

제2절 연구개발의 목표 및 내용=23,24,1

1. 과제별 연구개발 최종 목표=23,24,1

2. 연도별 연구개발 목표=24,25,3

제3절 추진전략 및 방법=27,28,2

제4절 연구개발 추진체계=28,29,2

제5절 기대효과=29,30,1

제6절 활용방안=30,31,2

제2장 4,500V급 SOC용 IGCT소자 개발=32,33,1

제1절 개요=32,33,1

1. 연구개발의 목적=32,33,1

가. 연구개발의 최종목표=32,33,1

나. 연구개발의 범위=33,34,1

다. 연구개발 추진체계=34,35,1

2. 연구개발의 필요성 및 중요성=35,36,1

가. 연구개발의 필요성=35,36,1

나. 연구개발의 중요성=36,37,2

제2절 국내외 기술개발 현황=37,38,1

1. 해외연구동향=37,38,3

2. 국내연구동향=39,40,2

제3절 연구개발수행 내용 및 결과=40,41,1

1. 서론=40,41,3

2. IGCT 소자 설계=42,43,1

가. 해석적인 방법을 통한 설계=42,43,12

나. 4500V급 IGCT 시제품 제작을 위한 일괄공정 설계=53,54,5

3. 소자제작을 위한 단위공정 실험=57,58,13

4. 패턴 마스크 설계 및 제작=69,70,5

5. 패키지 설계 및 제작=73,74,5

6. 게이트 구동 Unit 분석 및 제작=77,78,1

가. IGCT 소자 구동 드라이버의 개요=78,79,1

나. GCT 소자 구동 드라이버의 블록별 회로=78,79,8

다. 시작품 제작=85,86,1

라. 결과=86,87,1

7. 완성소자 특성평가=86,87,4

8. 결론=89,90,3

제4절 목표달성도 및 관련분야에의 기여도=91,92,3

제5절 연구개발결과의 활용계획=94,95,1

1. 타 연구에의 응용 및 기업화 추진방안=94,95,3

2. 추가연구의 필요성=96,97,2

제6절 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보=97,98,3

제7절 참고문헌=99,100,2

제3장 1200V급 고신뢰성 MOS 구동 사이리스터 개발=101,102,1

제1절 서론=101,102,1

1. 연구의 목적 및 필요성=101,102,4

2. 연구 개발의 내용 및 범위=104,105,1

가. 연구개발의 최종목표=104,105,2

나. 연차별 연구개발 목표 및 내용=106,107,1

제2절 국내외 기술개발 현황=107,108,3

제3절 연구개발수행 내용 및 결과=109,110,1

1. 연구 개발의 접근방법=109,110,1

가. 연구의 접근 방법=109,110,2

나. 연구 진행도=111,112,1

2. 연구 내용 및 결과 요약=112,113,1

가. MOS 구동 사이리스터 자료 수집 및 분석=112,113,1

나. 소자 설계 및 시뮬레이션=112,113,1

다. 상세 도면 설계 Mask 용Layout=112,113,2

라. 단위공정 확립=113,114,1

마. 공정 설계 및 체계 완료 (run sheet 작성)=113,114,1

바. MOS 구동 사이리스터 단위-셀 소자의 제작=113,114,2

사. MOS 구동 사이리스터 단위-셀 소자의 측정=114,115,1

아. 1200V급 MOS 구동형 다이리스터의 Multi-cell 및 시작품 설계 및 제작=114,115,1

자. 제작한 시제품의 특성 측정 및 신뢰성 평가=114,115,2

차. 보호회로 설계=115,116,1

카. 응용 연구=115,116,2

3. 상세 연구 결과=116,117,1

가. 트렌치 게이트와 자기정렬 corrugated P-베이스를 이용한 새로운 베이스 저항제어 사이리스터=116,117,7

나. 고내압 특성을 위한 진성영역과 트렌치 구조를 MOS 구동 사이리스터=122,123,8

다. 1200V 항복 전압 설계 연구=129,130,2

라. 단위 소자 특성 측정을 위한 소자 패키지와 turn-off 측정=130,131,2

마. 단위 소자의 Layout 설계=131,132,3

바. Trench gate CB-BRT의 최대 제어 가능 전류 향상을 위한 설계 변수의 영향분석=133,134,6

사. 전류포화특성과 턴-오프 특성이 개선된 새로운 전도도 변조 사이리스터=138,139,7

아. 실리콘 식각과 산화막을 이용한 항복전압 개선=144,145,5

자. 3-D 시뮬레이션을 통한 MOS 구동 사이리스터의 특성 향상 효과 분석=148,149,7

차. 고전압 전류 포화를 위한 새로운 EST (Emitter Switched Thyristor)보호회로=154,155,5

카. 컬렉터-이미터 전압 (Vce)감지를 통한 전력용 소자의 단락 회로 유지 기능 향상을 위한 새로운 보호회로=158,159,7

타. 1200V급 고 신뢰성 MOS 구도 사이리스터 설계 및 제작=164,165,9

4. 연구성과=172,173,5

제4절 연구개발목표 달성도 및 대외기여도=177,178,1

1. 연도별 연구목표 및 내용=177,178,1

2. 연도별 연구개발목표 달성도=178,179,8

제5절 연구개발결과의 활용계획=185,186,1

1. 타연구에의 응용 및 기업화 추진방안=185,186,2

제6절 참고문헌=186,187,2

제4장 통신전원용 220VAC 입력 SMPS IPM 개발=188,189,1

제1절 연구개발의 배경=188,189,1

제2절 연구개발의 내용 및 범위=188,189,1

1. 최종연구 목표=189,190,2

제3절 연구개발 결과=191,192,1

1. 1.5kW급 Phase-Shifted ZVS FB-SMPS 개발=191,192,1

가. IPM적용 검토=191,192,1

나. 1.5kW급 Phase shifted ZVS FB-SMPS 설계=191,192,4

2. 통신전원용 IPM 개발=194,195,1

가. IPM의 열설계=194,195,2

나. 열해석 결과=196,197,2

다. IPM 구조 설계=197,198,2

3. IPM 제조공정기술=198,199,3

가. 칩 엘리멘트(chip element) 제조공정=201,202,1

나. 베이스 제조공정=202,203,1

다. 베이스솔더링 평가=203,204,4

라. 와이어본딩(WIRE BONDING) 공정=206,207,3

마. 몰딩공정=208,209,1

바. 검사공정=208,209,4

4. 1.5kW급 Phase shifted ZVS FB-SMPS=211,212,6

제4절 결론 및 향후 활용 계획=217,218,2

제5절 참고문헌=219,220,1

제5장 BkV급 초고전압 다이오드 개발=220,221,1

제1절 연구의 필요성=220,221,1

1. 연구의 목적 및 필요성=220,221,2

2. 연구 개발의 내용 및 범위=221,222,1

가. 연구개발의 목표=222,223,1

나. 연구 범위 및 연구수행 방법=222,223,2

제2절 국내외 기술개발 현황=223,224,2

제3절 연구개발수행 내용 및 결과=225,226,1

1. 8kV급 전자렌지용 고압다이오드 개발=225,226,1

가. 개발목표 선정=225,226,2

나. 제품설계=226,227,7

다. 제조 공정 확립=233,234,2

라. 전기적 특성=234,235,5

마. 결과 요약=238,239,3

2. TVS 다이오드 개발=240,241,1

가. 고전압 Surge 보호 Diode(TVS Diode) 개요=240,241,2

나. 소자설계=242,243,3

다. 공정설계 및 개발=245,246,2

라. 전기적특성 평가=247,248,5

제6장 전력용 반도체 사업단 보고서=252,253,1

제1절 개요=252,253,1

1. 전력용 반도체의 정의 및 개발 필요성=252,253,2

2. 목적 및 기대효과=253,254,3

제2절 연구개발수행 내용 및 결과=255,256,1

1. 진도관리=255,256,1

2. homepage 구축 및 사업단 홍보=255,256,6

3. 정보 교류 및 전문가 초청=260,261,1

4. 연구성과 발표 실적=260,261,10

영문목차

[title page etc.]=0,1,14

CONTENTS=14,15,8

Chap. 1. Outline of the research project=22,23,1

Section 1. Necessities of Power Semiconductor research=22,23,1

Section 2. Goal & contents of the research=23,24,1

1. Final goals of each project=23,24,1

2. Annual research goal=24,25,3

Section 3. Method and strategy of research=27,28,2

Section 4. System of research organization=28,29,2

Section 5. Expected effects=29,30,1

Section 6. Applications of Results=30,31,2

Chap. 2. Development of 4500V Integrated Gate-Commutated Thyristor devices for Social Object Capital=32,33,1

Section 1. Outline=32,33,1

1. Goal of research=32,33,3

2. Necessity and importance of research=35,36,3

Section 2. State of the art=37,38,1

1. Abroad=37,38,3

2. Domestic=39,40,2

Section 3. Research subject and results=40,41,1

1. Introduction=40,41,3

2. Design of IGCT device=42,43,16

3. Unit process experiment for the fabrication of device=57,58,13

4. Design and fabrication of pattern mask=69,70,5

5. Design and fabrication of package=73,74,5

6. analysis and fabrication of gate driver unit=77,78,10

7. Characterization of fabricated device=86,87,4

8. Conclusion=89,90,3

Section 4. Achievement and Contribution=91,92,3

Section 5. Application of results=94,95,1

1. Method for application to other research and commercialization=94,95,3

2. Necessity of additional research=96,97,2

Section 6. Technical information obtained during research=97,98,3

Section 7. References=99,100,2

Chap. 3. Development of high reliability 1200V MOS-Cated thyristor=101,102,1

Section 1. Introduction=101,102,1

1. Goal and necessity=101,102,4

2. Contents and area of research=104,105,3

Section 2. State of the art=107,108,3

Section 3. Subjects and results=109,110,1

1. Approaching methods=109,110,3

2. Results and summary=112,113,5

3. Results in detail=116,117,57

4. Research product=172,173,5

Section 4. Achievement and Contribution=177,178,1

1. Annual Goals and contents=177,178,1

2. Annual degree of achievement=178,179,8

Section 5. Plan for result application=185,186,1

1. Method for application to other research and commerciallization=185,186,2

Section 6. References=186,187,2

Chap. 4. The Development of 220VAC Input SMPS Intelligent Power Module(IPM) far Telecommunication Application=188,189,1

Section 1. Background=188,189,1

Section 2. Subjects and results=188,189,1

1. Final goal of research=189,190,2

Section 3. Results=191,192,1

1. Development of 1.5kW class Phase-Shifted ZVS FB-SMPS=191,192,1

2. Development of IPM for telecommunication power supply=191,192,8

3. Fabrication technology of IPM=198,199,14

4. 1.5kW class Phase shifted ZVS FB-SMPS=211,212,6

Section 4. Conclusion and future work217=217,218,2

Section 5. References=219,220,1

Chap. 5. Development of 8kV class high voltage diode=220,221,1

Section 1. Necessity of research=220,221,1

1. Necessity and Goal of research=220,221,2

2. Subjects and Contents=221,222,3

Section 2. State of the art=223,224,2

Section 3. Subjects and results=225,226,1

1. Development of 8kV class high voltage diode for microwave range=225,226,16

2. Development of TVS diode=240,241,12

Chap. 6. Report of Power Semiconductor Research Organization=252,253,1

Section 1. Outline=252,253,1

1. Definition and develoment necessity of power semiconductor=252,253,2

2. Aims and expected effect=253,254,3

Section 2. Subject and results=255,256,1

1. Manage of progress=255,256,1

2. Establishment of homepage and organization advertize=255,256,6

3. Communication of information and invitation of specialist=260,261,1

4. Publication List=260,261,10