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목차

[표제지 등]=0,1,2

머리말=0,3,2

목차=i,5,2

표 목차=iii,7,1

그림 목차=iv,8,2

제1장 서론=1,10,1

1. 연구의 목적과 필요성=1,10,1

가. 연구의 배경과 필요성=1,10,3

나. 연구의 목적=3,12,2

제2장 기술동향 및 전망=5,14,1

1. 기술 개요=5,14,2

2. 메모리 반도체 특성 및 연구개발 동향=7,16,3

가. FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)=9,18,6

나. MRAM(Magnetoresistive 또는 Magnetic RAM)=14,23,4

다. PRAM=18,27,3

라. Emerging Memorys=20,29,1

(1) Polymer RAM(PoRAM)=20,29,3

(2) SET-RAM=22,31,3

(3) CNT RAM=24,33,2

마. 메모리반도체의 특성 비교=26,35,2

3. 메모리장치의 특성 및 연구개발동향=28,37,3

제3장 정보 분석=31,40,1

1. 특허정보 분석=31,40,1

가. 정보분석 대상 DB와 검색조건=31,40,1

나. 특허정보 분석=32,41,1

(1) FeRAM의 특허검색 결과=32,41,3

(2) MRAM의 특허검색 결과=35,44,2

(3) Phase Change RAM의 특허검색 결과=37,46,2

(4) Polymer Memory의 특허검색 결과=39,48,2

(5) Single Electron Memory의 특허검색 결과=41,50,3

(6) Nano Memory의 특허검색 결과=43,52,2

(7) Millipede의 특허검색 결과=44,53,2

(8) 각 국가의 특허동향 분석=45,54,6

2. 문헌정보 분석=51,60,1

가. 정보 분석대상 DB와 검색조건=51,60,1

나. 문헌정보 분석=51,60,2

제4장 산업시장 동향 분석=53,62,1

1. 반도체 및 메모리 산업의 개요=53,62,3

2. 세계 반도체 시장 현황=55,64,3

3. 차세대 메모리 양산화 전망=57,66,2

제5장 결론=59,68,2

참고문헌=61,70,1

저자소개=62,71,1

[판권지]=62,71,1

표목차

(표 2-1) 다양한 메모리 반도체의 기본 동작 원리 비교=26,35,1

(표 2-2) 다양한 메모리 반도체의 기본 동작 원리 비교=27,36,1

(표 3-1) FeRAM의 국가별 특허건수(전체)=32,41,1

(표 3-2) FeRAM의 출원인별 특허건수(전체)=34,43,1

(표 3-3) MRAM의 국가별 특허건수(전체)=35,44,1

(표 3-4) MRAM의 출원인별 특허건수(전체)=36,45,1

(표 3-5) Phase Change RAM의 국가별 특허건수(전체)=37,46,1

(표 3-6) Phase Change RAM의 출원인별 특허건수(전체)=38,47,1

(표 3-7) Polymer Memory의 국가별 특허건수(전체)=39,48,1

(표 3-8) Polymer Memory의 출원인별 특허건수(전체)=40,49,1

(표 3-9) Single Electron Memory의 국가별 특허건수(전체)=41,50,1

(표 3-10) Single Electron Memory의 출원인별 특허건수(전체)=42,51,1

(표 3-11) Nano Memory분야의 국가별 특허출원=43,52,1

(표 3-12) Nano Memory의 출원인별 특허건수(전체)=44,53,1

(표 3-13) Millipede의 국가별 특허건수(전체)=44,53,1

(표 3-14) Millipede의 출원인별 특허건수(전체)=45,54,1

(표 3-15) 한국의 메모리 동향분석=46,55,1

(표 3-16) 미국의 메모리 동향분석=47,56,1

(표 3-17) 일본의 메모리 동향분석=48,57,1

(표 3-18) 유럽의 메모리 동향분석=49,58,1

(표 3-19) 차세대 메모리의 특허동향(전체)=50,59,1

(표 3-20) 연도별 각 분야의 문헌 건수(전체)=52,61,1

(표 4-1) 10대 수출 상품 추이=54,63,1

(표 4-2) 세계 각 기관별 반도체 시장전망=56,65,1

(표 4-3) 업체별 매출순위 및 세계시장 점유율=56,65,1

그림목차

(그림 2-1) 메모리반도체의 종류 및 차세대 메모리반도체의 위상=8,17,1

(그림 2-2) PAT 외부전압에 따른 결정 내에서의 이온의 위치 변화=10,19,1

(그림 2-3) 외부전압에 의한 강유전체의 분극량 변화=11,20,1

(그림 2-4) FeRAM의 강유전체 재료로 널리 사용되고 있는 Perovskite구조 (PZT, BTO)와 Bi-Layer 구조 (SBT, BLT)의 개략도=11,20,1

(그림 2-5) 2T-2C구조를 가지는 FeRAM 메모리 셀의 개략구조=13,22,1

(그림 2-6) FeRAM 사진=14,23,1

(그림 2-7) MRAM 저장셀의 원리=16,25,1

(그림 2-8) Motorola가 발표한 1Mb MRAM 칩=17,26,1

(그림 2-9) 가변저항 구조=19,28,1

(그림 2-10) 전압의 변화에 따른 1차원 폴리머 전해질에서의 이온의 분리현상=22,31,1

(그림 2-11) Polymer RAM의 기본 Cross-Point Cell Array 및 Cell 구조=23,32,1

(그림 2-12) IBM의 Millipede의 개념도=30,39,1

(그림 3-1) FeRAM의 국가별 특허건수(전체)=33,42,1

(그림 3-2) FeRAM의 출원인별 특허건수(전체)=34,43,1

(그림 3-3) MRAM의 국가별 특허건수(전체)=35,44,1

(그림 3-4) MRAM의 출원인별 특허건수(전체)=36,45,1

(그림 3-5) Phase Change RAM의 국가별 특허건수(전체)=37,46,1

(그림 3-6) Phase Change RAM의 출원인별 특허건수(전체)=38,47,1

(그림 3-7) Polymer Memory의 국가별 특허건수(전체)=39,48,1

(그림 3-8) Polymer Memory의 출원인별 특허건수(전체)=40,49,1

(그림 3-9) Single Electron Memory의 국가별 특허건수(전체)=41,50,1

(그림 3-10) Single Electron Memory의 출원인별 특허건수(전체)=42,51,1

(그림 3-11) 한국의 차세대메모리 특허동향분석=46,55,1

(그림 3-12) 미국의 메모리 동향분석=47,56,1

(그림 3-13) 일본의 메모리 동향분석=48,57,1

(그림 3-14) 유럽의 메모리 동향분석=49,58,1

(그림 3-15) 차세대 메모리의 특허동향(전체)=50,59,1

(그림 4-1) 반도체 세계시장 전망=55,64,1

(그림 4-2) 차세대반도체의 연구개발 성숙단계=58,67,1

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등록번호 청구기호 권별정보 자료실 이용여부
0001078966 621.38152 ㅊ113ㅊ 서울관 서고(열람신청 후 1층 대출대) 이용가능
0001078967 621.38152 ㅊ113ㅊ 서울관 서고(열람신청 후 1층 대출대) 이용가능

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