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목차

[표제지 등]=0,1,2

제출문=0,3,1

보고서 초록=0,4,1

요약문=1,5,11

목차=12,16,2

제1장 연구 개발 과제의 개요=14,18,1

제1절 연구개발 개요=14,18,1

제2절 연구개발의 경제ㆍ사회ㆍ기술적 중요성=14,18,2

제3절 지금까지의 연구개발 실적=16,20,1

제4절 현기술의 취약점=16,20,2

제2장 국내외 기술개발 현황=17,21,2

제3장 연구 개발 수행 내용 및 결과=19,23,1

제1절 연구 추진 전략 및 방법=19,23,1

1. 연구추진 전략=19,23,1

2. 연구추진방법=20,24,31

제2절 연구 개발 결과=51,55,1

1. 신개념의 비정질 실리콘 결정화=51,55,13

2. 니켈의 선택적 증착에 의한 결정화 특성=64,68,4

3. 실리콘 질화막을 덮개층을 이용한 결정화=68,72,7

4. 실리콘 산화막을 나노 덮개층으로 이용한 결정화=75,79,4

5. 비정질 실리콘 박막 두께에 따른 결정화 특성=79,83,3

6. 초박막 비정질 실리콘의 결정화=82,86,4

7. 거대 그레인으로 결정화된 다결정 실리콘=86,90,2

8. 저온 SiO₂증착 기술=88,92,2

9. 저온 TFT 공정 및 구조=90,94,4

10. TFT 표면 및 계면 연구=94,98,4

11. n+/p+의 저온 Activation=98,102,2

12. Poly-Si 박막의 In-Situ 형성 기술=100,104,2

제4장 연구 개발 목표 달성도 및 대외 기여도=102,106,1

제1절 연구 개발 목표 달성도=102,106,1

제2절 연구 개발의 대외 기여도 및 기대성과=102,106,1

1. 연구 개발의 대외 기여도=102,106,1

2. 연구 개발의 기대성과=102,106,2

제5장 연구 개발 결과의 활용 계획=104,108,3

제6장 참고 문헌=107,111,3

특정연구개발사업 연구결과 활용계획서=110,114,16

영문목차

[title page etc.]=0,1,8

Summary=5,9,5

Contents=10,14,4

Chapter I. Overview Of The Project=14,18,1

1. Economical, Social, And Technical Importance Of The Project=14,18,1

2. State-Of-The-Art Of The Related Fields=14,18,2

3. Wak Points In State-Of-The-Art=16,20,1

4. Prospects=16,20,2

Chapter II. The Present Technical Achievements Of R＆D In The World=17,21,2

Chapter III. Technical Achievements ＆ Detailed Features Of The Project=19,23,1

Section 1. Strategy ＆ Execution Method For The Project=19,23,1

1. Strategy=19,23,2

2. Execution Method=20,24,31

Section 2. Technical Achievements Thru The Project=51,55,1

1. New Method For The Crystallization Of A-Si=51,55,13

2. Crystallization Of A-Si Using Selective Ni Deposition=64,68,4

3. Crystallization Of A-Si Using SiNx Capping Layer(이미지 참조)=68,72,7

4. Crystallization Of A-Si Using SiO₂Nano Cap Layer=75,79,4

5. Effect Of A-Si Thickness On NI-Mediated Crystallization=79,83,3

6. Crystallization Of Ultra-Thin A-Si Film=82,86,4

7. Giant Grain Poly-Si=86,90,2

8. Deposition Technique For Low Temperature SiO₂=88,92,2

9. Low Temperature Process And New Structure For TFT=90,94,4

10. Examination Of Interface Characteristics In TFT=94,98,4

11. Low Temperature Activation Technique For n+/p+ Contacts=98,102,2

12. In-Situ Formation Technique Of Poly-Si Thin Film=100,104,2

Chapter IV. Degree Of Achievements And Contribution To Related Fields=102,106,1

Section 1. Degree Of Achievements=102,106,1

Section 2. Contribution To The Related Fields And Expected Effect=102,106,1

1. Contribution To The Related Fields=102,106,1

2. Expected Effect=102,106,2

Chapter V. Plan For Application Of The Achievements=104,108,3

Chapter VI. References=107,111,19

칼라목차

jpg

그림 26. 전기장 세기에 따른 결정화된 박막의 광학 현미경 사진: 20 (a), 40 (b), 54 (c), 70 (d) V/cm=66,70,1

그림 39. 열처리 온도와 시간, 열처리 방법에 따라 절정화된 다결정 실리콘 박막의 주사전자 현미경 이미지. (a) 도가니, 500℃ 60 시간, (b) 도가니, 550℃ 99 시간, (c) 도가니, 580℃ 10시간, (d) 자외선 조사, 630℃ 20분=83,87,1

그림 48. Poly-si 표면에 플라즈마 처리에 따른 제작된 FE-SMC poly-si TFT의 transfer 특성=96,100,1

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TFT-LCD용 저온 공정 및 소자 연구. 2004 이용현황 표 - 등록번호, 청구기호, 권별정보, 자료실, 이용여부로 구성 되어있습니다.
등록번호 청구기호 권별정보 자료실 이용여부
0001078772 621.381528 ㄱ373t 2004 서울관 서고(열람신청 후 1층 대출대) 이용중
0001078773 621.381528 ㄱ373t 2004 서울관 서고(열람신청 후 1층 대출대) 이용중

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