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목차
표제지=0,1,1
제출문=1,2,2
보고서 초록/서동진=3,4,2
요약문=5,6,4
SUMMARY=9,10,4
CONTENTS=13,14,2
목차=15,16,2
제1장 서론=17,18,1
제1절 연구개발의 목적 및 필요성=17,18,2
제2절 연구개발의 범위=19,20,2
제3절 국내외 기술 현황=21,22,2
제4절 연구체계=23,24,2
제2장 이론적 배경=25,26,1
제1절 촉매이론=25,26,1
1. 촉매의 정의=25,26,2
2. 촉매 반응 메카니즘=26,27,3
3. 촉매 제조 방법=29,30,1
가. 함침법=29,30,4
나. 침전법=32,33,2
다. 이온교환법=33,34,4
제2절 성형 기술=37,38,1
1. 촉매의 크기 및 형상이 촉매 활성에 미치는 영향=37,38,3
2. 촉매 형상의 중요성=39,40,1
3. 성형방법=40,41,1
가. 펠렛팅(Pelleting)법=40,41,3
나. 압출 성형(Extrusion)법=43,44,2
다. 제환 성형(Granulation)법=45,46,2
라. 분무 건조(Spray Drying)법=47,48,2
제3절 반도체 공정용 촉매 및 정화제=49,50,3
제4절 촉매 특성분석 방법=52,53,3
제3장 실험 및 고찰=55,56,2
제1절 정화제의 강도에 미치는 변수의 연구=57,58,1
1. 성형기의 종류가 정화제의 강도에 미치는 영향=57,58,1
가. 피스톤식 고압 압출기=57,58,3
나. 피스톤식 저압압출기=60,61,1
다. 두개실린더형 성형기=60,61,1
라. 원형 토출식 성형기=60,61,7
2. 첨가제가 성형된 정화제 강도에 미치는 영향=67,68,2
3. Mixing 및 kneading 시간 및 방법이 강도에 미치는 영향=69,70,6
제2절 정화제의 표면적에 미치는 영향=75,76,1
1. 성형기 종류에 따른 영향=75,76,1
2. 첨가제의 종류가 정화제의 표면적에 미치는 영향=75,76,3
제3절 정화제의 세공부피 및 세공분포에 미치는 변수의 연구=78,79,1
1. 성형기 종류가 정화제의 세공부피에 미치는 영향=78,79,1
2. 첨가제의 종류가 세공부피에 미치는 영향=78,79,2
제4절 성형된 정화제의 반응성 실험결과=80,81,2
1. 테스트 샘플의 준비=82,83,2
2. 반응성 테스트 장치=83,84,5
3. 정화제 물성 분석=88,89,2
4. 반응성 테스트 결과=90,91,1
5. 성형기의 종류에 따른 정화제 반응성 고찰=91,92,1
가. BCl₃가스 제거 정화제의 반응성 테스트 결과=91,92,4
나. Cl₂가스 제거 정화제의 반응성 테스트 결과=94,95,3
제4장 결론=97,98,4
제5장 연구개발 목표 달성도 및 대외 기여도=101,102,2
특정연구개발사업 연구결과 활용계획서/서동진=103,104,11
영문목차
[title page etc.]=0,1,13
CONTENTS=13,14,4
Chapter I. Introduction=17,18,1
I. Objectives of this study=17,18,2
II. Scopes of this study=19,20,2
III. Current status of cleaning agent for semiconductor process=21,22,2
IV. Research organization=23,24,2
Chapter II. State of the art report=25,26,1
I. Theory of catalysis=25,26,1
1. Definition of catalysis=25,26,2
2. Catalytic reaction mechanism=26,27,3
3. Preparation methods of catalysts=29,30,1
A. Impregnation method=29,30,4
B. Precipitation method=32,33,2
C. Ion exchange method=33,34,4
II. Forming technology for catalysts=37,38,1
1. Effect of size and shape of catalysts on catalytic activity=37,38,3
2. Importance of catalyst shape=39,40,1
3. Forming method=40,41,1
A. Pelletizing=40,41,3
B. Extrusion=43,44,2
C. Granulation=45,46,2
D. Spray Drying=47,48,2
III. Cleaning Agent for Effluent Gas from Semiconductor Manufacturing Process=49,50,3
IV. Characterization methods for catalyst research=52,53,3
Chapter III. Experiments,Results and Discussion=55,56,2
I. Studies on methanical strength of cleaning agent=57,58,1
1. Effects of types of extruder=57,58,1
A. Piston type high pressure extruder=57,58,3
B. Piston type low pressure extruder=60,61,1
C. Two-cylinder type extruder=60,61,1
D. Drum extruder=60,61,7
2. Effects of additives=67,68,2
3. Effects of mixing and kneading condition=69,70,6
II. Studies on surface area of cleaning agent=75,76,1
1. Effects of types of extruder=75,76,1
2. Effects of additives=75,76,3
III. Studies on pore volume and pore distribution of cleaning agent=78,79,1
1. Effects of types of extruder=78,79,1
2. Effects of additives=78,79,2
IV. Studies on reaction activity of cleaning agent=80,81,2
1. Preparation of samples=82,83,2
2. Reaction apparatus=83,84,5
3. Characterization=88,89,2
4. Results of reaction experiments=90,91,1
5. Discussion on effect of extruder type=91,92,1
A. Reaction for BCl₃removal=91,92,4
B. Reaction for Cl₂removal=94,95,3
Chapter IV. Conclusions=97,98,4
Chapter V. Evaluation of the research project=101,102,13
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