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| 기사명 | 저자명 | 페이지 | 원문 | 기사목차 |
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동의어 포함
목차
[표제지 등]=0,1,2
제출문=0,3,1
보고서 초록=0,4,1
요약문=0,5,12
목차=0,17,2
제1장 연구개발과제의 개요=1,19,1
제2장 국내외 기술 개발 현황=2,20,1
제1절 국외의 연구 개발 실적=2,20,1
제2절 국내의 연구 개발 실적=2,20,2
제3절 연구결과가 국내외 기술개발현황에서 차지하는 위치=3,21,2
제3장 연구개발수행 내용 및 결과=5,23,1
제1절 1차년도 연구개발수행 내용=5,23,1
1. 고전압 ASIC 설계=5,23,12
2. 150V/300V급 고전압 소자 모델링=17,35,6
3. 150V/300V급 고전압 공정에서 기판 잡음 분석 및 모델링=23,41,9
제2절 2차년도 연구개발수행 내용=32,50,1
1. 150V/250V급 고전압 집적회로의 ESD 보호회로 설계=32,50,11
2. 0.35㎛ CMOS 공정을 사용한 ESD 보호회로 설계=43,61,2
3. 열방출을 위한 Metal Routing=45,63,3
4. IP 회로 설계=48,66,11
제3절 3차년도 연구개발수행 내용=59,77,1
1. 고전압 소자 설계=59,77,14
2. 고전압 소자 모델링=72,90,6
3. 기판 잡음 모델링=78,96,14
4. 고전압 MOS 소자의 열류방정식 및 열방출 Metal Routing=91,109,3
5. Low-Quiescent Current And High Slew-Rate OP-AMP 설계=94,112,2
제4절 4차년도 연구개발수행 내용=96,114,1
1. 고전압 소자 설계=96,114,12
2. 고전압 소자의 열화 특성 연구=108,126,6
3. 60V급 RE LDMOS 설계=114,132,4
4. 기판 잡음 연구=118,136,8
5. IP 설계=126,144,15
6. 응용 시스템 LSI 설계=141,159,10
7. 응용 시스템 LSI 선정 및 규격 설정=151,169,4
제5절 5차년도 연구개발수행 내용=155,173,1
1. 고전압 IP Library 구축=155,173,22
2. PDP 구동 LSI 설계 (Data Driver)=177,195,6
3. PDP 구동 LSI 설계 (Scan Driver)=183,201,6
4. AMOELD 구동 LSI 설계=189,207,13
5. 10-Bit Gray Scale LCD 구동 LSI 설계=202,220,12
제4장 목표 달성도 및 관련 분야에의 기여도=214,232,1
제1절 연구 목표 달성도=214,232,3
제2절 관련 분야에 기여도=217,235,1
1. 기술적 측면=217,235,2
2. 경제 산업적 측면=218,236,1
제5장 연구 개발 결과의 활용계획=219,237,1
제1절 연구개발 결과의 특징=219,237,1
제2절 연구개발 결과의 활용 가능성=219,237,1
제6장 참고문헌=220,238,2
영문목차
[title page etc.]=0,1,9
Summary=0,10,5
Contents=0,15,4
Chapter 1. Outline Of Research=1,19,1
Chapter 2. Technology Trend=2,20,1
Section 1. International Technology Trend=2,20,1
Section 2. Internal Technology Trend=2,20,2
Section 3. Significance Of Research=3,21,2
Chapter 3. Results Of Research=5,23,1
Section 1. First Year Research Attainment=5,23,1
1. High Voltage Asic Device Design=5,23,12
2. 150V/300V High Voltage Device Modeling=17,35,6
3. Substrate Noise Analysis & Modeling Of High Voltage Process=23,41,9
Section 2. Second Year Research Attainments=32,50,1
1. Esd Protection Circuit Design In 150V/250V Hvic=32,50,11
2. Esd Protection Circuit Design Using O.35J(/Rn Cmos Proccss=43,61,2
3. Metal Routing For Hcat Sink=45,63,3
4. Ip Circuit Design=48,66,11
Section 3. Third Year Research Attainments=59,77,1
1. High Voltage Device Design=59,77,14
2. High Voltage Device Modeling=72,90,6
3. Substrate Noise Modeling=78,96,14
4. High Voltage Mos Device Moe1Ing For Heat Sink=91,109,3
5. Low-Quiescent Current And High Slew-Rate Op-AMP Design=94,112,2
Section 4. Fourth Year Research Attainments=96,114,1
1. High Voltage Device Design=96,114,12
2. Analysis Of High Voltage Device Heating=108,126,6
3. 60V급 Rf LDMOS Design=114,132,4
4. Analysis Of Substrate Noise=118,136,8
5. Ip Design=126,144,15
6. Application Specific Lsi System Desigrn=141,159,10
7. Application Specific Lsi System Selection T Specification=151,169,4
Section 5. Fifth Year Research Attainments=155,173,1
1. High Voltage If Library Development=155,173,22
2. Pdp Driver Lsi Design (Data Driver)=177,195,6
3. Pdp Driver Lsi Design (Scan Driver)=183,201,6
4. Amoeld Driver Lsi Design=189,207,13
5. 10-Bit Gray Scale LCD Driver Lsi Design=202,220,12
Chapter 4. Achievement & Contribution=214,232,1
Section 1. Achievement=214,232,3
Section 2. Contribution=217,235,1
1. Technology Contribution=217,235,2
2. Industrial Contribution=218,236,1
Chapter 5. Method Of Practical Use=219,237,1
Section 1. Characteristics Of This Research=219,237,1
Section 2. Method Of Practical Use=219,237,1
Chapter 6. References=220,238,2
jpg
그림 195. 연산중폭기 회로도(a)그림 1에서 사용된 PMOS, NMOS 입력을 가진 연산증폭기 (b) Rail-To-Rail 폴디드 케스코드 입력단을 가진 제안된 연산증폭기=169,187,1
그림 196. 연산증폭기의 다이 사진=169,187,1
그림 197. 연산증폭기의 출력 파형=169,187,1
그림 206. 데이터 구동 IC의 블록도=178,196,1
그림 207. 데이터 구동 IC의 로직 시뮬레이션=178,196,1
그림 216. PDP 스캔 구동 IC의 로직 시뮬레이션 결과=184,202,1
그림 250. 실장 테스트 사진:(a) 가로 줄 패턴 테스트, (b) 세로 줄 패턴 테스트, (c) 윈도우 바탕화면 출력 테스트=213,231,1
| 등록번호 | 청구기호 | 권별정보 | 자료실 | 이용여부 |
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| 0001080832 | 621.381 ㄱ373s | v.2 | 서울관 서고(열람신청 후 1층 대출대) | 이용중 |
| 0001080833 | 621.381 ㄱ373s | v.2 | 서울관 서고(열람신청 후 1층 대출대) | 이용중 |
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