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목차

표제지=0,1,1

제출문=0,2,1

보고서 초록/서상희=1,3,2

요약문=3,5,2

SUMMARY=5,7,2

CONTENTS=7,9,2

목차=9,11,2

제1장. 연구개발 과제의 개요=11,13,1

제1절. 개요=11,13,1

제2절. 연구개발의 최종 목표=11,13,2

제3절. 연구개발 필요성=12,14,2

제4절. 연구개발 범위=13,15,2

제2장. 국내외 기술개발 현황=15,17,1

제1절. 국내 기술 현황=15,17,1

1. 지금까지의 연구개발 실적=15,17,1

2. 현 기술상태의 취약성=15,17,1

3. 앞으로의 전망=15,17,1

제2절. 국외 기술 현황=16,18,1

제3장. 연구개발 수행 내용 및 결과=17,19,1

제1절. 중ㆍ원 적외선 동시 감지소자 개발=17,19,1

1. 서론=17,19,2

2. 중ㆍ원 적외선 검출용 HgCdTe 박막의 성장=18,20,1

가. MOVPE 성장 장치=18,20,3

나. HgCdTe 박막의 성장=20,22,1

다. 성장된 HgCdTe 박막의 특성=21,23,1

(1) 표면형상=21,23,1

(2) 성장된 박막의 조성 및 전기적 특성=22,24,3

라. 중ㆍ원 적외선 감지소자용 다층 구조의 HgCdTe 박막성장=24,26,1

3. 중ㆍ원 적외선 동시 검출기 소자 제작=25,27,1

가. 마스크 설계 및 layout=25,27,2

나. 중ㆍ원 적외선 동시 검출기 제작 공정=26,28,3

다. HgCdTe 식각 공정=28,30,4

라. HgCdTe 표면 보호막 형성 방법=31,33,1

(1) Cd 증기압를 이용한 CdZnTe 표면 보호막 형성=31,33,2

(2) Cd／Hg 열처리를 이용한 표면 보호막 형성=33,35,1

마. 소자 제작 결과 및 특성=33,35,1

(1) Cd 분압을 이용한 CdZnTe 표면 보호막 형성 및 다이오드 제작 결과=33,35,4

(2) Cd／Hg 열처리를 이용한 표면 보호막 형성 및 다이오드 제작 결과=36,38,5

(3) 중적외선 감지 소자 제작 결과=40,42,4

(4) ECR plasma를 이용한 HgCdTe 다이오드 제작 결과=43,45,4

(5) 중ㆍ원 적외선 동시 검출기 제작 결과=46,48,4

바. 결론=49,51,1

제2절. 중ㆍ원 적외선 동시 감지 소자용 Readout 회로의 설계 및 제작=50,52,1

1. 서론=50,52,1

2. 중ㆍ원 적외선 동시 검출기의 구조설계=50,52,7

3. 중ㆍ원 적외선 동시 검출기용 ROIC 제작 및 측정결과=56,58,4

제3절. 인듐 범프 형성 및 Hybridization=59,61,1

1. 서론=59,61,1

2. 인듐 범프 형성 기술=59,61,1

가. UBM 구조 형성=59,61,2

나. 인듐 범프 형성=61,63,1

다. Reflow=61,63,2

라. Hybrid Bonding=62,64,3

마. 요약 및 앞으로의 과제=64,66,1

제4절. ROIC와 결합된 적외선 감지소자의 신호측정=65,67,2

제5절. 열영상 시스템 개발=67,69,1

1. Pre Amp와 A／D 변환회로의 설계=67,69,1

2. Pre Amp,A／D Converter Circuit[원본불량;p.68]=67,69,3

3. ROIC Drive Circuit=69,71,1

4. 열 영상 TEST=69,71,1

가. Layout=69,71,2

나. 열 영상 구현=70,72,1

제4장. 목표달성도 및 관련분야에의 기여도=71,73,1

제1절. 연구개발 목표 달성도=71,73,2

제2절. 개발과제의 적응성 및 관련 분야 기여도=72,74,1

1. 연구개발 과제의 적응성=72,74,1

2. 기반기술 확보내용=72,74,2

3. 관련 특허 및 논문 발표 실적=73,75,2

제5장. 연구개발결과의 활용계획=75,77,2

제6장. 참고문헌=77,79,2

특정연구개발사업 연구결과 활용계획서=79,81,11

영문목차

[title page etc.]=0,1,8

CONTENTS=7,9,4

Chapter 1. Outline of the research project=11,13,1

Section 1. Introduction=11,13,1

Section 2. Research objectives=11,13,2

Section 3. Research necessity=12,14,2

Section 4. A scope of the research=13,15,2

Chapter 2. Current states of related technology=15,17,1

Section 1. Current states of domestic technology=15,17,1

Section 2. Current states of foreign technology=16,18,1

Chapter 3. Research contents and results=17,19,1

Section 1. Development of mid and far infrared detectors=17,19,1

1. Introduction=17,19,2

2. The growth HgCdTe for dual band detector=18,20,7

3. Device process of dual band device=25,27,25

Section 2. Development of readout circuit for dual band detector=50,52,1

1. Introdution=50,52,1

2. Design of dual band structure=50,52,7

3. Characteristics of ROIC=56,58,4

Section 3. Indium bump and hybridization=59,61,1

1. Introdution=59,61,1

2. Technique for making Indium bump=59,61,6

Section 4. Signal test for ROIC conbined with IR sensor=65,67,2

Section 5. Development of thermal imaging system=67,69,1

1. Design of pre amplifier and A／D converter=67,69,1

2. Circuits of amplifier and A／D conventer[원본불량;p.68]=67,69,3

3. ROIC drive circuit=69,71,1

4. Test for thermal image=69,71,2

Chapter 4. Achievement rate and contributions to the related fields=71,73,4

Chapter 5. Future plan for utilizing research results=75,77,2

Chapter 6. References=77,79,13

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