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[표제지 등]=0,1,2

제출문=0,3,1

보고서 초록=0,4,1

요약문=0,5,2

Summary=0,7,2

목차=0,9,2

제1장 연구개발과제의 개요=1,11,1

제1절 연구개발의 목적=1,11,1

제2절 연구개발의 필요성=2,12,1

1. 기술적 측면=2,12,1

2. 경제적 측면=3,13,2

3. 사회적 측면=4,14,1

제3절 연구개발의 범위=4,14,2

제2장 국내외 기술개발 현황=6,16,1

제1절 유사 연구사례에 대한 조사 현황=6,16,1

1. CMP(Chemical Mechanical Polishing) 기술 개발 현황=6,16,6

2. 시장현황 및 사업화 전망=11,21,1

제2절 클러스터 이온빔 기술개발 현황=12,22,1

1. 국외의 경우=12,22,1

2. 국내의 경우=12,22,1

3. 조사한 연구개발사례에 대한 자체분석 및 평가결과=12,22,3

제3장 연구개발수행 내용 및 결과=15,25,1

제1절 Highly Charged 이온빔 조사 시뮬레이션 Tool 개발=15,25,1

1. HCI(Highly Charged Ions) 연구의 개요=15,25,3

2. 연구내용 및 방법=17,27,4

3. HCI와 표면 모델의 개발=20,30,5

4. 실리콘 Si표면에서 HCI Xe+q(q＝10(-44)) 충돌 MD 연구(이미지 참조)=24,34,5

5. HCI 조사에 의한 Si(100)표면의 충격파와 분화구 위치=28,38,4

6. 표면 역학 방정식=31,41,2

7. 결론=32,42,1

제2절 HCI 클러스터 이온빔 장치 설계 및 제작=33,43,1

1. HCI 시스템 도면 설계=33,43,4

2. 고진공 Ar 이온 빔 조사 장치 제작=37,47,3

제4장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도=40,50,1

제1절 연구목표의 달성도=40,50,1

1. 연구 결과=40,50,1

2. 관련 분야에 대한 기여도=41,51,2

제5장 연구개발결과의 활용계획=43,53,1

제1절 기술수요 및 전망=43,53,1

1. 현재의 기술수요=43,53,1

2. 향후 기술수요 전망=43,53,1

제2절 활용 분야=44,54,1

1. 기초과학 분야=44,54,1

2. 교육 분야=44,54,1

3. 산업 분야=45,55,1

제3절 이전 기술=46,56,1

1. 이전기술의 명칭=46,56,1

2. 이전기술을 도출한 과제현황=46,56,1

3. 이전기술의 주요 내용=47,57,1

제6장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보=48,58,1

제1절 HCI 이론=48,58,2

제2절 HCI 장치 설계 및 제작에 관한 연구 분야=49,59,1

1. ECR Ion Source 분야=49,59,2

2. HCI Sources와 고체 표면과의 Impact 실험 연구=50,60,3

3. HCI가속장치 제작 분야=52,62,1

4. 표적물질과의 HCI의 Impact에 따른 스퍼터링 연구와 스퍼터링 수율 계산=52,62,2

제7장 참고문헌=54,64,48

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