대표어
권호기사보기
| 기사명 | 저자명 | 페이지 | 원문 | 기사목차 |
|---|
결과 내 검색
동의어 포함
목차
[표제지]=0,1,2
제출문=1,3,2
보고서 초록=3,5,2
요약문=5,7,2
Summary=7,9,2
Contents=9,11,2
목차=11,13,2
제1장 서론=13,15,2
제2장 실리콘 포토닉스 연구=15,17,1
제1절 서론=15,17,2
제2절 실리콘 나노상에 의한 발광 특성 연구=16,18,1
1. Si 산화 메커니즘 연구=16,18,5
2. SRO에 의한 Si 나노상 형성 및 PL 특성 최적화=20,22,2
3. SiOx/SiO₂ 적층구조 제작 및 PL 특성 최적화=21,23,4
4. IBSD에 의한 SiNx 내의 실리콘 나노상 형성 및 발광특성 연구(이미지참조)=24,26,6
5. SiNxOy에 의한 Si 나노상 형성 및 PL 에너지 변화 연구(이미지참조)=29,31,3
참고문헌=32,34,1
제3절 실리콘 나노결정의 Er Doping=33,35,1
1. 실리콘 나노점의 결정성 영향 연구=34,36,4
2. Ge 나노점의 결정성 영향 연구=37,39,2
3. Nitride 박막의 Er Doping=38,40,2
제4절 저온 Solid Phase Epitaxy를 이용한 Ultra-Shallow Jnction 형성 공정 연구=40,42,11
인용문헌=51,53,1
제5절 나노전자소자 응용을 위한 실리콘 양자점 형성 연구=52,54,8
인용문헌=60,62,1
제3장 탄소 혼입에 의한 실리콘 기판의 변형 연구=61,63,1
제1절 연구의 배경 및 필요성=61,63,1
제2절 국내외 기술개발 현황=62,64,1
제3절 연구개발 수행 내용 및 결과=62,64,9
제4절 결론=70,72,1
제5절 연구개발 결과의 활용계획=71,73,1
제4장 Epi-Si 및 SiGe 성장 연구=72,74,1
제1절 UHV-CVD에 의한 Epi-Si 층 형성 및 산소 혼입 과정 In-Situ MEIS 연구=72,74,1
1. In-Situ MEIS 분석 UHV-CVD 장비 제작 및 성능 평가=72,74,3
2. UHV-CVD를 이용한 Si Epi Layer성장 및 초기 산소 흡입과정 연구=74,76,8
제2절 CMOS Device 적용을 위한 Strained Epi-Sil-xGex의 산화 및 Relaxation 특성 연구=82,84,1
1. Epi-Si₁-xGex 박막의 증착 특성 연구=82,84,4
2. Epi-Si₁-xGex 박막의 두께와 조성에 따른 잔류 Stress에 대한 연구=85,87,3
3. Epi-Si₁-xGex 박막의 산화 특성 연구=87,89,11
4. 산화에 의해 형성된 Ge Rich 층을 이용한 Relaxed Si₁-xGex의 성장=98,100,4
제5장 결론=102,104,1
부록 : 논문, 학술발표 List=103,105,3
*표시는 필수 입력사항입니다.
| 전화번호 |
|---|
| 기사명 | 저자명 | 페이지 | 원문 | 기사목차 |
|---|
| 번호 | 발행일자 | 권호명 | 제본정보 | 자료실 | 원문 | 신청 페이지 |
|---|
도서위치안내: / 서가번호:
우편복사 목록담기를 완료하였습니다.
*표시는 필수 입력사항입니다.
저장 되었습니다.
