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목차

[표제지 등]=0,1,2

제출문=1,3,2

보고서 초록=3,5,2

요약문=5,7,3

Summary=8,10,3

Contents=11,13,3

목차=14,16,3

제1장 연구개발 과제의 개요=17,19,3

제2장 국내외 기술개발 현황=20,22,1

제1절 국외의 테라헤르츠파 연구 개발 현황=20,22,1

1. 미국=20,22,2

2. 유럽=22,24,7

3. 일본=28,30,2

4. 기타 국외 기술 개발 현황=30,32,2

제2절 국내의 테라헤르츠파 연구 개발 현황=32,34,1

제3절 테라헤르츠 기술 특허 분석(1990-2004)=33,35,2

제3장 연구개발수행 내용 및 결과=35,37,1

제1절 테라헤르츠파 발생 및 계측을 위한 기본 시스템 구축=35,37,1

1. 초고속 레이저 시스템=35,37,3

2. 계측 및 광학계=37,39,3

제2절 광전도 안테나에 의한 테라헤르츠파의 발생 및 계측=39,41,1

1. 광전도 안테나의 구조와 제작=39,41,2

2. 테라헤르츠파의 발생과 측정=41,43,2

3. 광전도 안테나를 이용한 테라헤르츠파 발생 및 검출 특성=42,44,9

제3절 광정류법에 의한 테라헤르츠파의 발생 및 계측=51,53,1

1. 비선형 매질 내에서의 광정류 현상=51,53,2

2. ZnTe 결정을 이용한 광정류에 의한 테라헤르츠파 발생특성=53,55,11

제4절 반도체 표면 전계를 이용한 테라헤르츠파의 발생 및 계측=63,65,1

1. 반도체 표면전계를 이용한 THz파의 발생원리=63,65,2

2. InAs 반도체 표면을 이용한 테라헤르츠파의 발생=65,67,1

3. InAs 표면으로부터의 THz파 발생 특성=66,68,3

4. 테라헤르츠파의 공간전파 특성=69,71,10

제5절 테라헤르츠파 시영역 분광법에 의한 시료의 특성분석=79,81,1

1. 테라헤르츠파 분광기술(THz-TDS)=79,81,2

2. 액체 및 고체 물질에 대한 분광특성=80,82,8

제6절 테라헤르츠파 이미징을 이용한 구조분석=88,90,1

1. 테라헤르츠파 이미징(T-Ray Imaging)=88,90,2

2. 실험방법=89,91,2

3. 펄스 피크값 또는 위상정보를 이용한 이미징=90,92,3

4. 펄스 피크값과 위상값을 조합한 이미징=92,94,7

5. 이미지 처리를 통한 해상도 향상=98,100,2

6. 반사형 이미징 시스템을 이용한 T-Ray 영상=100,102,4

제4장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도=104,106,1

제1절 연구개발 목표의 달성도=104,106,1

1. 1차년도=104,106,1

2. 2 차년도=105,107,1

3. 계량적 연구성과=105,107,3

제2절 연구결과의 관련분야 기술 발전에의 기여도=107,109,1

1. 기술적측면=107,109,2

2. 경제 사회적 측면=108,110,2

제5장 연구개발결과의 활용계획=110,112,1

제1절 바이오 기술=110,112,6

제2절 국방 및 보안분야=115,117,2

제3절 나노기술=116,118,2

제4절 정보기술=117,119,3

제5절 환경기술=119,121,1

제6절 우주기술=119,121,2

제6장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보=121,123,1

제1절 해외단기 연수 통하여 수집한 자료=121,123,20

제2절 국외 학술대회 참가를 통한 해외 기술정보수집=141,143,1

1. CLEO 2004 학회 자료=141,143,7

2. 35th Workshope: Physics And Technology Of THz Photonics=148,150,12

3. TeraTech 2005 International Workshop=159,161,6

제7장 참고문헌=165,167,3

부록=168,170,15