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목차

[표제지 등]=0,1,2

제출문=0,3,1

최종연구보고서 초록=0,4,2

요약문=I,6,3

Summary=IV,9,3

Contents=VII,12,1

List Of Tables=VIII,13,1

List Of Figures=IX,14,3

목차=XII,17,1

표목차=XIII,18,1

그림목차=XIV,19,3

제1장 연구개발과제의 개요=1,22,2

제2장 국내ㆍ외 기술개발 현황=3,24,2

제3장 연구개발수행 내용 및 결과=5,26,1

제1절 중성자 탐지용 반도체소자의 변수별 중성자 특성분석=5,26,1

1. PIN 다이오드 중성자관련 특성=5,26,8

2. 중성자 빔에 대한 방향의존성 특성시험 및 평가=12,33,2

3. 재사용 가능성 시험평가=14,35,2

4. 중성자 조사 후 시간함수의 열화현상 분석시험=15,36,3

5. 열화에 의한 정보손실 보상 알고리즘 개발=17,38,3

제2절 열 감지용 다이오드의 속중성자 특성분석=20,41,1

1. 중성자 피폭선량과 소자 전도도 상관관계 해석=20,41,4

2. 중성자에 의한 광감도 변화 시험 및 특성분석=24,45,8

3. 시간함수의 열화현상 분석=31,52,2

4. HgCdTe 적외선 소자의 내방사선화 연구=32,53,22

5. 온라인 실시간 모니터링 모뮬 설계 및 제작=54,75,3

제4장 연구개발 목표 달성도 및 관련 분야에의 기여도=57,78,3

제5장 연구개발결과의 활용계획=60,81,1

제6장 참고문헌=61,82,2

서지정보양식=63,84,2

표목차

표 1. 실험에 사용된 ZnS 절연막 MCT 적외선 소자의 사양=24,45,1

표 2. Silicon 기판에 증착돤 CdTe의 EDAX를 이용한 성분 분석=36,57,1

그림목차

그림 1. 중성자 피폭에 의한 PIN다이오드 내부 변위손상효과=6,27,1

그림 2. 중성자 피폭량 증가에 따른 I-V 특성곡선의 변화=7,28,1

그림 3. 속중성자 탐지용 PIN 다이오드=7,28,1

그림 4. PIN 다이오드 내부구조=8,29,1

그림 5. PIN 다이오드 I-V 특성=8,29,1

그림 6. 한국원자력병원 싸이크로트론의 내부 구성도=9,30,1

그림 7. MC-50 중성자 조사장치에서 발생된 중성자의 에너지 분포=10,31,1

그림 8. 고감도 PIN 다이오드 감도시험 환경=11,32,1

그림 9. MC-50 35MeV 중성자에 대한 감도특성=12,33,1

그림 10. 방향 의존성 시험 결과=13,34,1

그림 11. 재사용 가능성 시험 결과=14,35,1

그림 12. 단시간에 나타난 열화특성=16,37,1

그림 13. 상온 장시간 열화과정=17,38,1

그림 14. 열화현상에 의한 방사선량 정보손실 과정=18,39,1

그림 15. 열화현상에 방지를 위한 알고리즘 구성=19,40,1

그림 16. 적외선 감지 소자의 분류=20,41,1

그림 17. 광전도형, 광전압형 적외선 감지소자의 구조=21,42,1

그림 18. 실험에 사용된 MCT 적외선 소자=25,46,1

그림 19. 양성자 가속 중성자 조사장치 개략도=26,47,1

그림 20. ZnS막 MCT 적외선 소자의 온라인 중성자 조사시험=26,47,1

그림 21. 중성자 조사 결과=27,48,1

그림 22. 감마선 조사 전과 조사 중의 소자 특성 변화=28,49,1

그림 23. 감마선 조사에 따른 역방향 특성의 변화=29,50,1

그림 24. 감마선 조사량에 따른 Ro값의 변화=30,51,1

그림 25. 표면 고정전하에 따른 표면 상태 변화=31,52,1

그림 26. 방사선 조사가 후 상온에서의 소자특성 변화=32,53,1

그림 27. 표면 전위 예상도=33,54,1

그림 28. 표면 보호 물질에 따른 소자의 고정전하에 의한 영향=34,55,1

그림 29. Si 기판에 증착된 CdTe 단면의 SEM 사진=35,56,1

그림 30. Si 기판에 증착된 CdTe 표면 SEM 사진=35,56,1

그림 31. ZnS/CdTe/HgCdTe의 AES Depth Profile 측정결과=36,57,1

그림 32. 절연성 및 계면 특성측정을 위한 MIS 구조=37,58,1

그림 33. Gate 양단의 I-V 특성=37,58,1

그림 34. Gate Contact 사이의 C-V 특성=38,59,1

그림 35. 설계된 C-V Pattern=39,60,1

그림 36. 설계된 Variable Area Diodc Pattern=39,60,1

그림 37. Variable Area Diode Pattern 측정 결과=40,61,1

그림 38. Gate Controlled Diode의 단면구조=41,62,1

그림 39. Gate Controllod Diode Patten의 모습=41,62,1

그림 40. MISFET 패턴=42,63,1

그림 41. MISFET 소자의 V(GS)-I(D) 특성(이미지 참조)=42,63,1

그림 42. PC Decay를 이용한 소수전자 수명 측정 장치=43,64,1

그림 43. PC Decay 소자로부터 나오는 신호와 이를 모델과 Fitting한 결과=43,64,1

그림 44. Optical Shadow Pattern의 모습=44,65,1

그림 45. Optical Shadow Pattern을 이용하어 확산거리를 추출한 결과=44,65,1

그림 46. Test Pattern용 MASK 전체 도면=45,66,1

그림 47. Silicon Pad용 MASK 도면=45,66,1

그림 48. 실제 제작된 소자의 사진=45,66,1

그림 49. 제작된 소자의 C-V 특성=46,67,1

그림 50. Gate Controlled Diode의 특성=47,68,1

그림 51. Diffusion Length Test Pattern 측정 결과=48,69,1

그림 52. Diffusion Length 추출 결과=48,69,1

그림 53. CdTe 소자의 방사선 조사시설 설치 장면=49,70,1

그림 54. CdTe 소자의 감마선 누적선량에 따른 Ro 값의 변화=50,71,1

그림 55. 적외선 윈도우 물질의 감마방사선 시험=51,72,1

그림 56. Silicon Window의 방사선에 따른 투과도 변화 측정 결과=52,73,1

그림 57. Ge Window의 방사선에 따른 투과도 변화 측정 결과=53,74,1

그림 58. Sapphire Window의 방사선에 따른 투과도 변화=53,74,1

그림 59. 방사선 영향 실시간 측정 및 저장 모듈=54,75,1

그림 60. 온라인 방사선량 측정모듈의 MC-50내 설치모습=55,76,1

그림 61. 시간의 경과에 따른 선량값의 실시간 모니터링 변화=56,77,1

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