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목차
[표제지]=0,1,1
제출문=0,2,1
보고서 초록=0,3,1
요약문=1,4,5
Summary=6,9,1
Contents=7,10,1
목차=8,11,1
제1장 연구개발과제의 개요=9,12,1
제1절 연구개발의 필요성과 목적=9,12,1
제2절 연구개발의 범위=10,13,1
제2장 국내외 기술개발 현황=11,14,1
제1절 국ㆍ내외 관련분야에 대한 기술개발 현황=11,14,17
제2절 연구결과가 차지하는 위치=28,31,3
제3장 연구개발 수행 내용 및 결과=31,34,1
제1절 연구 추친 전략 및 방법=31,34,3
제2절 연구 수행 내용 및 주요 결과=34,37,11
제3절 주요 연구 성과=44,47,20
제4장 목표 달성도 및 관련분야에의 기여도=64,67,1
제1절 연구개발목표의 달성도=64,67,4
제2절 관련분야 기술발전에의 기여도=68,71,3
제5장 연구개발 결과의 활용계획=71,74,3
제6장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술 정보=74,77,6
제7장 참고문헌=80,83,4
영문목차
[title page etc.]=0,1,8
Summary=6,9,1
Contents=7,10,2
Chapter 1. A Brief Outline Of The Present Research=9,12,1
Section 1. Purpose And Objectives=9,12,1
Section 2. Scope Of Research=10,13,1
Chapter 2. Current Technological Status=11,14,1
Section 1. Domestic And International Status=11,14,17
Section 2. Status Of Research Results In The Field=28,31,3
Chapter 3. Research Contents And Important Results=31,34,1
Section 1. Research Strategies=31,34,3
Section 2. Research Contents And Results=34,37,11
Section 3. Achievements=44,47,20
Chapter 4. Degree Of R&D Accomplishment And Their Contributions=64,67,1
Section 1. Achievement=64,67,4
Section 2. Contribution To Related Technologies=68,71,3
Chapter 5. Future Plans For Utilizing The Present R&D Results=71,74,3
Chapter 6. Important Technological Informations From Foreign Countries=74,77,6
Chapter 7. References=80,83,4
jpg
그림11. Si Spin-FET의 도식도=27,30,1
그림12. (Ga, Mn)N Spin-LED의 단면도=27,30,1
나. ITO 적층을 이용한 나노 투명 전극 기술 개발=35,38,1
마. 레이저 조사를 통한 수직 구조 GaN LED 구현=36,39,1
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