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목차보기

[표지] 1

제출문 2

보고서 요약서 3

국문 요약문 4

영문 요약문 5

영문 목차 6

목차 6

1. 연구 개발 과제의 개요 7

1-1. 연구 개발 목적 7

1-2. 연구 개발의 필요성 7

1-3. 연구 개발 범위 8

2. 국내외 기술 개발 현황 11

가. 국내 기술 수준 및 시장 현황 11

나. 국외 기술 수준 및 시장 현황 12

3. 연구 수행 내용 및 결과 13

3-1. Characterization of oxide trap density with the charge pumping technique in dual-layer gate oxide 13

3-2. VNPFET에서 Radiation 입사각도와 입사에너지 변화에 따른 SER효과 분석 14

3-3. Natural Local Self-Boosting Effect in 3D NAND Flash Memory 15

3-4. Investigation of Electrothermal Behaviors of 5-nm Bulk FinFET 17

3-5. Design optimization of RF low noise amplifier in twin-well CMOS process 18

3-6. Circuit modeling of the electro-thermal behavior of nanoscale bulk-FinFETs 19

3-7. "Analysis of Radiation Effect for Vertical Field Effect Transistor", 2018 한국반도체학술대회 (2018. 02) 20

3-8. "TID 효과로 인한 Bulk FinFET 구조에서의 전기적 특성 분석", 2018 한국물리학회 (2018. 10) 21

3-9. A Radiation-Hardened Instrumentation Amplifier for Sensor Readout ICs in Nuclear Fusion Applications 22

3-10. TCAD 시뮬레이션을 이용하여 TID 효과가 적용된 FinFET과 NanowireFET 전기적 특성 분석 22

3-11. "Analysis of NLSB Effect depending on Cell Pattern and Bias Conditions in 3D NAND Flash Memory", 2018 ICEIC (2018. 01) & "Analysis of Natural Local Self-Boosting Effect due to Down-coupling Phenomenon in 3D NAND Flash Memory", 2018 SSDM (2018. 09) 23

3-12. KSTAR 기술기여의 우수성 평가 요청 24

가. KSTAR 기술기여 성과물 내용 24

나. 기술성능 시험 결과 26

4. 목표 달성도 및 관련 분야에의 기여도 28

4-1. 연구 개발 목표 28

4-2. 목표 달성도 30

4-3. 관련 분야 기여도 31

가. 기술적 측면 31

나. 경제적 산업적 측면 31

5. 연구 결과의 활용 계획 32

6. 연구 과정에서 수집한 해외 과학 기술 정보 33

7. 연구 개발 성과의 보안 등급 33

8. 국가과학기술종합정보시스템에 등록한 연구 시설·장비 현황 33

9. 연구 개발 과제 수행에 따른 연구실 등의 안전 조치 이행 실적 33

10. 연구 개발 과제의 대표적 연구 실적 33

11. 기타 사항 34

12. 참고 문헌 35

붙임 : 수정·보완요구사항 반영내역 36

〈별첨〉자체체 평가 의견서[내용없음] 6

[뒷표지] 37