그림 3.2.1.2.1. 치아구조 도식화 52

그림 3.2.1.2.2. 치아시료 준비과정 52

그림 3.2.1.2.3. 치아시료의 OSL 선량반응도 53

그림 3.2.1.2.4. 치아시료의 OSL fading 특성 53

그림 3.2.1.3.1. 일상에서의 스마트 칩 카드의 사용 54

그림 3.2.1.3.2. 스마트 칩 카드 구조 단면 55

그림 3.2.1.3.3. 스마트 칩 카드 및 추출 시료 55

그림 3.2.1.3.4. 에폭시 시료 세척(좌)과정과 건조(우) 과정 56

그림 3.2.1.3.5. UV-epoxy의 OSL 신호 선량반응도 57

그림 3.2.1.3.6. UV-epoxy의 OSL 신호 감쇠율 57

그림 3.2.1.4.1. LCD와 OLED의 구조 비교 58

그림 3.2.1.4.2. 분해된 Galaxy-s3 display glass의 상부(a)와 하부(b) 59

그림 3.2.1.4.3. 1.0 kGy 조사된 AMOLED glass(좌)와 터치 glass(우)의 TL 발광 spectra 60

그림 3.2.1.4.4. 1.0 kGy 조사된 AMOLED glass(좌)와 터치 glass(우)의 TL 발광 Contour 60

그림 3.2.1.4.5. AMOLED와 터치 glass에 0 mGy 및 650 mGy가 조사되었을 때의 TL… 61

그림 3.2.1.4.6. AMOLED glass에 대한 적분 시작 온도가 100 ℃ 일 때, 최대 적분온도… 61

그림 3.2.1.5.1. TL glow curve에 따라 나뉜 display glass의 4가지 카테고리 62

그림 3.2.1.5.2. glass 시료 준비 과정그림 3.2.1. 64

그림 3.2.1.5.3. 측정에 사용된 Risø TL/OSL reader Model DA-20 System 64

그림 3.2.1.5.4. U-340 필터 장착 후 1 Gy의 선량 조사에 대한 iPhone 6 glass의 TL 측정 결과 64

그림 3.2.1.5.5. 280 nm에서 750 nm 파장 영역에 대한 TL emission spectrum 결과 65

그림 3.2.1.5.6. U-340 필터 제거 후 1 Gy의 선량 조사에 대한 iPhone 6 glass의 TL측정 결과 65

그림 3.2.1.5.7. iPhone 6 glass의 Pre-bleach 시간에 따른 TL glow curve 66

그림 3.2.1.1. iPhone 6 glass의 Prebleach 시간에 따른 TL intensity 66

그림 3.2.1.5.9. category B glass의 선량반응도 67

그림 3.2.1.5.10. 반복측정에 따른 category B glass의 감도 변화 67

그림 3.2.1.5.11. iPhone 6 glass의 TL 신호의 시간에 따른 감쇠특성 68

그림 3.2.1.5.12. 실증실험을 위한 휴대전화시료의 감마선 조사 69

그림 3.2.1.6.1. 휴대전화 글래스 시료의 fading curve (좌) 및 휴대전화 글래스 시료의 background 선량 분포 (우) 76

그림 3.2.1.6.2. 가우시안 분포를 가지는 랜덤 넘버를 사용하여 확보한 보정전 선량(좌), Background 신호(중), fading(우)의 분포 예시 76

그림 3.2.1.6.3. 가우시안 분포를 가지는 랜덤 넘버를 사용하여 확보한 보정선량분포 예시 77

그림 3.2.1.6.4. category B glass를 사용한 13종 휴대전화의 background 선량(좌, 초록색) 및 이를 이용한 background 신호 분포(우) 78

그림 3.2.1.6.5. f 값이 20%일 때, (식 3.2.1.6.17)을 Monte-carlo 연산을 통해 계산된 보정 선량의 분포의 예 79

그림 3.2.1.6.6. f 값이 20%일 때, (식 3.2.1.6.19)를 Monte-carlo 연산을 통해 계산된 보정 선량의 분포의 예 80

그림 3.2.1.7.1. 국제 상호비교에 사용된 최신 휴대전화 81

그림 3.2.1.7.2. EURADOS에서 제공하는 저항의 TL/OSL 및 글래스의 TL 측정 프로토콜 82

그림 3.2.1.7.3. 한국원자력연구원에서 제출한 2017 국제상호비교 결과 83

그림 3.2.1.7.4. 한국원자력연구원에서 제출한 2017 국제상호비교 결과(glass 시료 평균 평가선량)와 IRSN에서 조사된 선량값 비교 83

그림 3.2.1.8.1. 전산모사 시 휴대전화를 팬텀 전면부에 위치시킨 모습 85

그림 3.2.1.8.2. 전산모사시 팬텀에 부착된 휴대전화 지오메트리의 측면모습 86

그림 3.2.1.8.3. 전산모사시 팬텀의 휴대전화 부착 위치에 따른 방향(선원은 좌측) 86

그림 3.2.1.8.4. 고에너지(Cs-137, 662 keV) 광자에 대한 저항(a)과 인덕터(b)의 상대TL 측정결과 87

그림 3.2.1.8.5. 저에너지(x-ray, 70 keV) 광자에 대한 저항(a)과 인덕터(b)의 상대TL 측정결과 87

그림 3.2.2.1.1. K₂LiCeCl6와 K₂LiCeBr6의 섬광 단결정 성장[이미지참조] 88

그림 3.2.2.2.1. Tl₂LiGdBr6 섬광결정의 X-선을 이용한 발광스펙트럼, Cs-137 방사선원을 이용한 에너지 분해능 측정, 절대섬광량 측정 및 감쇄시간을 측정[이미지참조] 90

그림 3.2.2.3.1. 브리지만법으로 성장된 LiI:Tl 앰플 91

그림 3.2.3.1.1. Epoxy resin 외곽부위를 물리적으로 오려낸 스마트 칩 카드(a). 액체 epoxy resin을 통한 SiO2 파우더 주줄(b-e) 93

그림 3.2.3.1.2. 스마트 칩 카드 시료의 백그라운드신호 그래프 94

그림 3.2.3.1.3. 스마트 칩 카드 시료의 선량반응도 곡선 95

그림 3.2.3.1.4. 스마트 칩 카드 시료의 페이딩(fading) 곡선 95

그림 3.2.3.1.5. 액체 레진에서 추출된 SiO2와 경화 에폭시 시료에 365nm 자외선 조사… 96

그림 3.2.3.1.6. 액체 레진에서 추출된 SiO2에 365nm 자외선 조사 후 시간경과… 96

그림 3.2.3.2.1. TL 판독기 (모델 DA-20)의 수정된 설정 위치 98

그림 3.2.3.2.2. pre-bleach 진행시 새로 부착된 추가의 구조물이 장착된 장비의 단면도 98

그림 3.2.3.2.3. 수정 된 bleach 모듈을 이용하여 측정된 bleach 시간에 따른 iPhone 6… 99

그림 3.2.3.2.4. 수정 된 bleach 모듈을 이용하여 측정된 bleach 시간에 따른 iPhone 6… 99

그림 3.2.3.2.5. iPhone 5s, 6, 6s, LG G3 및 V20의 기판유리의 10 회 반복 측정을 통한 재현성 확인 99

그림 3.2.3.2.6. 수정된 pre-bleach 모듈을 이용해 측정된 1 Gy 조사에 대한 23개의 category… 99

그림 3.2.3.3.1. 수정된 TL reader의 bleach 시간에 따른 AMOLED 기판유리의 Normalized TL 신호 102

그림 3.2.3.3.2. 2개의 category AMOLED 기판유리에 대한 TL 발광 스펙트럼 및 contour (category A - (a), (b), category B - (c), (d)) 103

그림 3.2.3.3.3. 방사선 조사되지 않은 그리고 배경 신호 측정 후 2 Gy 조사 된 AMOLED 기판유리의 TL 글로 곡선 104

그림 3.2.3.3.4. 40개의 AMOLED 기판유리의 zero dose 분포 105

그림 3.2.3.3.5. 높은 zero dose의 순서로 3개의 휴대전화 샘플에서 위치에 따른 zero dose 분포 106

그림 3.2.3.3.6. 5가지 AMOLED 기판 유리의 선량반응도 107

그림 3.2.3.3.7. 22개의 AMOLED 기판유리에 대해 최대 5일간의 TL 신호에 대한 감쇄 특성 107

그림 3.2.3.4.1. 최신 삼성 휴대전화 터치유리의 TL 발광 스펙트럼 110

그림 3.2.3.4.2. 최신 LG 휴대전화 터치유리의 TL 발광 스펙트럼 111

그림 3.2.3.4.3. 최신 APPLE, 샤오미 휴대전화 터치유리의 TL 발광 스펙트럼 111

그림 3.2.3.4.4. 최신 휴대전화 터치유리의 주요 TL 발광 스펙트럼 분류 112

그림 3.2.3.4.5. 최신 휴대전화 터치유리의 기타 TL 발광 스펙트럼 분류 112

그림 3.2.3.4.6. Pre-bleach 시간에 따른 type-I (galaxy-s5) (a), type-II (iPhone 6) (b), type-III (redmi) (c)의 TL 발광곡선 114

그림 3.2.3.4.7. Pre-bleach 시간 및 신호 적분 구간에 따른 type-I (a), type-II (b) type-III (c)의 TL 발광 신호 감쇄 114

그림 3.2.3.4.8. 불산식각 시간 차이로 인한 터치유리의 상대 두께에 대한 iPhone 5 (a), iPhone 6 (b) 및 galaxy-s5 (c)의 zero dose 감쇄 115

그림 3.2.3.4.9. 31개 터치유리의 발광곡선. (조사되지 않고 식각되지 않은 샘플 (a), 조사되지 않고 식각된 시료 샘플 (b), TL 측정후 2 Gy 조사된 샘플 (c)) 115

그림 3.2.3.4.10. 증가하는 순서대로 나열된 식각된 (red), 식각안된 (black) 31개의 터치유리에 대한 zero dose 분포. (100~250 ℃ (a), 100~200 ℃ (b) 및 100~150 ℃ (c)의 적분구간) 116

그림 3.2.3.4.11. 식각 처리된 31개 터치유리에 대한 100~150 ℃ 온도 적분 구간의 zero dose 분포 116

그림 3.2.3.4.12. galaxy-s5 (type-I), iPhone 6 (type-II) 및 redmi (type-III) 터치유리의 선량 반응도 116

그림 3.2.3.5.1. 사후선량 분석 계통도 117

그림 3.2.3.5.2. CUDA 프로그램 118

그림 3.2.3.5.3. 32개의 병렬프로그래밍으로 미지공간의 Simplex 점 32개 중에서 16개를 동시에 변경하는 경우 가장 효율적이었다. 120

그림 3.2.3.5.4. RestoAnal의 실행화면 121

그림 3.2.4.1.1. DCC 알고리즘을 내장한 500 MS/s, 250 MHz 4 채널 FADC 모듈 124

그림 3.2.4.1.2. 200 MHz FADC를 사용하여 획득한 중성자/감마선 신호 및 DCC 방식을 사용한 중성자/감마선 분리 측정의 원리 125

그림 3.2.4.1.3. 유기섬광체를 사용한 중성자와 감마선의 입자 식별 분포 스펙트럼 126

그림 3.2.4.1.4. FADC를 이용한 펄스 발생기에서 획득한 하나의 펄스에 대한 신호 분석 그래프 127

그림 3.2.5.1.1. (a) SKT SIM, (b) KT SIM, (c) LGT SIM, (d) 카드 1, (e) 카드 2 및 (f) 카드 3에 대하여 구성 요소 분석을 위한 x 2000의 SEM 이미지 (첫 번째 줄), 실리콘 분석… 131

그림 3.2.5.1.2. 280 ℃ 예열 후, 20 Gy로 조사된 칩 카드 시료에 서로 다른 간섭 필터의 (a) blue 및 (b) red emission을 이용하여 측정한 TL 발광곡선 132

그림 3.2.5.1.3. 다양한 필터 및 검출기 조합으로 측정 한 조사되지 않은 칩 카드 및 1Gy 조사된 (첫 번째 TL 판독 후) 칩 카드의 발광곡선 133

그림 3.2.5.1.4. 다른 필터 및 검출기로 측정한 다양한 칩 카드의 8회 연속 반복 투여 및 판독에 대한 TL 감도 변화 134

그림 3.2.5.1.5. 다양한 필터와 검출기로 측정한 50mGy에서 10Gy까지 다양한 칩 카드의 선량 반응 곡선 135

그림 3.2.5.1.6. 5Gy로 조사되고 매 TL 판독 후 5 Gy의 테스트에 의해 수정된 청색 및 적색 방출을 갖는 칩 카드의 신호 페이딩 136

그림 3.2.5.2.1. (a-f) 예열 온도와 유지 시간의 변화 및 violet 노출 후 유리 PTTL 신호 (405nm, 500 초 동안)에 대한 영향 141

그림 3.2.5.2.2. (a-j) 리더의 검출창에 상이한 필터 조합을 사용하여 측정된 violet 노출 (405nm, 500 초 동안) 후 PTTL 신호 결과 142

그림 3.2.5.2.3. 방사선 유도 및 비방사 유도 PTTL 신호로 계산된 RIS / nRIS 비율 143

그림 3.2.5.2.4. violet 노출 후 PTTL 신호의 재현성 테스트 (405nm, 500 초) 144

그림 3.2.5.2.5. (a-b) violet 노출 (405 nm, 500 초) 후 유리 샘플의 PTTL 신호의 선량 반응도 곡선 145

그림 3.2.5.2.6. violet 노출 후 PTTL 신호의 안정성 테스트 (405nm, 500 초) 146

그림 3.2.5.2.7. 유리 샘플의 TL 및 PTTL 방출 스펙트럼 148

그림 3.2.5.2.8. 유리 시료의 PTTL 방출 스펙트럼 149

그림 3.2.5.2.9. (a-e) PTTL 신호는 다른 UV 노출 스펙트럼(1Gy 조사, 10 초 동안 400 ℃ 예열, 모든 측정에 사용된 340/26 BrightLine)에 대해 측정되었다. 150

그림 3.2.5.9f. 방사선 유도 및 비방사선 유도 PTTL 신호의 계산된 RIS / nRIS 비율. 150

그림 3.2.5.3.1. Lexsyg smart (Freiberg inst.) 152

그림 3.2.5.3.2. Riso TL/OSL reader (DTU Nutech) 152

그림 3.2.5.3.3. TLD Cube 153

그림 3.2.5.3.4. 장치의 구성 154

그림 3.2.5.3.5. 현장적용형 판독시스템 3D-설계도면 155

그림 3.2.5.3.6. 샘플 홀더 설계도면 155

그림 3.2.5.3.7. 현장적용형 판독시스템 내부 설계도면 156

그림 3.2.5.3.8. 현장적용형 시스템 조립사진(전면) 157

그림 3.2.5.3.9. 현장적용형 시스템 조립사진(후면) 157

그림 3.2.5.3.10. 시료 거치대 사진 157

그림 3.2.5.4.1. 설계된 휴대폰의 개략적인 단면도 159

그림 3.2.5.4.2. 서있는 자세의 팬텀에 있는 네 가지 다른 전화 위치 159

그림 3.2.5.4.3. 4 개의 다른 위치에 있는 전화기로 세 가지 자세의 삽화 160

그림 3.2.5.4.4. 기존 연구와의 저항 기판유리 시료차이 163

그림 3.2.5.4.5. 기존 연구와의 휴대전화 위치차이 163

그림 3.2.5.4.6. (a-i) 인체 (pSv cm2) 및 네 가지 위치(Chest, Hip, Thigh, and Hand; (L)은 왼쪽, (R)은 오른쪽을 의미함)의 휴대전화 (pGy cm2)의 플루언스당 선량을 서… 164

그림 3.2.5.5.1. RL, TL 및 OSL 발광모형 169

그림 3.2.5.5.2. 다기능 RL/TL/OSL 측정장치의 개략도 173

그림 3.2.5.5.3. Nelder-Mead 법에 의한 최악(Worst)의 꼭짓점의 전개 방법 175

그림 3.2.5.5.4. 꼭짓점에 대한 갱신횟수 대비 그때까지의 최적조건에서의 ƒ함수의 값의 그래프 177

그림 3.2.5.5.5. 프로그램의 주 실행화면 181

그림 3.2.5.5.6. 미정계수들을 조절하여 측정데이터를 맞추어 가는 과정을 나타내는 화면 181

그림 3.2.5.5.7. 프로그램의 순서도 181

그림 3.2.5.5.8. LumiAnal에서의 회귀분석의 전략을 선택하는 Option 대화창으로 불일치측… 185

그림 3.2.5.5.9. 각 측정 모드별로 가중치를 선택케 하는 대화창 187

그림 3.2.5.5.10. 표면실장 저항의 구조 187

그림 3.2.5.5.11. 시료컵에 저항소자가 배치된 모습 187

그림 3.2.5.5.12. 표면실장 저항의 분석된 결과 189

그림 3.2.5.5.13. 광자극시의 온도별 PTTL 190

그림 3.2.5.5.14. 발광시간과 유지 온도를 달리할 때의 PTTL의 발광총량 191

그림 3.2.5.5.15. RestoAnal의 실행화면 192

그림 3.2.6.1.1. K2LiCeCl6와 K2LiCeBr6의 섬광 단결정 성장 개략도[이미지참조] 194

그림 3.2.6.1.2. 농도에 따라 성장된 섬광 결정 195

그림 3.2.6.1.3. K₂LiCeBr6와 K₂LiCeCl6의 X-선을 이용한 발광스펙트럼, Cs-137 방사선원을 이용한 에너지 분해능 측정, 절대섬광량 측정 및 감쇄시간을 측정 결과[이미지참조] 196

그림 3.2.6.1.4. K₂LiLaCl6:Ce의 Ce 도핑 농도에 따라 발광 스펙트럼과 감쇄시간의 변화[이미지참조] 197

그림 3.2.6.1.5. 최적화를 위한 K₂LiLaCl6:Ce의 Ce 도핑 농도 변화[이미지참조] 197

그림 3.2.6.1.6. 성장 가능성을 확인을 위해 CsI(Tl)에 Li 0%와 1%의 농도로 영향 확인 198

그림 3.2.6.1.7. 0%(pure)한 상태보다 Li 1% 도핑으로 인해 섬광량과 에너지 분해능 결과 198

그림 3.2.6.1.8. 중성자 검출을 위한 LiI(Ag) 섬광단결정 성장 199

그림 3.2.6.1.9. K₂LiCeCl6 섬광 단결정 열 중성자 pre-test PSD 측정 결과[이미지참조] 199

그림 3.2.6.1.10. Rb₂LiGdCl6와 LiI(0.02% Ag) 섬광 단결정 열 중성자 pre-test PSD 측정 결과[이미지참조] 200

그림 3.2.6.2.1. 중성자에 대한 선량학적 계산을 위한 도식도 201

그림 3.2.6.2.2. (a) 제작사에서 제공한 실제 CLLB 검출기 도면, (b) MCNP 전산모사 지오메트리 202

그림 3.2.6.2.3. 디스크 형태의 중성자 선원과 검출기 및 보너구의 구조 203

그림 3.2.6.2.4. 보너구와 결합한 CLLB 검출기의 Cf-252 중성자 선원에 대한 반응함수 204

그림 3.2.6.2.5. 중성자 선원의 입사각도에 따른 CLLB 검출기의 반응함수 205